氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅資訊

眾所周知，半導(dǎo)體器件運(yùn)行產(chǎn)生時(shí)的熱量是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效的關(guān)鍵因素，而電絕緣基板的導(dǎo)熱性是整個(gè)半導(dǎo)體器件散熱最為關(guān)鍵的。此外，由于顛簸、振動(dòng)等復(fù)雜的機(jī)械...

2022-10-07 標(biāo)簽：電路板分立元件基板 2.8k 0

國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車性能優(yōu)勢(shì)

國(guó)產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)

2023-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 功率模塊 2.6k 0

利用中紅外氮化硅波導(dǎo)傳感器檢測(cè)揮發(fā)性有機(jī)化合物

這些特性使SiN成為波導(dǎo)傳感器的理想材料，能夠在長(zhǎng)期傳感操作中實(shí)現(xiàn)可重復(fù)、可再現(xiàn)的VOC檢測(cè)。然而，據(jù)本論文的作者們所知，先前關(guān)于SiN作為波導(dǎo)材料的研...

2022-04-19 標(biāo)簽：傳感器紅外光譜 voc 2.5k 0

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國(guó)單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用目前，國(guó)內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...

2022-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅氮化硅 2.5k 0

鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬(wàn)元級(jí)訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張

近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...

2024-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 CMP 氮化硅 2.4k 0

氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然...

2025-07-05 標(biāo)簽：AMB 陶瓷基板氮化硅 2.4k 0

高抗彎強(qiáng)度氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析

熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動(dòng)化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過(guò)程中的可靠性和耐久性...

2025-11-23 標(biāo)簽：晶圓氮化硅 2.3k 0

鍺對(duì)氮化硅中紅外集成光子學(xué)的波導(dǎo)

在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片...

2021-12-16 標(biāo)簽：MiniGUI 量子物理學(xué) 2.1k 0

晶片表面沉積氮化硅顆粒的沉積技術(shù)

評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過(guò)所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)...

2022-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 2.1k 0

一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)

2023-07-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 NAND閃存 slc 2.1k 0

氮化硅陶瓷逆變器散熱基板：性能、對(duì)比與制造

氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。

2025-07-25 標(biāo)簽：逆變器散熱基板氮化硅 2k 0

Atonarp過(guò)程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過(guò)程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過(guò)使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)器 2k 0

高導(dǎo)熱率氮化硅散熱基板材料的研究進(jìn)展

針對(duì)越來(lái)越明顯的大功率電子元器件的散熱問(wèn)題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對(duì)影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方...

2022-12-06 標(biāo)簽：散熱基板介電性能氮化硅 1.9k 0

第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇，爭(zhēng)妍微電子斬獲“中國(guó)制造消費(fèi)者信賴品牌”李學(xué)會(huì)：以創(chuàng)新筑品，共推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)

2025年12月，第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國(guó)工業(yè)報(bào)社社長(zhǎng)徐金寶、原工信部...

2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅快恢復(fù)二極管 1.9k 0

熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指：半導(dǎo)體封裝的性能突破

半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物...

2025-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝燒結(jié)工藝氮化硅 1.8k 0

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 1.7k 0

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來(lái)的顯著益處...

2025-02-11 標(biāo)簽：多晶硅晶圓氮化硅 1.5k 0

氮化硅陶瓷基板有利于提高功率器件的可靠性及高導(dǎo)熱性

隨著能源的轉(zhuǎn)換、汽車的電氣化、高速鐵路的普及，控制能量的功率器件的負(fù)載越來(lái)越大。結(jié)果，作為功率器件的主要部件的半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量也在增加。由于熱量會(huì)降...

2022-10-13 標(biāo)簽：功率器件陶瓷基板氮化硅 1.4k 0

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預(yù)處理報(bào)告

摘要本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預(yù)處理（四種標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率?？瞻椎铇悠酚媚z體二氧化硅(0.25m)拋...

2022-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石氮化硅 1.4k 0

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱SN）高性能光源。

2023-12-15 標(biāo)簽：FTIR 氮化硅 1.4k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬(wàn)日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬(wàn)日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司，緊跟國(guó)際設(shè)計(jì)技術(shù)前沿，立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片及EDA設(shè)計(jì)工具的開(kāi)發(fā)。公司主要產(chǎn)品為高性能可重構(gòu)系統(tǒng)芯片，產(chǎn)品主要應(yīng)用于各類通信設(shè)備、終端設(shè)備、工業(yè)控制設(shè)備。
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科創(chuàng)板

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擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。

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