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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

Wolfspeed榮獲2024年電源行業(yè)配套品牌兩項大獎

由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”于 2024 年 12 月 7 日在深圳隆重舉辦?；顒又荚谕ㄟ^客觀、真實(shí)、公開的評選方式，評選出電源...

2024-12-10 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅 Wolfspeed 1.3k 0

萬年芯：芯片管制再升級，國產(chǎn)替代已是必然

近期，美國對華芯片管制政策再次升級，新增140家實(shí)體名單，對中國半導(dǎo)體施加了更多限制。對此，中方也強(qiáng)硬回?fù)?，對鎵、鍺、銻、超硬材料、石墨等關(guān)鍵原料進(jìn)行反...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.4k 0

浮思特 | 碳化硅驅(qū)動電機(jī)的總擁有成本——總體情況

在各種應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功之后，碳化硅準(zhǔn)備進(jìn)入競爭激烈的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動市場。碳化硅功率模塊的實(shí)際好處不僅僅局限于效率提升。對比兩種電機(jī)驅(qū)動類型可以看到在各...

2024-12-05 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅工業(yè)電機(jī) 1.4k 0

意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。

2024-12-05 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體功率模塊碳化硅 1.3k 0

安富利攜手安森美推動風(fēng)光儲充一體化發(fā)展

隨著碳中和目標(biāo)持續(xù)推進(jìn)，新能源發(fā)展已進(jìn)入全新的階段，風(fēng)能、光能作為新能源領(lǐng)域的先鋒力量，正在以快速的增長態(tài)勢推動這場綠色能源革命。為破解新能源消納瓶頸，...

2024-12-04 標(biāo)簽：太陽能安富利能源 1.6k 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用

能源危機(jī)和環(huán)境污染問題日益凸顯，節(jié)能減排已成為全球的重要議題。在能源轉(zhuǎn)換和電力傳輸領(lǐng)域，碳化硅功率器件作為一種新興的高性能器件，展現(xiàn)出了巨大的潛力。其高...

2024-12-04 標(biāo)簽：功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 1.1k 0

芯聯(lián)集成為蔚來樂道L60供應(yīng)碳化硅模塊

近日，蔚來旗下全新品牌樂道推出了其首款車型——樂道L60。作為同級別車型中的佼佼者，樂道L60采用了全域900V高壓平臺架構(gòu)，并搭載了蔚來自研的1200...

2024-12-02 標(biāo)簽：碳化硅蔚來芯聯(lián)集成 1.3k 0

碳化硅的未來發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能，正逐漸成為電子器件領(lǐng)域的重要材...

2024-11-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電子器件半導(dǎo)體材料 1.6k 0

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽能光伏碳化硅材料在太陽能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，碳化硅可以作為...

2024-11-29 標(biāo)簽：新能源轉(zhuǎn)換器機(jī)械 2k 0

碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢，其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分...

2024-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光伏碳化硅 1.8k 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 7.4k 0

碳化硅外延技術(shù)：解鎖第三代半導(dǎo)體潛力

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝碳化硅 2.8k 0

安森美三大碳化硅解決方案賦能電動汽車充電效率提升

習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車車主們，難免會對新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時間和續(xù)航能力。然而，隨著充電技術(shù)的不斷提升，特...

2024-11-26 標(biāo)簽：新能源汽車安森美安富利 1.5k 0

PI亮相2024德國慕尼黑電子展

在剛剛結(jié)束的德國慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...

2024-11-26 標(biāo)簽：PI 氮化鎵碳化硅 1.3k 0

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性：寬帶隙：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)大于硅（Si）的1.12eV，這...

2024-11-25 標(biāo)簽：探測器光電器件 SiC 2.7k 0

碳化硅SiC在電動車中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）在電動車中的應(yīng)用主要集中在電力電子系統(tǒng)方面，以下是對其在電動車中具體應(yīng)用的分析：一、電動車充電設(shè)備在電動車充電設(shè)備中，碳化硅主要用于...

2024-11-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動車電子系統(tǒng) 2.5k 0

碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

碳化硅（SiC）在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色，這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析：一、高溫穩(wěn)定性碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...

2024-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 碳化硅 4.7k 0

碳化硅SiC制造工藝詳解碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比

碳化硅SiC制造工藝詳解碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟，以下是對SiC制造工藝的詳細(xì)介紹：原材料選擇與預(yù)處理...

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碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為...

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碳化硅SiC材料應(yīng)用碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 3.3k 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項目。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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