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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

國(guó)外廠商推出00W氮化鎵充電器,約合人民幣480元

  2月2日消息報(bào)道,國(guó)外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器,2A2C,外觀只有一副紙牌大小,電源效率達(dá)到了95%。

2020-02-03 標(biāo)簽:電源充電器氮化鎵 5.3k 0

ZENDURE推出30W SuperHub氮化鎵超級(jí)擴(kuò)展塢 充電器與擴(kuò)展塢二合一

擴(kuò)展塢的輸入接口設(shè)計(jì)在了背后,接口類型為常見(jiàn)的8字線輸入口,同時(shí)底部還加入了防滑墊的設(shè)計(jì),保障擴(kuò)展塢工作時(shí)的穩(wěn)定不滑動(dòng)。

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基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的EPC9144演示板具備快速轉(zhuǎn)換性能

EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用,提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達(dá)28 ...

2020-01-16 標(biāo)簽:電路板晶體管氮化鎵 3.8k 0

淺析氮化鎵能為你提供什么

您可能沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)氮化鎵(GaN,gallium nitride),但氮化鎵(GaN,gallium nitride)正在迅速成為智能手機(jī)領(lǐng)域中越來(lái)越重要...

2020-01-19 標(biāo)簽:智能手機(jī)半導(dǎo)體氮化鎵 4.3k 0

Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機(jī)的最新電源

首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn),其客戶AES ...

2019-12-19 標(biāo)簽:氮化鎵GaNAES 2k 0

GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵的下一個(gè)性能飛躍

這評(píng)估板的優(yōu)勢(shì)包括顯著減小損耗、重量、尺寸(布板尺寸可減小達(dá)80%)和系統(tǒng)成本(可節(jié)省達(dá)60%的BOM成本),非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...

2019-11-29 標(biāo)簽:晶體管安森美半導(dǎo)體氮化鎵 6.3k 0

Nexperia推出了一款適用于電動(dòng)汽車中的Nexperia氮化鎵器件

GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開(kāi)關(guān)切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高...

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Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。

2019-11-22 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵Nexperia 2.6k 0

2019年,氮化鎵(GaN)方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”

隨著2019年5G的正式布局,高效化和智能化已經(jīng)成為每一個(gè)照明企業(yè)都無(wú)法回避的問(wèn)題,各大企業(yè)紛紛布局,通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)。其中氮化鎵(GaN)的方案與技術(shù)...

2020-03-28 標(biāo)簽:電源氮化鎵type-c 2k 0

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶嘉興科技城 總投資25億元

11月7日,氮化鎵(GaN)射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶嘉興科技城。區(qū)委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗,嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟,浙江博方嘉...

2019-11-08 標(biāo)簽:集成電路氮化鎵 7.6k 0

耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目 利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局

11月6日,耐威科技發(fā)布公告稱,其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議,擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵(GaN)晶圓制造項(xiàng)目。

2019-11-07 標(biāo)簽:氮化鎵耐威科技 5.9k 0

遼寧百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè) 總投資達(dá)15億元

據(jù)盤錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)報(bào)道,近日,遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè),這距離該項(xiàng)目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個(gè)月時(shí)間。

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Anker新品發(fā)布會(huì)上推出多款充電周邊產(chǎn)品

10月24日下午消息,Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會(huì),發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。

2019-10-24 標(biāo)簽:充電器氮化鎵移動(dòng)電源 4.9k 0

氮化鎵充電器與普通充電器有什么區(qū)別

重度依賴手機(jī)已經(jīng)成為一種社會(huì)常態(tài),很多人每天打開(kāi)屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無(wú)數(shù)人患上了“電量焦慮”,插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器,...

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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì),能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。

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Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷協(xié)議

Transphorm Inc.今天宣布,它已與貿(mào)澤電子(Mouser Electronics Inc.)簽署全球分銷協(xié)議,授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷其最新的半...

2019-09-19 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅貿(mào)澤電子 1.4k 0

OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無(wú)線VOOC閃充 技術(shù)亮點(diǎn)全揭曉!

2019年9月17日,OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無(wú)線VOOC閃充。據(jù)O...

2019-09-18 標(biāo)簽:適配器OPPO氮化鎵 1.2萬(wàn) 1

耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目正式投產(chǎn) 將打造世界級(jí)氮化鎵材料公司

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)投資建設(shè)...

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聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展

重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。

2019-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 5.7k 0

新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位

新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位

氮化鎵(GaN)作為半導(dǎo)體第三代材料,近年來(lái)高頻進(jìn)入業(yè)界視野。各大IC廠商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域,源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導(dǎo)率等特性,確立了其在...

2019-09-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ic氮化鎵 4.8k 0

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