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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

什么是LLC電源拓?fù)?盤點(diǎn)那些LLC架構(gòu)100W氮化鎵快充

什么是LLC電源拓?fù)?LLC架構(gòu)屬于雙管半橋諧振，采用諧振電感、勵(lì)磁電感和諧振電容串聯(lián)，故名LLC。采用零電壓開關(guān)（ZVS）軟開關(guān)技術(shù)，具有工作頻率高、...

2021-09-19 標(biāo)簽：氮化鎵 LLC 電源拓?fù)?/a> 1.4萬 0

納微半導(dǎo)體CTO登場(chǎng)SEMICON Taiwan 2021大會(huì)，介紹氮化鎵技術(shù)

　氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。

2021-09-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 1.9k 0

ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

工程師想要說服管理者采用GaN，就必須證明GaN的價(jià)值主張。理論參數(shù)固然重要，但決策者更看重現(xiàn)實(shí)價(jià)值。展示電路性能是設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)解決這一挑戰(zhàn)的方法之一。

2021-09-07 標(biāo)簽：手機(jī)充電器 ST 氮化鎵 1.4k 0

紅魔6S Pro怎么樣？紅魔6spro最新消息正式發(fā)布165Hz刷新率+航天相變散熱材料

最近關(guān)于未成年人游戲防沉迷規(guī)定引起了熱聊，然而在下半年的手機(jī)發(fā)布熱潮中，游戲手機(jī)紅魔在今天下午三點(diǎn)發(fā)布了新款設(shè)備紅魔 6S Pro，發(fā)布會(huì)前期雖然也透露...

2021-09-06 標(biāo)簽：智能手機(jī)AMOLED 氮化鎵 3.6k 0

百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）“充電五分鐘，通話兩小時(shí)”這句廣告語可能是很多人對(duì)快充最開始的認(rèn)識(shí)，在以前很多手機(jī)廠商為實(shí)現(xiàn)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航，只會(huì)一味地增加手...

2021-09-06 標(biāo)簽：氮化鎵快充 5.6k 0

Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險(xiǎn)。

2021-08-30 標(biāo)簽：功率二極管 emc 氮化鎵 2.1k 0

《巴倫周刊》專訪納微半導(dǎo)體CEO：氮化鎵功率芯片行業(yè)將開啟光明未來

納微半導(dǎo)體正在與特殊目的收購公司Live Oak Acquisition Corp. II進(jìn)行合并上市流程。

2021-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵電動(dòng)車充電器功率半導(dǎo)體 1.4k 0

小米納微三度攜手，小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布！

小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用...

2021-08-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 2.7k 0

?？怂闺娨暸_(tái)專訪納微半導(dǎo)體CEO：納微氮化鎵技術(shù)走向世界

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2021-08-24 標(biāo)簽：氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.8k 0

福布斯專訪納微半導(dǎo)體：談氮化鎵在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用

納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。

2021-08-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器汽車電子 2.2k 0

聯(lián)想YOGA CC130，開啟大功率快充時(shí)代

聯(lián)想 YOGA CC130 雙口 GaN 適配器，同時(shí)使用了四顆納微 GaNFast 氮化鎵芯片。從產(chǎn)品拆解圖來看，YOGA CC130 適配器主板的...

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GaN越來越重要的原因有哪些

在早前于四川成都舉辦的 2021 中國(guó)西部微波射頻技術(shù)研討會(huì)上，Qorvo 基礎(chǔ)建設(shè)事業(yè)部高級(jí)銷售經(jīng)理 Kevin He 發(fā)表了一個(gè)題為《基于5G 基站...

2021-08-13 標(biāo)簽：氮化鎵 5G Qorvo 2.5k 0

氮化鎵跟普通充電器有什么區(qū)別

1、氮化鎵是什么？是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2021-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵 9.7萬 0

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實(shí)現(xiàn)高能效移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)

減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)主要目標(biāo)，其中每一點(diǎn)效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一...

2021-07-05 標(biāo)簽：恩智浦氮化鎵 GaN 1.6k 0

騰訊專訪納微副總裁查瑩杰：電源架構(gòu)與材料，即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變

在采訪中，查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展，納微半導(dǎo)體的使命以及未來發(fā)展的方向。

2021-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1.7k 0

國(guó)博電子科創(chuàng)板IPO再進(jìn)一程！

近日，招商證券在中國(guó)證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)披露關(guān)于南京國(guó)博電子股份有限公司（下稱“國(guó)博電子”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作總結(jié)的報(bào)告。這意味著，繼1月份輔...

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Microchip推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器

GMICP2731-10器件有助于保持信號(hào)保真度，讓地面站在不影響信號(hào)質(zhì)量的情況下進(jìn)行高射頻電平的傳輸。

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探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來，因?yàn)?5G 的應(yīng)用，大家對(duì)射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。小編也認(rèn)為，GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...

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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案

GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。

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快充時(shí)代下的氮化鎵方案，英飛凌CoolGaN IPS面向30W至500W應(yīng)用

于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶（WBG）功率半導(dǎo)體媒體溝通會(huì)上，英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級(jí)應(yīng)用的這一系列新品。英...

2021-06-09 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 Infineon 7.9k 0

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深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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