引言

評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“> 1000個(gè)氮化物顆粒”。然而，它沒有規(guī)定用于Si，N4顆粒的沉積技術(shù)。用于在硅測試晶片上沉積Si，N的兩種常用方法是氣溶膠沉積技術(shù)或濕浸沉積技術(shù)。迄今為止，文獻(xiàn)中還沒有報(bào)道過這兩種Si3*4沉積方法之間的比較，以確定這些方法是否產(chǎn)生相同的顆粒去除挑戰(zhàn)。本文比較了這兩種沉積技術(shù)。我們發(fā)現(xiàn)了兩種沉積方法的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。顆粒沉積的優(yōu)選方法取決于具體的應(yīng)用。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

可以使用濕法沉積技術(shù)涂覆整個(gè)晶片舟，因此舟內(nèi)所有晶片上的顆粒計(jì)數(shù)比一次涂覆一個(gè)晶片的氣溶膠沉積技術(shù)更加一致。參見圖2所示的方框圖。

結(jié)論

硅的粘附性;對(duì)于濕法沉積和氣溶膠沉積的顆粒，N4顆粒與硅晶片是相似的，只要通過氣溶膠沉積方法制備的晶片在顆粒沉積后立即在去離子水中漂洗。每種沉積技術(shù)都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。如果只需要幾片晶片，噴霧技術(shù)可以很快完成。該方法也在晶片表面沉積較小尺寸的Si3 *顆粒。需要進(jìn)行水沖洗步驟。

如果更困難的粒子去除挑戰(zhàn)是必需的。然而，必須控制氣溶膠沉積和水沖洗步驟之間的時(shí)間，以獲得一致的顆粒去除挑戰(zhàn)。濕法沉積技術(shù)提供了一種涂覆大量晶片的方法，在每個(gè)晶片上添加大約相同數(shù)量的顆粒，并且顆粒在晶片表面上非常均勻地分布。與氣溶膠沉積相比，添加到濕浸晶片中的大尺寸顆粒明顯更多。濕沉積粒子的粒子去除效率的變化小于氣溶膠沉積粒子的變化。對(duì)于濕法沉積方法，沉積設(shè)備的成本也較低。當(dāng)選擇要使用的Si，N4沉積方法時(shí)，必須考慮這些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。

審核編輯：湯梓紅