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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>碳化硅和氮化鎵:兩種半導(dǎo)體的故事

碳化硅和氮化鎵:兩種半導(dǎo)體的故事

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第三代半導(dǎo)體測(cè)試的突破 —— Micsig光隔離探頭

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體氮化碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界場(chǎng)強(qiáng),使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-01-06 15:26:411139

為何碳化硅氮化更早用于耐高壓應(yīng)用?

僅從物理特性來(lái)看,氮化碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅氮化的“Baliga特性指標(biāo)(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是500,而氮化是900,效率非常高。
2023-02-10 11:29:222959

羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會(huì)現(xiàn)場(chǎng),羅姆(ROHM)攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會(huì)上羅姆重點(diǎn)展示了EcoSiC?碳化硅(SiC)模塊
2025-09-29 14:35:1812442

3年規(guī)模翻7倍統(tǒng)治 5G、IoT時(shí)代,化合物半導(dǎo)體材料深度報(bào)告 精選資料推薦

來(lái)源 華西證券編輯:智東西內(nèi)參作者:吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨,以砷化(GaAs)、氮化(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中,Ga...
2021-08-31 06:32:26

8英寸!第四代半導(dǎo)體再突破,我國(guó)氧化研究取得系列進(jìn)展,產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

氧化是一新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅氮化等第三代半導(dǎo)體相比,氧化的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后者,其禁帶寬度達(dá)到4.9eV,高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

氮化發(fā)展評(píng)估

DARPA提出WBST計(jì)劃以來(lái),氮化已經(jīng)走過了較長(zhǎng)的發(fā)展歷程,現(xiàn)在已成為微波和射頻行業(yè)的前沿。它的成本結(jié)構(gòu)已經(jīng)與傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)持平,當(dāng)兩種競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)成本相同的時(shí)候,性能高者將主宰市場(chǎng)。MACOM等企業(yè)
2017-08-15 17:47:34

氮化的卓越表現(xiàn):推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

數(shù)據(jù)已證實(shí),硅基氮化符合嚴(yán)格的可靠性要求,其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅氮化(GaN-on-SiC)替代技術(shù)。 硅基氮化成為射頻半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)之時(shí)正值商用無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展
2018-08-17 09:49:42

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗。  但硅肖特基二極管也有個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

的器件上。此類產(chǎn)品當(dāng)然有一席之地,但在撰寫本文時(shí),SiC的產(chǎn)品種類并不存在,半導(dǎo)體供應(yīng)商更關(guān)注SiC而不是GaN。這也是由于SiC的工藝在很多方面與Si工藝非常相似,并且機(jī)器可以用于兩種材料,這顯然是一
2023-02-24 15:03:59

碳化硅氮化的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

電磁性。因碳化硅是一共價(jià)鍵化合物,原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng),它具有以下一些獨(dú)特的性能,因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比,故在相似的功率等級(jí)下,SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

,3000多種產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無(wú)線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域,2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向,與很多公司的氮化采用碳化硅(SiC)做襯底
2017-09-04 15:02:41

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

對(duì)比  我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較一下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)在相同條件下
2023-02-27 16:14:19

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化發(fā)展技術(shù)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化發(fā)展技術(shù)編號(hào):JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻

碳化硅的各種蝕刻劑,包括水性無(wú)機(jī)酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)中有多種應(yīng)用,包括缺陷裝飾、通過產(chǎn)生特征凹坑或小丘識(shí)別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對(duì)于氮化
2021-10-14 11:48:31

為何碳化硅氮化更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是氮化(GaN)?

氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年,無(wú)論是吊打碳化硅,還是PK砷化氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

一步提升電源效率。針對(duì)上述情況,解決方案有以下兩種?! 》桨敢唬簩GBT單管上反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管換成基本半導(dǎo)體的“零反向恢復(fù)”的碳化硅肖特基二極管(碳化硅 SBD),這種組合起來(lái)封裝的器件,稱之為
2023-02-28 16:48:24

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

家族中的新成員。  相較于前代二極管,基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航??! 』?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品?! ≡摦a(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝,采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?! 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品  基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低
2023-02-27 16:03:36

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

誰(shuí)發(fā)明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。 首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中,長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位,并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

半導(dǎo)體的未來(lái)超級(jí)英雄:氮化碳化硅的奇幻之旅

半導(dǎo)體氮化
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-08-29 09:37:38

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化(GaN)的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1236743

采用碳化硅氮化材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅氮化器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
2018-08-17 02:33:007744

氮化晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)槠洳牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比有諸多的優(yōu)點(diǎn),如圖1
2020-09-07 09:56:5921878

2021年將是氮化+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化+碳化硅PD 方案的批量與國(guó)產(chǎn)氮化碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提高2個(gè)百分點(diǎn)以上。
2021-04-01 09:23:262124

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅氮化兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,碳化硅材料突破了創(chuàng)傳統(tǒng)硅
2021-11-13 09:58:013184

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

回顧2021年國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅氮化同屬于第三代半導(dǎo)體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅氮化相比,碳化硅的耐壓等級(jí)更高,可使用的平臺(tái)也更廣。尤其是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來(lái)越多的車企認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。
2022-01-26 10:43:143816

氮化(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里?

氮化(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長(zhǎng)使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。
2022-04-01 11:05:195310

淺談碳化硅半導(dǎo)體大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:044200

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771

碳化硅的下一波浪潮

功率半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)節(jié)能世界的關(guān)鍵。碳化硅氮化等新技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率效率、更小的外形尺寸和更輕的重量。尤其是碳化硅是一寬帶隙材料,能夠克服傳統(tǒng)硅基功率器件的限制。
2022-08-04 17:30:09795

碳化硅、氮化:注意帶隙

近年來(lái),碳化硅(SiC)和氮化(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認(rèn)
2022-08-05 14:51:331182

氮化晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品多方面的對(duì)比與分析

氮化晶體管和碳化硅 MOSFET是近三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化晶體管
2022-11-02 16:13:065427

碳化硅(SiC)與氮化(GaN)

一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅氮化就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅氮化在整個(gè)電子市場(chǎng)上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:3516399

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165682

碳化硅氮化器件的特點(diǎn)差異

  碳化硅(SiC)和氮化(GaN)被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙半導(dǎo)體具有更高的擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:342592

什么是硅基氮化 氮化碳化硅的區(qū)別

 硅基氮化技術(shù)是一氮化器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中,由于氮化薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:553

用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化編號(hào):JFKJ-21-1173作者:華林科納 一直在使用碳化硅碳化硅)襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu),針對(duì)278nm深紫
2023-02-21 09:21:581

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720

第四代半導(dǎo)體制備連獲突破,氧化將與碳化硅直接競(jìng)爭(zhēng)?

此外,氧化的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍,理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為碳化硅3倍多,可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示,氧化的損耗理論上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化的1/3。
2023-03-20 11:13:121879

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅氮化無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:531209

什么是碳化硅半導(dǎo)體

硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺(Ge)是另一半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化 (GaAs)、氮化 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:144445

工程師難之氮化GaN還是碳化硅SiC?到底該pick誰(shuí)?

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)槠洳牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比有諸多的優(yōu)點(diǎn),如圖1所示。
2023-06-07 14:43:013949

碳化硅晶圓對(duì)半導(dǎo)體的作用

 如今砷化、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域,碳化硅、和氮化等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:231215

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

納微半導(dǎo)體氮化碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),納微也不斷開發(fā)氮化碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場(chǎng)。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934

氮化碳化硅誰(shuí)將贏得寬帶隙之戰(zhàn)?

氮化碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位,它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
2023-08-07 14:22:082323

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體碳化硅氮化為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541658

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅氮化射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

氮化碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎,氮化MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)樗鼈兊牟牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點(diǎn)。 氮化
2023-10-07 16:21:182776

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

碳化硅氮化哪個(gè)好

碳化硅氮化的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料,但是碳化硅氮化在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:514542

?第三代半導(dǎo)體碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化、碳化硅氮化等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:204441

氮化半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184061

碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:523996

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求,以碳化硅、氮化為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:492367

碳化硅氮化的未來(lái)將怎樣共存

在這個(gè)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時(shí)代,半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景無(wú)疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料,比如碳化硅(SiC)和氮化(GaN),因其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正成為行業(yè)內(nèi)的熱門話題。
2024-04-07 11:37:111454

納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國(guó)紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“納微芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716

CNBC對(duì)話納微CEO,探討下一代氮化碳化硅發(fā)展

近日,納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對(duì)話,分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的需求下,下一代氮化碳化硅將迎來(lái)怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343

氮化(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)氮化是一晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988

碳化硅氮化哪種材料更好

引言 碳化硅(SiC)和氮化(GaN)是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率等極端環(huán)境下的電子器件
2024-09-02 11:19:473434

氮化碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢(shì)

氮化(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)者優(yōu)勢(shì)的比較: 氮化(GaN)的優(yōu)勢(shì) 高頻應(yīng)用性能優(yōu)越 : 氮化具有較高
2024-09-02 11:26:114884

碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252049

日本企業(yè)加速氮化半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)

日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化(GaN)功率半導(dǎo)體器件,旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化碳化硅(SiC)在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)激烈,但氮化因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021757

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一無(wú)機(jī)物
2024-11-29 09:30:051573

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352665

納微半導(dǎo)體氮化碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19961

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