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如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者M(jìn)OSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來(lái)的影響更加顯著。
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