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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件在車載充電機OBC中的應用2

OBC作為新能源汽車的核心部件之一，其效率、功率密度等參數(shù)對新能源汽車充電時間和續(xù)航里程具有一定影響。在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下，更高的功...

2023-02-03 標簽：新能源汽車碳化硅 OBC 1.6k 0

碳化硅功率器件在車載充電機OBC中的應用1

隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進步，提升新能源汽車續(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務之一。在動力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下，降低車用部件重量是提...

2023-02-03 標簽：動力電池功率碳化硅 847 0

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應用？

碳化硅屬于第三代半導體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點，可應用于 1200 伏特以上的高壓、嚴苛環(huán)境，可廣泛應用于風電、鐵路等大型交通...

2023-02-03 標簽：逆變器半導體材料碳化硅 1k 0

碳化硅SBD反向恢復特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標簽：SBD SiC 碳化硅 1.5k 0

簡述碳化硅材料特點及優(yōu)勢

碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標簽：功率半導體硅材料碳化硅 3.6k 0

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別（下）

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...

2023-02-03 標簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 2.8k 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標簽：SiC 飛機碳化硅 550 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1.4k 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應用。

2023-02-03 標簽：變頻器電力電子 SiC 1.6k 0

碳化硅二極管在各個領(lǐng)域的應用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標簽：肖特基二極管半導體材料 SiC 921 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應用中的關(guān)鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應用采納，特別是電動汽車，以應對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 能源 1.4k 0

中科院物理研究所實現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發(fā)展的趨勢。

2023-02-03 標簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.9k 0

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度...

2023-02-03 標簽：電阻率碳化硅導電率 6.7k 0

電機碳化硅技術(shù)指標是什么碳化硅國家技術(shù)標準介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領(lǐng)域得到廣泛的應用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標簽：電動車 SiC 碳化硅 6.4k 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標簽：SiC 金剛石碳化硅 4.4k 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標簽：芯片半導體材料 SiC 3.1萬 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 4.7k 0

中科院物理研究所探索用一種新的方法生長碳化硅晶體

碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳...

2023-01-31 標簽：碳化硅 1k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優(yōu)點，可以實現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...

2023-01-31 標簽：半導體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0

高功率半導體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場應用驅(qū)動下，半導體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導體激光器的熱管理提出了更高的...

2023-01-30 標簽：半導體激光器封裝 3.8k 0

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