極電流保持比例的關(guān)系，漏
極電流恒定，因此
柵極電壓也保持恒定，這樣
柵極電壓不變，柵
源極間的電容不再流過
電流，驅(qū)動(dòng)的
電流全部流過米勒電容。過了米勒平臺(tái)后，
MOSFET完全導(dǎo)通，
柵極電壓和漏
極電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅(qū)動(dòng)
電路的電源的
電壓。
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2025-02-26 14:41:53
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
如圖2b、c和d所示。在實(shí)際應(yīng)用中，一般不特指時(shí)的MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，即在柵極不控制時(shí)，漏極-源極之間可以承受正偏置電壓。
在圖1中，點(diǎn)劃線框內(nèi)就是典型的MOS結(jié)構(gòu)，或者稱為MOS柵
2024-06-13 10:07:47
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
2025-04-23 11:25:54
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
可以理解成半橋就是在拓?fù)渖?，把?b class="flag-6" style="color: red">橋拓?fù)淙∑湟话雴?？如果?b class="flag-6" style="color: red">橋是2個(gè)橋臂4個(gè)開關(guān)管，那么半橋就是1個(gè)橋臂2個(gè)開關(guān)管？推挽電路和半橋電路是等價(jià)的嗎？還有橋式電路也分橋式整流和橋式逆變吧？謝謝！
2020-07-20 08:10:11
，而這個(gè)電流并沒有通過變壓器負(fù)載。因此，在兩個(gè)控制開關(guān)K1和K2同時(shí)處于過渡過程期間，兩個(gè)開關(guān)器件將會(huì)產(chǎn)生很大的功率損耗。為了降低控制開關(guān)過渡過程產(chǎn)生的損耗，一般在半橋式開關(guān)電源電路中，都有意讓兩個(gè)
2019-05-15 10:57:12
的產(chǎn)生機(jī)理 由功率MOSFET的等效電路可知，3個(gè)極間均存在結(jié)電容，柵極輸入端相當(dāng)于一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò)，驅(qū)動(dòng)電路存在著分布電感和驅(qū)動(dòng)電阻，此時(shí)的橋式逆變電路如圖1所示。以上管開通過程為例，當(dāng)下管V2已經(jīng)完全
2018-08-27 16:00:08
克服了全波整流電路要求變壓器次級(jí)有中心抽頭和二極管承受反壓大的缺點(diǎn)，但多用了兩只二極管。在半導(dǎo)體器件發(fā)展快，成本較低的今天，此缺點(diǎn)并不突出，因而橋式整流電路在實(shí)際中應(yīng)用較為廣泛。 (520101)
2021-05-13 07:31:16
，只要增加兩只二極管口連接成"橋"式結(jié)構(gòu)，便具有全波整流電路的優(yōu)點(diǎn)，而同時(shí)在一定程度上克服了它的缺點(diǎn)。橋式整流二極管的作用：1、將交流發(fā)電機(jī)產(chǎn)生的交流電變?yōu)橹绷麟?，以?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備
2017-12-09 11:26:40
便得到全波整流電壓。其波形圖和全波整流波形圖是一樣的。從下圖中不難看出，橋式電路中每只二極管承受的反向電壓等于變壓器次級(jí)電壓的最大值，比全波整流電路小一半。橋式整流電路 橋式整流器的作用及選擇 橋
2011-10-20 11:09:52
阻斷電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：450A。
電氣特性
漏源電阻（RDS(on)）：3.7mΩ
柵源閾值電壓：1.8V
柵電荷：1330nC。
熱性能
工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C
2025-03-17 09:59:21
于開關(guān)狀態(tài)下的漏源間電壓的突變會(huì)通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)幅度的VCS脈沖電壓．這一電壓會(huì)引起柵源擊穿造成管子的永久損壞，如果是正方向的VCS脈沖電壓，雖然達(dá)不到損壞器件的程度，但會(huì)導(dǎo)致器件
2009-08-20 18:24:15
，A點(diǎn)的電壓就是一個(gè)方波，最大值是12V+VBAT，最小值是12V（假設(shè)二極管為理想二極管）。A點(diǎn)的方波經(jīng)過簡(jiǎn)單的整流濾波，可提供高于12V的電壓，在驅(qū)動(dòng)控制電路中，H橋由4個(gè)N溝道功率MOSFET
2020-07-15 17:35:23
IGBT在半橋式電機(jī)控制中的使用IGBT的特性和功能在直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT，也就是絕緣柵雙極型晶體管，是由
2015-12-30 09:27:49
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進(jìn)行兩級(jí)驅(qū)動(dòng)Mosfet管。而驅(qū)動(dòng)的電壓就是通過開關(guān)電源調(diào)整得到的電壓，驅(qū)動(dòng)電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調(diào)整的電阻網(wǎng)絡(luò)。利用示波器在在這時(shí)對(duì)柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
，Mosfet管的柵極輸入端相當(dāng)于是一個(gè)容性網(wǎng)絡(luò)，因此器件在穩(wěn)定導(dǎo)通時(shí)間或者關(guān)斷的截止時(shí)間并不需要驅(qū)動(dòng)電流，但是在器件開關(guān)過程中，柵極的輸入電容需要充電和放電，此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路必須提供足夠大的充放電脈沖電流
2020-07-16 14:55:31
要的通道間時(shí)序匹配和停滯時(shí)間。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無電流隔離，而是依賴IC的結(jié)隔離來分離高端驅(qū)動(dòng)電壓和低端驅(qū)動(dòng)電壓。在低端開關(guān)事件中，電路中的寄生電感可能導(dǎo)致輸出電壓VS降至地電壓以下。發(fā)生這種
2018-07-03 16:33:25
整流器配置中的四個(gè)二極管是對(duì)AC電壓進(jìn)行整流的最簡(jiǎn)單、也是最常規(guī)的方法。在一個(gè)橋式整流器中運(yùn)行一個(gè)二極管可以為全橋整流器和汽車用交流發(fā)電機(jī)提供一個(gè)簡(jiǎn)單、劃算且零靜態(tài)電流的解決方案。不過，雖然二極管通常
2018-09-03 15:32:01
什么是單相橋式整流電路：電路中采用四個(gè)二極管，互相接成橋式結(jié)構(gòu)。利用二極管的電流導(dǎo)向作用，在交流輸入電壓U2的正半周內(nèi)，二極管D1、D3導(dǎo)通，D2、D4截止，在負(fù)載RL上得到上正下負(fù)的輸出電壓；在負(fù)
2021-07-06 06:03:14
，基本保持不變。這些都是基于橋式電路解決漏電流的方法，近年來出現(xiàn)了一種雙Buck逆變器結(jié)構(gòu)，這種逆變器具有無橋臂直通，體二極管不工作，雙極性工作等突出特點(diǎn)，因而應(yīng)用廣泛。本文提出一種新型的三電平雙
2018-09-28 16:28:02
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
的平均電流（即正向電流）為:ID=1/2 IL=1/2*UL/RL =0.45*U2/RL加在二極管兩端的反向電壓為：URM=2E2=2√2*U2二、橋式整流電路橋式整流電路輸入電壓E2為正半周時(shí)，對(duì)D1
2023-02-20 09:11:33
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
光耦合隔離器不會(huì)產(chǎn)生這種情況。為緩沖器供電的最直觀的方法，是為半橋的每一個(gè)浮動(dòng)區(qū)域提供專用的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。對(duì)于多引腳系統(tǒng)，低端柵極驅(qū)動(dòng)器可以共享一個(gè)電壓源，只要有足夠的電流輸出即可，如圖2中
2018-10-16 13:52:11
單相橋式整流電路輸出電壓的波形是怎樣的？三相鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)定子的繞組彼此互差多少的電角度呢？動(dòng)力控制電路通電測(cè)試的最終目的是什么？
2021-09-18 07:22:03
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開發(fā)調(diào)試過程中，測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反激電源實(shí)測(cè)波形來分析一下。問題一
2018-10-10 20:44:59
用的MOSFET必須具有一個(gè)小于等于3V的柵源電壓 (VGS) 閥值，以及低柵極電容。另外一個(gè)重要的電氣參數(shù)是MOSFET體二極管上的電壓，這個(gè)值必須在低輸出電流時(shí)為0.48V左右。德州儀器 (TI) 60V
2018-05-30 10:01:53
和K2、K3同時(shí)處于過渡過程期間，4個(gè)開關(guān)器件將會(huì)產(chǎn)生很大的功率損耗。為了降低控制開關(guān)過渡過程產(chǎn)生的損耗，一般在全橋式開關(guān)電源電路中，都有意讓兩組控制開關(guān)的接通和截止時(shí)間錯(cuò)開一小段時(shí)間。 4結(jié)論
2018-09-28 10:07:25
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動(dòng)器延遲時(shí)間短，上升和下降時(shí)間短提供用于驅(qū)動(dòng)半橋的信號(hào)和電源反激式恒定導(dǎo)通時(shí)間，無需環(huán)路補(bǔ)償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過測(cè)試并包含測(cè)試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫?！ 膱D中可以明顯看出，在較慢的開關(guān)速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，而上橋的驅(qū)動(dòng)電壓是跟隨相線電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
高壓驅(qū)動(dòng)器電路來實(shí)現(xiàn)所需要的通道間時(shí)序匹配和停滯時(shí)間。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無電流隔離，而是依賴IC的結(jié)隔離來分離高端驅(qū)動(dòng)電壓和低端驅(qū)動(dòng)電壓。在低端開關(guān)事件中，電路中的寄生電感可能導(dǎo)致輸出電壓VS
2018-10-23 11:49:22
的一個(gè)潛在問題是，僅有一個(gè)隔離輸入通道，而且依賴高壓驅(qū)動(dòng)器來提供通道間所需的時(shí)序匹配以及應(yīng)用所需的死區(qū)。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無電流隔離，而是依賴結(jié)隔離來分離同一IC中的上橋臂驅(qū)動(dòng)電壓和下橋臂驅(qū)動(dòng)
2018-10-16 16:00:23
電路來實(shí)現(xiàn)所需要的通道間時(shí)序匹配和停滯時(shí)間。另一問題是，高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無電流隔離，而是依賴IC的結(jié)隔離來分離高端驅(qū)動(dòng)電壓和低端驅(qū)動(dòng)電壓。在低端開關(guān)事件中，電路中的寄生電感可能導(dǎo)致輸出電壓VS降至地電壓
2018-09-26 09:57:10
開路整流電路沒有直流電壓輸出。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">橋式整流電路中各整流二極管的電流不能構(gòu)成回路，整流電路無法正常工作。任一只二極管開路整流電路所輸出的單向脈動(dòng)直流電壓下降一半。這是因?yàn)榻涣鬏斎?b class="flag-6" style="color: red">電壓的正半周或負(fù)半周
2011-12-15 15:04:58
穩(wěn)壓值為15 V．由于，功率MOSFET管柵源間的阻抗很高，故工作于開關(guān)狀態(tài)下的漏源間電壓的突變會(huì)通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)幅度的VCS脈沖電壓．這一電壓會(huì)引起柵源擊穿造成管子的永久損壞，如果是
2008-10-21 00:50:02
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
`如圖1所示是負(fù)極性橋式整流電路。電路中的VD1～VD4四只整流二極管構(gòu)成橋式整流電路，T1是電源變壓器。電路結(jié)構(gòu)與正極性電路基本相同，只是橋式整流電路的接地引腳和直流電壓輸出引腳不同，兩只
2011-12-15 15:15:25
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導(dǎo)通時(shí)的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測(cè)試過程中，SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
具有正負(fù)輸出電壓的橋式整流電路
橋式整流電路除了可以得到全波輸出外，如
2008-12-11 23:32:08
21570 
電壓型三相橋式逆變電路
2010-03-03 16:07:1819322 
電壓型單相半橋式整流電路
一、主電路的結(jié)構(gòu)1、倍壓電路：如果假定T1/T2
2010-03-05 11:05:294163 
電子發(fā)燒友為您提供了橋式電壓變換電路圖
2011-06-28 10:25:121954 
由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會(huì)降低電力電子裝置的可靠性。針對(duì)SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:22
3 開關(guān)管輪流交替工作，相當(dāng)于兩個(gè)開關(guān)電源同時(shí)輸出功率，其輸出功率約等于單一開關(guān)電源的兩倍，因此，半橋式開關(guān)電源的輸出功率很大，工作效率很高，經(jīng)橋式整流后，輸出電壓的電壓脈動(dòng)和電流脈動(dòng)系數(shù)都很小，僅需要很小的濾波電
2022-11-30 10:55:3718580 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 SiC MOSFET 時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式 boost 電路。該電路中使用的 SiC MOSFET 的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止 HS 和 LS
2020-12-07 22:44:0028 SiCmosfet三相全橋逆變電路中，同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾，該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT相比
2021-05-15 15:00:2211859 
中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-12-05 09:52:551552 從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。
2023-02-27 13:43:311436 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
板布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 橋式整流電路是由四個(gè)二極管連接在一個(gè)閉環(huán)“橋”配置中，以產(chǎn)生所需的輸出，橋式整流電路也稱為整流橋。工作原理正半周在正弦波的正半周期，連接到菱形左邊的電壓為正，連接到菱形右邊的電壓為負(fù)。兩個(gè)二極管導(dǎo)
2023-07-31 17:17:572902 
是兩個(gè)重要的參數(shù)，它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先，我們來討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒有電流通過MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí)，會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 橋式整流電路，又稱為全波橋式整流電路或四二極管橋式整流電路，是一種將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的常用電子電路。這種電路能夠?qū)⑤斎氲慕涣?b class="flag-6" style="color: red">電壓中的正負(fù)交替變化的電流都轉(zhuǎn)換為單向的直流電流，因而得名全波整流。橋式
2024-02-03 11:51:494451 
設(shè)計(jì)。 2.電壓降 設(shè)計(jì)橋式整流電路時(shí)，必須考慮到電流通過兩個(gè)二極管會(huì)導(dǎo)致電壓降低。通常情況下，使用硅二極管的橋式整流電路至少會(huì)有一個(gè)約為1.2伏的壓降，并且這個(gè)值會(huì)隨著通過的電流增加而增大。因此，實(shí)際能夠獲得的最大直流輸出
2024-02-03 14:55:201483 ） ： 整流二極管必須能夠承受電路中的最大電流。如果電流超過二極管的最大額定電流，二極管可能會(huì)過熱甚至燒毀。 反向電壓（V） ： 整流二極管必須能夠承受電路中的最大反向電壓。在橋式整流電路中，二極管的反向電壓應(yīng)該至少是交流輸入電壓峰值
2024-10-09 11:45:333064 ）組成。這四個(gè)二極管被排列成一個(gè)橋形結(jié)構(gòu)，因此得名橋式整流電路。每個(gè)二極管在電路中起到一個(gè)電子開關(guān)的作用，允許電流在特定方向上通過。 二、工作原理 正半周期 ： 當(dāng)輸入交流電處于正半周期時(shí)，二極管D1和D3的正極接收到正向電壓，因此它
2024-10-09 14:17:134149 
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