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標(biāo)簽 > 柵極電壓
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講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理
我們可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)Ugs=0時(shí),MOS-FET就是兩個(gè)共陽(yáng)極的二極管,B極是公共陽(yáng)極,S、D極是兩個(gè)陰極。
光學(xué)數(shù)據(jù)傳感、處理和視覺(jué)記憶是人工智能和具有自主導(dǎo)航功能的機(jī)器人的基本要求。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,成像與模式識(shí)別電路分開(kāi)。
IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度...
SiC MOSFET與同等硅器件相比優(yōu)勢(shì)在哪?
談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對(duì)于某些以前從...
2021-04-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器電壓 2.6k 0
1600V BIMOSFET晶體管的應(yīng)用及其直流電性能
本應(yīng)用筆記介紹了新的1600 V BIMOSFET晶體管,該晶體管已被新應(yīng)用取代。它介紹了BIMOSFET的許多應(yīng)用及其直流電性能。如今,有許多使用高壓...
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