MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MOS管的開(kāi)與關(guān)。漏極D和源極S這兩個(gè)引腳，就相當(dāng)于，開(kāi)關(guān)電路的兩頭，一個(gè)腳連接電源，一個(gè)腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:29
17586 
根據(jù)提問(wèn)者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:065623 
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
2024-04-22 15:07:425675 
MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?
2024-12-26 14:01:056179 
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
浪涌電壓/電流產(chǎn)生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當(dāng)某些大容量的電氣設(shè)備接通或斷開(kāi)時(shí)間，由于電網(wǎng)中存在電感，將在電網(wǎng)產(chǎn)生“浪涌電壓”，從而引發(fā)浪涌電流。 簡(jiǎn)單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產(chǎn)生的？
2021-09-29 07:30:33
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 編輯
關(guān)于電壓源與電流源串聯(lián)之后電壓源無(wú)法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負(fù)極接基極
2020-08-11 10:04:29
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
Multisim里單獨(dú)一個(gè)PMOS管什么也不接只給源極加個(gè)電壓，用示波器測(cè)它漏極為什么會(huì)有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
）、柵極－源極（發(fā)射極）間的Cgs（Cge）、漏極（集電極）－源極（發(fā)射極）間的Cds（Cce）這些寄生電容。其中與低邊柵極電壓升高相關(guān)的是Cgd和Cgs。下面的左圖表示Cgd（Cgc）、Cgs（Cge
2018-11-30 11:31:17
老規(guī)矩先放結(jié)論：與反向并聯(lián)的二極管一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如：驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻，柵極電阻降低了充電功率，延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos管開(kāi)啟電壓的速度；結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
2021-11-16 08:27:47
兩端將產(chǎn)生等于Rs * Id的壓降，從而使源極端的電勢(shì)高于0v或接地電平。由于漏極電流引起的Rs兩端的電壓降為柵極電阻R2兩端提供了必要的反向偏置條件，從而有效地產(chǎn)生了負(fù)反饋。因此，為了保持柵極-源極結(jié)
2020-11-03 09:34:54
器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和?！ D1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型 電感中流過(guò)變化的電流時(shí)，其產(chǎn)生的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
TG傳輸門電路中。當(dāng)C端接+5，C非端接0時(shí)。源極和襯底沒(méi)有連在一起，為什么當(dāng)輸入信號(hào)改變時(shí)，其導(dǎo)通程度怎么還會(huì)改變？導(dǎo)電程度不是由柵極和襯底間的電場(chǎng)決定的嗎？而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導(dǎo)通程度應(yīng)該與輸入信號(hào)變化無(wú)關(guān)?。《鴷?shū)上說(shuō)起導(dǎo)通程度歲輸入信號(hào)的改變而改變？為什么?求詳細(xì)解釋！謝謝！
2012-03-29 22:51:18
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見(jiàn)圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
如果只給mos管偏置電流，柵極為什么會(huì)產(chǎn)生偏置電壓？一般不都是給偏置電壓，產(chǎn)生偏置電流嗎？反過(guò)來(lái)也可以嗎，有沒(méi)有大佬解釋一下，謝謝。電流鏡和這個(gè)有關(guān)系嗎？大佬方便解釋一下嗎，謝謝。
2021-06-24 07:24:50
用繼電器(24VDC)控制交流接觸器220VAC，產(chǎn)生的浪涌嚴(yán)重影響控制電路，怎么防止或吸收浪涌？
2018-03-23 19:39:14
耦合后會(huì)在MOS管的柵極輸入端產(chǎn)生振蕩電壓,振蕩電壓會(huì)破壞MOS管的氧化層?！ ∪?、MOS管導(dǎo)通和截止的瞬間,漏極的高電壓會(huì)通過(guò)MOS管內(nèi)部的漏源電容偶合到功率MOS管的柵極處,使MOS管受損。 四
2018-10-19 16:21:14
。 五、柵極電涌、靜電破壞 主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而弓起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
2018-11-21 13:52:55
*VGS。給柵極施加所需要的電壓波形，在漏極就會(huì)輸出相應(yīng)的電流波形。因此，選用大功率VDMOS管適合用于實(shí)現(xiàn)所需的浪涌電流波形，<span] 運(yùn)放組成基本的反向運(yùn)算電路，驅(qū)動(dòng)VDMOS管
2018-09-25 11:30:29
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
`設(shè)計(jì)了一個(gè)D類功放，在不加大電壓的情況下，用示波器測(cè)量功放管的柵極處的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是正常的，但是在管子漏極加70V電壓工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)信號(hào)有毛刺，導(dǎo)致電源保護(hù)，請(qǐng)問(wèn)大神們有遇到過(guò)這種情況的嗎，怎么解決？下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時(shí)柵源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形。`
2019-02-21 11:23:53
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負(fù)載開(kāi)關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
極之間連接幾nF的電容。如果希望進(jìn)一步了解詳細(xì)信息，請(qǐng)參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來(lái)是關(guān)斷時(shí)的波形?？梢钥闯?，TO-247N封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色實(shí)線
2022-06-17 16:06:12
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時(shí)升高，其幅度達(dá)到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌電壓基本知識(shí)
電路在遭雷擊和在接通、斷開(kāi)電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高
2009-06-30 13:35:412329 
浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開(kāi)電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高的操作過(guò)電壓，這種瞬時(shí)過(guò)電壓（或過(guò)電流）
2009-07-09 14:59:522651 
繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的一瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)巨大的直流浪涌電壓，這個(gè)電壓在高邊開(kāi)關(guān)的時(shí)候是負(fù)電
2009-11-21 14:24:046811 開(kāi)關(guān)電源雷擊浪涌的產(chǎn)生與防護(hù) 雷擊浪涌的產(chǎn)生 雷擊浪涌在開(kāi)關(guān)電源中的流通回路的分析（共模信號(hào)與差模信號(hào)） 一種防雷擊浪涌的開(kāi)關(guān)電源電路的設(shè)計(jì)。 雷擊浪涌電路的人工產(chǎn)生與防雷擊浪涌的電路的可靠性測(cè)試
2017-11-06 17:39:068544 
源極簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很?。?，形成了兩個(gè)PN結(jié)。
2017-11-23 16:20:52301929 
浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過(guò)電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬(wàn)上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個(gè)，一個(gè)是雷電，另一個(gè)是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開(kāi)（包括補(bǔ)償電容的投切）時(shí)產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3237236 
FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的（為了討論的簡(jiǎn)便，這默認(rèn)體和源極是相連的）。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。
2019-07-12 17:50:3313651 
FET柵極驅(qū)動(dòng)器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動(dòng)器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無(wú)源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:284331 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 8位源極驅(qū)動(dòng)器和864柵極驅(qū)動(dòng)器OTM8019A
2021-08-16 11:31:2611 的輸出電壓。例如，假設(shè)圖 1a 中的電壓源是理想電壓源。如圖所示，源極開(kāi)路端子兩端的電壓為10V。該“開(kāi)端”電壓被稱為空載輸出電壓（V NL）。當(dāng)圖 1b 中所示的各種負(fù)載電阻連接到電源時(shí)，它保持相同的 10 V 輸出。因此，對(duì)于理想
2021-10-14 15:30:2730526 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
①在MOS開(kāi)關(guān)過(guò)程中，如果柵極電阻較小，發(fā)生了柵極電壓震蕩，多半是因?yàn)镸OS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開(kāi)通速度快，即di/dt大，如果L(寄生電感)也
2022-11-24 09:34:2418780 為了提高電子產(chǎn)品的可靠性和人體自身的安全性，必須對(duì)電壓瞬變和浪涌采取防護(hù)措施。 產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的，浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。 電網(wǎng)過(guò)壓、開(kāi)關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。
2022-12-08 09:37:107293 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122922 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
2023-02-08 13:43:24927 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過(guò)改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 使用評(píng)估電路來(lái)確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例，柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況。
2023-02-27 11:50:441620 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（II），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:40:19566 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（IV），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）D3是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:41:231353 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:022133 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:392544 
共源極放大器電路的原理是將信號(hào)引入放大管的柵極，放大管的漏極作為輸出端，同時(shí)在漏極與源極之間接入一個(gè)負(fù)載電阻。當(dāng)信號(hào)經(jīng)過(guò)柵極輸入后，放大管的漏極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓信號(hào)，這個(gè)信號(hào)經(jīng)過(guò)負(fù)載電阻之后就成為放大后的信號(hào)輸出。
2023-06-01 11:37:392101 
緩沖電路來(lái)降低線路電感，這是非常重要的。 首先，為您介紹 SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換電路中，發(fā)生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌 ·?緩沖電路的種類和選擇 ·?C緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?RC緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
2023-06-21 08:35:021467 
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式
2023-06-29 15:22:022215 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:073882 
與傳統(tǒng)的雙極結(jié)晶體管（BJT）相比，它提供了高輸入阻抗、低輸出阻抗，并且更容易控制。 MOSFET有三個(gè)端子；漏極、源極和柵極。源極端子是MOSFET的公共端子，并用作其他兩個(gè)端子的參考電壓。漏極端子連接到MOSFET電路的輸出，而柵極端子控制MOSFET的電流。 在
2023-08-25 14:49:588284 源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)（柵極電位）動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低，可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，
2023-08-31 10:28:094803 
浪涌電流怎么產(chǎn)生？ 浪涌電流是指在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，由于突發(fā)的電力波動(dòng)或電壓變異等原因而引發(fā)的瞬時(shí)電流。這些電壓波動(dòng)和變異可以是由于閃電、開(kāi)關(guān)電源的切換、短路、電力故障等引起的，它們都可以導(dǎo)致
2023-09-04 17:48:076360 是兩個(gè)重要的參數(shù)，它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先，我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí)，會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？ 大部分情況下，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓（G極）不會(huì)大于漏極電壓（D極）。這是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)改變柵極與漏極之間的電場(chǎng)來(lái)控制漏極電流
2023-11-23 09:13:453096 MOS芯片是一種常見(jiàn)的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:2510151 由于這種開(kāi)關(guān)工作，受開(kāi)關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開(kāi)關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
2024-01-24 14:10:331392 
浪涌 是電氣系統(tǒng)中常見(jiàn)的一種瞬態(tài)電壓現(xiàn)象，其產(chǎn)生主要源于電氣設(shè)備的開(kāi)關(guān)操作、雷電等外部因素。浪涌會(huì)給電氣設(shè)備帶來(lái)嚴(yán)重的損害，甚至導(dǎo)致系統(tǒng)故障和停電，因此必須采取有效的防護(hù)措施。不同行業(yè)對(duì)浪涌的防護(hù)
2024-05-09 10:56:513638 
。柵源極電壓是場(chǎng)效應(yīng)管工作的關(guān)鍵參數(shù)之一，其大小直接影響到器件的性能和穩(wěn)定性。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，其工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)。在場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極（Gate）與溝道（Channel）之間存在一個(gè)電介質(zhì)層，通常為二氧化硅（SiO2）。當(dāng)在柵極上
2024-07-14 09:16:065144 阻和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。它由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。 MOS驅(qū)動(dòng)芯片
2024-07-14 10:56:431858 一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC ：柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種專門用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物
2024-10-07 16:20:002470 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC）和源極（Source）是兩個(gè)在電子和電力電子領(lǐng)域中常見(jiàn)的概念，它們?cè)诠δ芎蛻?yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC） 定義與功能
2024-09-18 09:45:162601 在電子學(xué)中，穩(wěn)壓二極管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">電壓穩(wěn)定在一個(gè)特定的水平。這種器件通常用于電源管理、信號(hào)處理和保護(hù)電路中。在討論穩(wěn)壓二極管的作用時(shí)，我們通常會(huì)考慮它在電路中的位置，比如在柵極
2024-09-18 09:48:292158 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成：源極（Source）、漏極（Drain）、柵極
2024-09-18 09:58:133292 （plate）和抑制柵極（suppressor grid）。簾柵極是五極管中的一個(gè)重要組成部分，它的作用是減少控制柵極和陽(yáng)極之間的電容效應(yīng)，提高放大器的穩(wěn)定性和頻率響應(yīng)。 在五極管中，簾柵極的電壓高低對(duì)電子管的性能有著顯著的影響。以下是對(duì)簾柵極電壓高低影響的分析： 1. 簾柵極
2024-09-24 14:34:202724 MOS管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得源極和漏極之間的電流迅速增加。在MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，柵極電壓的變化決定了通道電阻的變化，進(jìn)而決定了電流的通斷。
2024-10-09 16:12:177173 浪涌，作為電氣系統(tǒng)中一種短暫卻強(qiáng)大的瞬間過(guò)電壓現(xiàn)象，可能對(duì)各類電氣設(shè)備造成嚴(yán)重?fù)p害。了解浪涌產(chǎn)生的原因，對(duì)于采取有效的防護(hù)措施、保障電氣設(shè)備的安全穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。浪涌的產(chǎn)生主要源于電力系統(tǒng)內(nèi)部
2025-02-05 14:33:002831 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202750 
當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
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