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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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提高功率密度的路線圖從降低傳導動態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態(tài)損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。 第二個參...
電子元件和電路的適當熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運行和可靠性的基本要求。當前電子設備逐漸小型化的趨勢以及對功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領域的特點是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實現數十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
如何化解第三代半導體的應用痛點 在集成電路和分立器件領域，硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料，但硅材料技術的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上現役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 3k 0
國產氮化鎵芯片“上天”，中國空間站、北斗、火星探測都已經用上
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上...
拆解|QR架構、功率密度0.91W/cm3的國產30W 氮化鎵快充
電子發(fā)燒友網報道（文/李誠）隨著電子設備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關頻率的氮化鎵，在消費類快充領域進入了發(fā)展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關速度比傳統(tǒng)的硅基設備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...
GaN 提高了功率轉換級的效率，使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統(tǒng)上，半導體生產中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數都提供額外的好處...
氮化鎵是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機構Rise 測試平臺 ProNano開發(fā)...
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
在設計基于氮化鎵的轉換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉換是一個革命性事件，其規(guī)模可與 70 年代后期的功率 MOS...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產品和電動...
2022-07-29 標簽：適配器氮化鎵Transphorm 1.2k 0
Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產品
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
不久前，SiC和GaN器件的應用還被認為是困難的，但到了2018年，這些技術的優(yōu)勢開始被應用到現實生活中。這項新技術成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對更高功率密度和改進冷卻的巨大需求，這讓這兩個行...
每個世紀在人類努力的各個領域都有其重大發(fā)明。對于電力電子而言，21世紀正在加速發(fā)現寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗...
我們發(fā)現機架式電源對電信服務器具有一定的吸引力。即使在 5g 數據、數據場中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內的效率都超過 90%，這讓您進入鈦...
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