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標(biāo)簽 > 柵極電阻
柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì),采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。
由于柵級(jí)電阻上的大負(fù)載,建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余,如果一個(gè)柵極電阻損壞,系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行,但開(kāi)關(guān)損耗較大。每個(gè)并聯(lián)電阻有關(guān)功耗和峰值功率能力的性能,必須設(shè)計(jì)為滿足應(yīng)用中的最大柵級(jí)電流。采用柵級(jí)電阻并聯(lián)的方式,也有利于增強(qiáng)熱擴(kuò)散。柵級(jí)電阻并聯(lián)的布局必須保證柵極電阻所產(chǎn)生的過(guò)大熱量不會(huì)使安裝在附近的元件過(guò)熱。在考慮布局時(shí),必須為柵極電阻留出足夠大的冷卻區(qū)域。印刷電路板上合適的散熱器可用來(lái)實(shí)現(xiàn)更好的散熱。
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
在電子工程中,柵極電阻的取值對(duì)于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個(gè)常見(jiàn)的取值,但這個(gè)選擇并非隨意,...
6P14電子管是一種常見(jiàn)的五極管,廣泛應(yīng)用于音頻放大器、振蕩器等電子設(shè)備中。在設(shè)計(jì)和使用6P14電子管時(shí),選擇合適的柵極電阻是非常重要的,因?yàn)樗苯佑绊?..
電子管(又稱真空管或熱陰極管)是一種利用電子在真空或氣體中流動(dòng)來(lái)控制電流的電子元件。它由陰極、柵極、陽(yáng)極等部分組成。柵極是電子管中非常重要的一部分,它的...
電子管,又稱為真空管或熱離子管,是一種利用電子在真空或惰性氣體中運(yùn)動(dòng)來(lái)控制電流的電子器件。它在20世紀(jì)初期至中期的電子技術(shù)中扮演了重要角色,尤其是在無(wú)線...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...
一、MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于電壓控制電流型元件,是...
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
該電路的工作原理與直流可控硅電路的工作原理略有不同。當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí),電路需要等到有足夠的陽(yáng)極電壓可用,因?yàn)榻涣鞑ㄐ窝仄渎肪€移動(dòng)。此外,SCR電路需要等到電...
類別:電子元器件應(yīng)用 2021-06-21 標(biāo)簽:柵極柵極電阻
AN7003_IGBT驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電阻選擇原則及應(yīng)用立即下載
類別:電源技術(shù) 2012-10-18 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)柵極電阻AN7003
如何簡(jiǎn)單的dv/dt控制技術(shù)降低IGBT開(kāi)通損耗
功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型,一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度更快。這將降低開(kāi)關(guān)損耗,從而降低總體損耗
2023-02-07 標(biāo)簽:柵極電阻功率半導(dǎo)體電阻值 3.7k 0
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的影響
1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常
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