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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

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2025-12-22 17:32:00408

采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動(dòng)著對(duì)高性能功率器件的需求不斷增長,應(yīng)用場景日益多樣,這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料,如碳化硅 (SiC) 和氮化 (GaN) 的采用,因其在效率、功率密度和可靠性方面的顯著優(yōu)勢,正助推著這一需求。
2025-12-22 15:35:004826

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基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
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誕生以來最深刻的變革。在“雙碳”戰(zhàn)略(碳達(dá)峰、碳中和)的宏觀敘事下,能源的獲取、傳輸、轉(zhuǎn)換與利用效率成為了工業(yè)文明升級(jí)的核心指標(biāo)。這一,被業(yè)界廣泛定義為中國碳化硅(Silicon Carbide, SiC)產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)元年,不僅標(biāo)志著技術(shù)路線的成熟,更意味著供應(yīng)鏈國產(chǎn)化
2025-12-13 14:23:42251

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博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06564

怎么測量碳化硅?臺(tái)階儀 0.5mg測力解決易損、干涉測量難題

在半導(dǎo)體制造圈,這幾年大家談?wù)撟疃嗟哪^于“第三代半導(dǎo)體”——SiC(碳化硅)和GaN(氮化)。我們都在談?wù)搶捊麕Р牧蠋淼母吣蛪?、高頻性能。但對(duì)于身處Fab廠一線工藝或從事量測設(shè)備的工程師來說
2025-12-11 15:33:570

傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率
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傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來趨勢綜合技術(shù)評(píng)述

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高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

  相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:0337

探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
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羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新

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2025-09-29 14:35:1812442

AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來兩大新需求:AI眼鏡市場爆發(fā),推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在下一代Rubin GPU中,將用碳化硅中介層
2025-09-26 09:13:556423

[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向

一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指標(biāo),其精確測量對(duì)保障碳化硅器件性能至關(guān)重要
2025-09-22 09:53:361555

Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五中,我們
2025-09-22 09:31:47654

【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645

基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03980

碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機(jī)制研究

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2025-09-11 11:56:41619

Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)志著 Wolfspeed 加速行業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型的使命邁出關(guān)鍵一步。
2025-09-11 09:12:541414

碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討碳化硅功率器件的性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及未來發(fā)展趨勢。
2025-09-03 17:56:411428

數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關(guān)性能優(yōu)勢,在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求,以優(yōu)化碳化硅器件的開關(guān)性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅(qū)動(dòng),但許多常見的驅(qū)動(dòng)器可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)性能下降。
2025-09-03 17:54:014443

碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:016755

碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。
2025-08-27 16:17:431255

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401082

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02551

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量過程,深入探究表面粗糙度對(duì)測量結(jié)果的影響機(jī)制,通過理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 測量方法、提升測量準(zhǔn)確性提供
2025-08-18 14:33:59454

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

摘要 本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中存在的精度問題,深入分析影響測量精度的因素,從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升策略,旨在為提高碳化硅襯底 TTV 測量準(zhǔn)確性
2025-08-12 13:20:16777

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

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2025-07-15 15:00:19960

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2025-07-11 09:12:482948

博世碳化硅技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機(jī).jpg,火速去內(nèi)部打探消息——結(jié)果只想說一句:別慌,博世還在,且蓄勢待發(fā)!這樣精彩的舞臺(tái),怎會(huì)少了博世這位心動(dòng)嘉賓。
2025-07-04 09:46:01907

超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

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博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室介紹

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,20251月,在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測試實(shí)驗(yàn)室,旨在面向本土市場,提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗(yàn)證能力,助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561064

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

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2025-06-24 17:26:28492

簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

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2025-06-18 17:24:241466

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí),幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
2025-06-13 09:34:061290

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28536

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代
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SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

基于芯干線氮化碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,憑借高功率密度與能效優(yōu)勢,正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562488

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 09:22:591506

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型,碳化硅(SiC)功率器件以其優(yōu)越的性能,正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的各類應(yīng)用中,SiC
2025-05-29 17:32:311082

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC
2025-05-10 13:38:19860

PD 20W氮化單電壓應(yīng)用方案概述

深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,協(xié)議338E。輸入規(guī)格:180V-264V 50Hz,輸出規(guī)格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256

基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

基于氮化碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器

對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著
2025-05-08 11:08:401153

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章,本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)
2025-04-30 18:21:20759

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇,特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深入探討碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用及其優(yōu)勢。
2025-04-27 14:13:32899

碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅(SiC)項(xiàng)目問題

作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師,我的日??偫@不開碳化硅(SiC)器件的雙脈沖測試。三前用傳統(tǒng)差分探頭測上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開關(guān)動(dòng)作時(shí),屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形,讓我誤以為
2025-04-15 14:14:16

低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化硅逆變焊機(jī)新興品類直接推向“早衰”。若放任亂象
2025-04-14 07:02:35650

除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化GaN,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)
2025-04-14 05:58:12946

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
2025-04-02 11:40:190

派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討碳化硅器件的主要性能優(yōu)勢,并提供在實(shí)際應(yīng)用中的設(shè)計(jì)選型指南。
2025-03-19 16:59:401045

碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A

碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善,國產(chǎn)SiC碳化硅
2025-03-13 11:12:481580

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09896

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)單管及模塊
2025-03-07 09:17:271320

博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于20251月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步,也進(jìn)一步提升了本土市場的響應(yīng)速度,增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競爭力。
2025-03-06 18:09:291113

CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

)的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場,其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢。2018特斯拉采用碳化硅后,Wolfspeed市值一度飆升,但此后因技術(shù)迭代緩慢、成本高企及中國企業(yè)的競爭,市值暴
2025-03-05 07:27:051295

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291399

碳化硅行業(yè)觀察:2025SiC功率器件廠商大洗牌

2025碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢,其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績”成為企業(yè)生存基礎(chǔ)的核心邏輯,與碳化硅器件
2025-02-26 07:08:491286

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長和對(duì)可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111608

納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381783

國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

碳化硅行業(yè)觀察:國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024以來多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉,國內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

碳化硅SiC的光學(xué)優(yōu)勢及應(yīng)用

碳化硅(SiC)在大口徑光學(xué)反射鏡上的應(yīng)用,主要得益于其高比剛度、優(yōu)異熱穩(wěn)定性和寬光譜響應(yīng)等特性,成為空間觀測、深空探測等領(lǐng)域的核心材料。以下是關(guān)鍵應(yīng)用進(jìn)展與技術(shù)突破:一、材料優(yōu)勢1.輕量化與高剛度
2025-02-22 14:40:372197

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

本文作者:Brandon Becker,安森美(onsemi)電源解決方案事業(yè)部 (PSG) 營銷經(jīng)理 電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化高電子遷移率晶體管(GaN HEMT
2025-02-22 13:55:371073

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)
2025-02-13 21:56:24913

BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件
2025-02-12 06:41:45947

高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

納微半導(dǎo)體氮化碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081232

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會(huì)
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù),從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等,會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價(jià)鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
2025-01-24 09:15:483085

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢

碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342728

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiC)是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導(dǎo)體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132592

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

直接導(dǎo)致了消費(fèi)級(jí)GaN充電器價(jià)格偏高,目前市面上的氮化充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進(jìn)來,相信技術(shù)會(huì)越來越成熟,成本下降只是時(shí)間問題。 在充電協(xié)議上,GaN 充電頭目前以PD協(xié)議
2025-01-15 16:41:14

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇,將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。
2025-01-09 10:31:47915

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48916

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個(gè)重要環(huán)節(jié),它可以提高
2025-01-06 14:51:09392

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