中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
4626 高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-10 14:10:191675 嚴(yán)重供不應(yīng)求。增加產(chǎn)能的有效方法就是提高襯底尺寸，目前碳化硅襯底尺寸正在從6英寸往8英寸發(fā)展。 ? 全球最大的碳化硅襯底供應(yīng)商Wolfspeed，今年4月剛剛開始在全球首個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠試產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底可以向客戶供貨。8英寸
2022-09-07 07:56:003503 空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距，另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中，無論是從市場(chǎng)需求，還是
2023-12-12 01:35:002680 英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:11:31830 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
2024-11-21 00:01:005497 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日，由西湖大學(xué)孵化的西湖儀器成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。 ? 碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓
2025-04-16 00:24:002842 替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場(chǎng)是功率器件，但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng)，除了技術(shù)原因之外，市場(chǎng)需求也是其中的關(guān)鍵。 ? 6英寸碳化硅襯底只能滿足兩副
2025-09-26 09:13:556424 的12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37809 我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
，更好地促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)合。”在多個(gè)場(chǎng)合，白春禮都曾反復(fù)表示，為了中國LED的未來，中科院愿意先行嘗試?！ ?月12日，在白春禮等人的推動(dòng)下，中科院邀請(qǐng)了研究所和企業(yè)的代表，召開半導(dǎo)體照明工作
2012-07-18 11:31:19
中科院計(jì)算技術(shù)研究所副所長(zhǎng)包云崗介紹了目前全球性能最高的開源高性能RISC-V處理器核項(xiàng)目“香山”。他指出，計(jì)算技術(shù)研究所對(duì)標(biāo)ARM Cortex-A72，已于2021年成功研制出第一代“香山
2023-05-28 08:43:00
與團(tuán)隊(duì)合作精神；5. 有研發(fā)團(tuán)隊(duì)的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所）相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇，年底有項(xiàng)目獎(jiǎng)金； 符合泉州市及所屬縣（市、區(qū)）相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗(yàn)；4.動(dòng)手能力強(qiáng)，善于學(xué)習(xí)溝通，吃苦耐勞，有團(tuán)隊(duì)合作精神； 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都
2018-11-29 14:43:52
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高，但依然面臨三項(xiàng)社會(huì)問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動(dòng)電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手，但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，其實(shí)是電動(dòng)汽車。電動(dòng)汽車應(yīng)用之所以對(duì)碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
散電感是碳化硅封裝的一種技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。然而，實(shí)現(xiàn)碳化硅封裝技術(shù)的突破并大規(guī)模應(yīng)用，還需要開展大量的工作，以下列舉一些核心挑戰(zhàn)以及前景展望：1）低雜散電感封裝結(jié)構(gòu)綜合性能的進(jìn)一步研究驗(yàn)證。例如封裝結(jié)構(gòu)
2023-02-22 16:06:08
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開通穩(wěn)定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
中科院微電子研究所研制成功40GHz靜態(tài)分頻器
近日，中科院微電子研究所四室InP HBT 小組研制成功基于InP/InGaAs DHBT工藝的靜態(tài)分頻器，測(cè)試
2009-03-18 14:49:491153 中科院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗(yàn)室（籌）光物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王兵兵副研究員、傅盤銘研究員及其合作者發(fā)展了非微擾量子電動(dòng)力學(xué)（QED）理論處理強(qiáng)場(chǎng)中電離電子的重
2010-07-14 16:49:251508 簡(jiǎn)介:中國科學(xué)院高能物理研究所（以下簡(jiǎn)稱高能所）的前身是創(chuàng)建于1950年的中科院近代物理研究所，1973年在原子能研究所一部的基礎(chǔ)上組建而成。現(xiàn)有在編職工1145人，其中科技人員842人，研究生導(dǎo)師221人（其中兩院院士10人，博士生導(dǎo)師110人）。高能所在學(xué)研
2011-02-23 22:07:42
0 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-11 14:50:594189 據(jù)中央紀(jì)委國家監(jiān)委網(wǎng)報(bào)道，目前，中國電科山西碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實(shí)現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn)，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗(yàn)證，預(yù)計(jì)年底達(dá)到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用與國際水平相當(dāng)。 此外，中電科
2020-06-09 18:58:422884 中科院上海技術(shù)物理研究所在 太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器方面的研究進(jìn)展 太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器（THz-QCL）是材料科學(xué)、能帶工程與微納光子學(xué)的完美結(jié)合體，是太赫茲波段極具競(jìng)爭(zhēng)力的緊湊型激光
2021-06-18 15:02:442826 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度約2 mm的8英寸碳化硅晶片
2022-05-07 09:41:352888 最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。
2022-09-07 09:29:443278 傳感新品 【中科院大連化學(xué)物理研究所：提出基于功能化紙基比色傳感器的農(nóng)殘快檢新策略】 近日，中科院大連化學(xué)物理研究所化學(xué)傳感器研究組(106組)馮亮研究員團(tuán)隊(duì)在紙基光化學(xué)傳感器的信號(hào)放大研發(fā)中取得
2023-01-12 01:21:141771 碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10973 6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161372 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:001561 6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:291695 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:35:561588 8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)
2022-02-22 09:21:591322 6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子
2022-01-04 16:34:331227 6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:442024 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:241378 6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:23:451361 6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:291442 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:11:561715 6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》第６章
2022-01-06 09:17:331568 6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-01-04 14:10:561468 第１章導(dǎo)論１.１電子學(xué)的進(jìn)展１.2碳化硅的特性和簡(jiǎn)史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質(zhì)2.4總結(jié)2.3熱學(xué)和機(jī)械特性2.2.6擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質(zhì)摻雜
2022-05-09 17:19:455767 
的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.1氧化速率
2022-01-05 13:59:371219 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:09:122491 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2021-12-31 14:25:521329 8.1.4比通態(tài)電阻8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征
2022-02-20 16:16:461520 6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2021-12-31 10:57:221931 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:081668 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6
2021-12-31 10:31:171681 8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:281484 特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧
2022-01-07 14:24:251164 5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 從實(shí)際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底？
2023-06-20 15:01:243320 
隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展，國內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣，并與國內(nèi)企業(yè)合作，積極追趕更先進(jìn)的8英寸工藝節(jié)點(diǎn)。
2023-07-10 15:21:242655 碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推動(dòng)，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國內(nèi)外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導(dǎo)體、三星和三菱電機(jī)等都宣布參與8英寸碳化硅生產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)。
2023-07-14 16:22:581831 采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:314324 
近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授李傳鋒、教授許金時(shí)、研究員王俊峰（現(xiàn)四川大學(xué)）等合作，在國際上首次實(shí)現(xiàn)了基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位量子磁探測(cè)。該
2023-08-23 09:39:331458 前來看，在未來一段時(shí)間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35598 2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166 三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
2023-10-25 14:55:041652 環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅（SiC）需求，現(xiàn)在情況超出預(yù)期，她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:431115 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535133 
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:311666 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:291418 為了解決難題，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室采用的是提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法，成功生長(zhǎng)出直徑為6英寸（即150 mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100 mm。
2024-04-29 17:40:301874 
近日，芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線，這一里程碑事件標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國內(nèi)首家成功開啟8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)的廠家。此項(xiàng)技術(shù)的突破不僅體現(xiàn)了芯聯(lián)集成在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，也展示了其對(duì)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展的堅(jiān)定決心。
2024-05-27 10:57:491312 5月27日，中國半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標(biāo)志著國產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元，預(yù)計(jì)全面投產(chǎn)
2024-05-30 11:24:522315 
英飛凌于近期宣布，其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè)，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠。無獨(dú)有偶，安森美、意法半導(dǎo)體、羅姆等國際巨頭紛紛投入8英寸
2024-08-16 16:48:361306 
英寸和8英寸晶圓，可實(shí)現(xiàn)增加產(chǎn)量的同時(shí)，降低成本。 2024年10月16至18日，ASM先晶半導(dǎo)體亮相于深圳舉辦的首屆灣芯展（SEMiBAY 2024）。在國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇上，ASM推出了最新推出的適用于碳化硅外延的新型雙腔機(jī)臺(tái)PE2O8。該產(chǎn)品專為滿足先進(jìn)碳化硅功率器
2024-10-17 14:21:26514 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 
近日，晶馳機(jī)電開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長(zhǎng)晶爐順利通過客戶驗(yàn)證，設(shè)備穩(wěn)定性和工藝穩(wěn)定性均滿足客戶需求。 ? 8英寸碳化硅晶驗(yàn)收晶錠 技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)未來 此次推出的8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐
2025-01-09 11:25:33891 
端快速實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)突破，公司8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測(cè)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶，12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售出貨并拓展了新客戶，相關(guān)設(shè)備訂單持續(xù)增長(zhǎng)。 ? ? 6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出
2025-02-22 15:23:221830 近年來，以大規(guī)模預(yù)訓(xùn)練模型為代表的人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展，為科研創(chuàng)新提供了全新范式。中科院高能物理研究所依托正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)等大科學(xué)裝置，積累了海量高價(jià)值實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，如何高效利用數(shù)據(jù)、加速成果產(chǎn)出，成為研究所面臨的核心課題。
2025-05-06 15:19:01756 9月8日消息，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，于近日在碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備，成功完成了12英寸碳化硅晶圓的剝離操作。這一成果不僅填補(bǔ)
2025-09-10 09:12:481432 作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性，有助于優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，提升外延片質(zhì)量，推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
二、碳化硅外延片生長(zhǎng)工藝參數(shù)分析
2025-09-18 14:44:40645 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）英飛凌在8月8日宣布，其位于馬來西亞的新工廠一期項(xiàng)目正式啟動(dòng)運(yùn)營，這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠，一期項(xiàng)目投資額高達(dá)20億歐元，重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體
2024-08-12 09:10:335264
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