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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場(chǎng)景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。

2024-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.8k 0

Wolfspeed問題究竟出在哪里?

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Wolfspeed的市值與其在碳化硅市場(chǎng)的地位和形象嚴(yán)重不符。從本質(zhì)上講,其市場(chǎng)主導(dǎo)地位并未反映在市場(chǎng)估值中。

2024-03-13 標(biāo)簽:SiC碳化硅Wolfspeed 1.6k 0

芯動(dòng)半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體在深圳簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議

長(zhǎng)城汽車零部件董事長(zhǎng)鄭立朋、芯動(dòng)半導(dǎo)體總經(jīng)理姜佳佳,意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery,執(zhí)行副總裁、中國(guó)區(qū)總裁曹志平,中國(guó)區(qū)市場(chǎng)...

2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體直流變換器 1.4k 0

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 1.3k 0

英飛凌推出新一代碳化硅MOSFET溝槽柵技術(shù)

在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌SiC碳化硅 1.5k 0

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Gene...

2024-03-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 1.7k 0

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展

碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MO...

2024-03-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 2.2k 0

新能源汽車性能提升的催化劑:碳化硅技術(shù)

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在新能源汽車的多個(gè)性能指標(biāo)中,電力電子系統(tǒng)尤為關(guān)鍵,它決定了電能的有效管理和利用。而在電力電子系統(tǒng)的核心部件中,碳化硅(SiC)功率模塊以其出色的熱穩(wěn)定...

2024-03-08 標(biāo)簽:新能源汽車電能碳化硅 2k 0

董明珠:格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。

2024-03-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 3.9k 0

8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座

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近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈,最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個(gè)成本結(jié)構(gòu)中占...

2024-03-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶圓 2.3k 0

碳化硅功率模塊:未來電力電子行業(yè)的變革者

碳化硅功率模塊:未來電力電子行業(yè)的變革者

功率模塊有好幾種類型,常見的比如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率模塊。IGBT適合于高電...

2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率模塊碳化硅 1.6k 0

深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。

2024-03-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體碳化硅 1.5k 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng):消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)

除了智能手機(jī),通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽:智能手機(jī)SiC氮化鎵 2.1k 0

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制

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2024年3月5日,上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要,已經(jīng)順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),公司名稱正式變更為:上...

2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2k 0

瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證

在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下,高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場(chǎng)的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)憑借其...

2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅瞻芯電子 2.3k 0

中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格下滑,國(guó)際供應(yīng)商仍為主要采購(gòu)源

據(jù)該知情人士透露,來自中國(guó)電動(dòng)車生產(chǎn)商及全球各地芯片制造巨頭的訂單,目前無法滿足國(guó)內(nèi)碳化硅供應(yīng)商對(duì)產(chǎn)能的需求。部分中國(guó)企業(yè)雖然承諾會(huì)加強(qiáng)本土供應(yīng)鏈采購(gòu),...

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瞻芯電子完成股份改制,變更公司名稱,聚焦碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展

上海瞻芯電子科技有限公司為順應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展的需求,近期已順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局的核準(zhǔn)。此次改制后,公司名稱正式變更為上海瞻芯...

2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅瞻芯電子 2.6k 0

中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格驟降,外資企業(yè)仍主導(dǎo)市場(chǎng)

盡管部分中國(guó)企業(yè)計(jì)劃加大本土供應(yīng)鏈采購(gòu)力度以降低成本,然而考慮到安全性和可靠性問題,一些電動(dòng)汽車制造商可能不會(huì)完全依賴或提高本土供應(yīng)份額,從而使得實(shí)際自...

2024-03-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車供應(yīng)鏈碳化硅 1.3k 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元,SiC等占45%

功率半導(dǎo)體2035年市值將達(dá)77,757億日元,SiC等占45%

此次調(diào)查針對(duì)功率半導(dǎo)體18項(xiàng)、零部件材料20項(xiàng)、制造設(shè)備19項(xiàng)。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其...

2024-03-06 標(biāo)簽:SiC碳化硅Qorvo 1.6k 0

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    Arduino
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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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  • 華星光電
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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