柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅(qū)動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。
2025-05-06 15:54:46
1465 
碳化硅（SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發(fā)展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅(qū)動電路，確保
2025-06-24 09:20:47998 
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:003615 
。與客戶的看法形成鮮明對比的是，這些故障通常不是SiC MOSFET技術的固有弱點，而是圍繞柵極環(huán)路的設計選擇。特別是，對高端設備和低端設備之間的導通交互作用缺乏關注會導致因錯誤的電路選擇而引發(fā)的災難性故障。在本文中，我們表明，在柵極電路環(huán)路中使用柵極源電容器進行經(jīng)典的阻尼工作
2021-03-11 11:38:033365 當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:0719900 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅(qū)動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設計、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項。
2025-04-24 17:00:432035 
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
（1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動
2025-12-16 06:02:32
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結構角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結構優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結構SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
專門的溝槽式柵極結構（即柵極是在芯片表面構建的一個凹槽的側壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設計的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結構的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導出關斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
（MPS）結構，該結構保持最佳場分布，但通過結合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽?，它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率。 MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構成中，SiC-MOSFET切換（開關）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
的產(chǎn)生機理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個極間均存在結電容，柵極輸入端相當于一個容性網(wǎng)絡，驅(qū)動電路存在著分布電感和驅(qū)動電阻，此時的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導通時的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
，降低了88%。還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅(qū)動需要適當調(diào)整外置的柵極電阻Rg。這在前文“與Si-MOSFET的區(qū)別”中也提到過。與IGBT
2018-12-03 14:29:26
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅(qū)動Mosfet管。而驅(qū)動的電壓就是通過開關電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
。設計挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術可能是一把雙刃劍，在帶來改進的同時，也帶來了設計挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動 SiC MOSFET，最大限度降低傳導和開關損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
，而且結構簡單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動電路調(diào)整等 設計和評估工時 。 內(nèi)置各種保護功能 ，基本上只需根據(jù)要設計的電源規(guī)格設置外置元器件的常數(shù)即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關波形見圖1所示。在測量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動，也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結構特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
柵極電壓變?yōu)楸?VCC 更正或比 VEE 更負的情況下保護 IGBT 柵極免受過壓的影響。二極管D3可防止柵極驅(qū)動器OUTP輸出在電流低于VCC時將電流排放到集電極中。這種技術很少用于MOSFET
2023-02-27 09:52:17
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
作為應用全SiC模塊的應用要點，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結構碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時導通。 當以0V關閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應，即Si MOSFET中已知的米勒效應。當器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現(xiàn)問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動的不同之處。主要的不同點是SiC-MOSFET在驅(qū)動時的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設計的范疇。但是，柵極驅(qū)動電壓
2018-11-27 16:54:24
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET漏源電壓和柵極電壓
測試難點 ：普通無源探頭和常規(guī)差分電壓探頭的寄生參數(shù)較大。由于SiC MOSFET具有極快的開關速度（高dv/dt），探頭的寄生電感和寄生電容會與測試電路耦合，導致測得
2025-04-08 16:00:57
Analysis of a Self Turn-on Phenomenon on the Synchronous Rectifier in a DC-DC Converter:In the buck
2009-11-26 11:21:42
9 controller IC. Due to the turn-off nature of the diode, turn-on switching loss of the main switch (Q1) depends on the switching frequency, th
2009-04-29 11:41:242294 
由于SiC MOSFET開關速度較快，使得橋式電路中串擾問題更加嚴重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結構封裝
2018-01-10 15:41:223 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 中，我們將對相應的對策進行探討。關于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅(qū)動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面給出的電路圖是在橋式結構中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導通的，為了防止HS和LS同時導通，設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:582279 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應的對策進行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:173263 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
板布局注意事項。 橋式結構SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關聯(lián)，因此導致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:011520 
是兩個重要的參數(shù)，它們對電流的影響非常顯著。 首先，我們來討論MOSFET柵極電路電壓對電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動。當柵極電路的電壓為零時，MOSFET處于關閉狀態(tài)，即沒有電流通過MOSFET。當柵極電路的電壓為正時，會形成一
2023-10-22 15:18:123845 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補
2023-11-02 19:10:011454 
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：導通時
2023-12-05 16:35:571015 
SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:261150 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關注。
2024-05-23 11:34:211464 SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能，今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。 對于部分SiC MO
2025-03-06 19:24:014005 
用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動IC 作為電子工程師，在功率電子設計中，碳化硅（SiC）MOSFET的應用越來越廣泛。然而，要充分發(fā)揮其性能，合適的柵極驅(qū)動解決方案
2025-12-19 15:00:09147 .pdf 產(chǎn)品概述 ACPL - 355JC是一款10A智能柵極驅(qū)動光耦合器，具有高峰值輸出電流和寬工作電壓范圍，非常適合在電機控制和逆變器應用中直接驅(qū)動IGBT或SiC MOSFET。它不
2025-12-30 15:40:03325
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