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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 SiC 氮化鎵 2.2k 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和...

2023-08-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體功率器件 1.2k 0

為什么不用SiC來(lái)做IGBT？未來(lái)是否會(huì)大規(guī)模的使用SiC來(lái)做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 2k 0

氮化鎵和碳化硅誰(shuí)將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標(biāo)簽：led照明充電器氮化鎵 2.6k 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 SiC 6.1k 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 晶圓 3.1k 0

碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過(guò)程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.9k 0

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢(shì)

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說(shuō)明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

2023-08-04 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 2.1k 0

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-03 標(biāo)簽：振蕩器電磁干擾 BGA封裝 875 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。

2023-08-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 946 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

在高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2.8k 0

光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車(chē)的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開(kāi)關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢(shì)，有助...

2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFET 光伏光伏發(fā)電 966 0

碳化硅（SiC）芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(pán)(Source pad)，柵極焊盤(pán)(Gate Pad)和開(kāi)爾文源極焊盤(pán)(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 芯片設(shè)計(jì)SiC 2.4k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 3.5k 0

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面

2023-07-30 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)電機(jī)控制器功率器件 2.2k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅，也稱(chēng)為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.8k 0

電子設(shè)備越來(lái)越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡(luò)容易產(chǎn)生問(wèn)題。為緩解這些問(wèn)題，電源設(shè)計(jì)需要先進(jìn)的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來(lái)滿足嚴(yán)格...

2023-08-02 標(biāo)簽：功率因數(shù)PFC SiC 4k 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽：二極管 emi SiC 1.1k 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下）

比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。

2023-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 7k 0

全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對(duì)我國(guó)有何啟示

寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度和強(qiáng)的抗輻射等特性，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下，近年來(lái)持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

2023-07-24 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET 變頻器 1.4k 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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