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發(fā)視頻SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(四)SiC MOSFET傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)
2023-02-27 |
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資料介紹
SiC MOSFET作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 SiMOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高 功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過(guò)負(fù)向安全電 壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問(wèn)題。因此為了保障 SiC MOSFET安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) SiC MOSFET進(jìn)行有效保 護(hù)。
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