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柵極

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柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術

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2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1.2k 0

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上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1.2k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作

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2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極驅動電路 1.4k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構

在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1k 0

MOS管的米勒效應解析

　　在說MOS管的米勒效應之前我們先看下示波器測量的這個波形。

2023-02-03 標簽：示波器 MOS管 MOS 5.2k 0

柵極型推挽電路為什么不用上P下N

在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。其原理圖如下所示，

2023-02-02 標簽：三極管電阻原理圖 1.1k 0

絕緣柵極驅動器的重要特性

在電力電子領域，例如在驅動技術中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關損耗...

2022-12-22 標簽：處理器驅動器 IGBT 2.2k 0

石墨烯納米帶器件：電性質

迄今為止，Nanodcal 已成功應用于1維、2維、3維材料物性、分子電子器件、自旋電子器件、光電流器件、半導體電子器件設計等重要研究課題中，并將逐步推...

2022-10-28 標簽：集成電路柵極石墨烯 1.6k 0

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SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

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MOSFET管柵極為什么放置一個約100Ω串聯(lián)電阻

在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結論背后不簡單的問題”（點擊加黑文字可以跳轉到該推文），對...

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2021-07-04 標簽：電機驅動 IGBT 柵極 3.5k 0

消除與漏極開關有關的電路

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2020-05-29 標簽：放大器電平柵極 4.1k 0

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2019-11-15 標簽：電壓柵極 1.9萬 0

柵極源極漏極怎么區(qū)分

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2019-06-19 標簽：場效應管電極柵極 8.3萬 0

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