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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>2019年,氮化鎵(GaN)方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”

2019年,氮化鎵(GaN)方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”

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2025-05-07 17:58:32673

氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化電源ic U8765!
2025-04-29 18:12:02942

氮化電源芯片U8726AHE產(chǎn)品介紹

EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點,為此氮化電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值,可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流,進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度,系統(tǒng)設(shè)計者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。
2025-04-28 16:07:21719

氮化技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計:硅與GaN器件的比較分析

通過重新設(shè)計基于氮化(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍,減少了體積和重量,同時實現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS,我們
2025-04-22 11:35:39866

直擊AI服務(wù)器電源痛點!英諾賽科4.2KW氮化方案在2025慕展驚艷登場

發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比,氮化的功率密度可達 30W/mm,是硅的150倍,開關(guān)頻率提升 10 倍以上,可使電源適配器體積縮小 60%?!?西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當(dāng)前,GaN作為種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年
2025-04-21 09:10:422407

創(chuàng)晶合:從GaN材料到器件研發(fā),打造三大應(yīng)用競爭力

。 ? 蘇州創(chuàng)晶合科技是家專注于大功率氮化GaN)器件制造、應(yīng)用方案設(shè)計的高科技企業(yè),致力于通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新,為全球客戶提供高性能、高可靠性的氮化解決方案。 ? 創(chuàng)晶合的氮化功率器件主要聚焦在大功率領(lǐng)域。使用其母
2025-04-16 15:12:491442

氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W

氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U8722FE,推薦最大輸出功率65W,集成MOS
2025-04-10 16:30:58665

ZS826GaN+ZS7606C 高性價比氮化DMOSGaN 20WPD快充方案推薦+測試報告

氮化20WPD快充方案
2025-04-10 11:06:04731

氮化單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下代突破

單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?;跈M向氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場
2025-04-09 10:57:40895

330W氮化方案,可過EMC

氮化
深圳市三佛科技發(fā)布于 2025-04-01 11:31:39

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

科在中國的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 (簡稱ST)與8英寸高性能低成本硅基氮化GaN-on-Si)制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽科 ,共同宣布簽署了氮化技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023806

CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化GaN)FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10

330W氮化方案CE65H110DNDI

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)330W氮化方案CE65H110DNDI,原裝現(xiàn)貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47

30W氮化電源IC U8608的工作原理

30W氮化電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能,通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位,可以減少電磁干擾(EMI),優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機功耗。具體來了解下!
2025-03-28 13:36:48797

GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案

GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046941

氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054784

京東方華燦光電氮化器件的最新進展

日前,京東方華燦的氮化研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請,分享了關(guān)于氮化器件的最新進展,引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化GaN技術(shù)逐漸成為新代電子器件的熱點,其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526

氮化GaN)功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量

介紹了氮化GaN)功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用,對比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172081

CGD官宣突破性技術(shù):以創(chuàng)新性氮化解決方案撬動超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場

氮化功率器件、以創(chuàng)新技術(shù)簡化環(huán)保節(jié)能電子系統(tǒng)設(shè)計的無晶圓廠環(huán)保技術(shù)半導(dǎo)體企業(yè)。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化
2025-03-11 10:57:26884

氮化技術(shù)推動電動汽車電源設(shè)計革新!

電動汽車設(shè)計師致力于通過提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求,使電動汽車更輕量化、自動化,并配備更小電池。借助氮化(GaN)汽車級功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進展,電動汽車的能
2025-03-03 11:41:561005

氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計技術(shù)手冊免費下載

氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 、引言 ? 應(yīng)用場景 ?:并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合,如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103

氮化GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

什么是氮化GaN)充電頭?氮化充電頭是種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334530

氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

什么是氮化GaN)充電頭?氮化充電頭是種采用氮化(GalliumNitride,GaN)半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基(Si)充電器,GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491181

40W ACDC系列氮化電源模塊 HLK-40Mxx系列

海凌科40WACDC系列氮化電源模塊,具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點,轉(zhuǎn)換效率高達91%,應(yīng)用廣泛,性價比高。、產(chǎn)品介紹40WACDC系列氮化電源
2025-02-24 12:02:321020

高頻低損耗大電流電感 氮化電源方案設(shè)計理想之選

CSBA系列通過采用低損耗金屬磁粉芯材料和優(yōu)化的線圈結(jié)構(gòu),進步降低磁芯損耗和電阻損耗,從而提升氮化電源的整體效率。例如,在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源中,低損耗電感可減少能源浪費,符合綠色節(jié)能的發(fā)展趨勢。
2025-02-20 10:50:171008

混合式氮化VCSEL的研究

在混合式氮化?VCSEL?的研究,2010本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化?VCSEL,此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431084

芯片行業(yè)再迎投資熱潮

2024,芯片行業(yè)進行了大量資本投資,以建設(shè)新的晶圓廠和設(shè)施,或擴建現(xiàn)有工廠。許多工廠專門用于生產(chǎn)碳化硅(SiC)、氮化GaN)、DRAM、HBM(高帶寬存儲器),以及OAST的封裝和組裝
2025-02-18 15:38:59732

垂直氮化器件的最新進展和可靠性挑戰(zhàn)

過去兩年中,氮化雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對垂直氮化未來的擔(dān)憂。為此,在本文中,我們先對氮化未來的發(fā)展進行分析,并討論了垂直氮化器件開發(fā)的最新進展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014

目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域

作用。 *附件:中電壓氮化GaN)在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢.pdf 背景 :隨著技術(shù)發(fā)展,電力需求攀升,設(shè)計人員面臨提升設(shè)計效率、在相同體積下提供更多電力的挑戰(zhàn)。GaN 因具有增加功率密度和提升效率兩大優(yōu)勢,在高電壓電源設(shè)計中得到應(yīng)用,新的中電壓(80V - 200V)GaN 解決方案也逐漸受到歡迎
2025-02-14 14:12:441222

GAN039-650NBB氮化(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:10:220

Nexperia共源共柵氮化(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型

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2025-02-13 15:23:257

GAN041-650WSB氮化(GaN)FET規(guī)格書

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2025-02-13 14:24:192

GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANE3R9-150QBA氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 08:30:510

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551177

聞泰科技深耕氮化推動產(chǎn)業(yè)升級

隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體——氮化GaN)正迎來前所未有的發(fā)展機遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年,憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,創(chuàng)造新的價值增量。
2025-02-10 17:15:041127

GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GANB4R8-040CBA雙向氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-10 16:22:371

氮化電源芯片方案介紹

氮化電源芯片U8621是款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021105

深圳銀聯(lián)寶科技氮化芯片2025持續(xù)發(fā)力

深圳銀聯(lián)寶科技氮化芯片2025持續(xù)發(fā)力氮化芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域,設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)強大的信號傳輸功能,氮化芯片就能憑借這特性,滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919

納微半導(dǎo)體氮化和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081232

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化器件
2025-01-23 16:27:431780

測量探頭的 “溫漂” 問題,都是怎么產(chǎn)生的,以及對于氮化襯底厚度測量的影響

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中,氮化GaN)襯底作為新代芯片制造的核心支撐材料,正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而,氮化襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449

測量探頭的 “溫漂” 問題,對于氮化襯底厚度測量的實際影響

在半導(dǎo)體制造這微觀且精密的領(lǐng)域里,氮化GaN)襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石,正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而,氮化襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404

不同的氮化襯底的吸附方案,對測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中,氮化GaN)襯底宛如顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,在眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件、功率器件等方向,開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而,要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420

氮化襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中,氮化GaN)襯底正憑借其優(yōu)異的性能,如高電子遷移率、寬禁帶等特性,在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角,成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化襯底而言,其
2025-01-16 14:33:34366

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

垂直和橫向氮化(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們將總結(jié)種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228

氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化快充充電器之后,“氮化”這名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14

氮化電源芯片和同步整流芯片介紹

氮化電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如對默契的搭檔,通過緊密配合,顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中,氮化電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力,能夠迅速地切換電路狀態(tài),實現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733

2025功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢洞察

趨勢:碳化硅(SiC)與氮化GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,SiC
2025-01-08 16:32:155035

英諾賽科登陸港交所,氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場

近日,全球氮化(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化晶圓的公司,其在
2025-01-06 11:29:141123

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