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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

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納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC體二極管 1.9k 0

碳化硅市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)即將打響,供應(yīng)鏈廠商普遍認(rèn)為價(jià)格處于下降趨勢(shì)

環(huán)球晶圓(GlobalWafers)首席執(zhí)行官徐秀蘭指出,碳化硅降價(jià)源于兩方面,即全球六寸晶圓供應(yīng)增加以及電動(dòng)汽車需求減緩。此外,山東天岳先進(jìn)(SICC...

2024-05-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 1.9k 0

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

特斯拉下一代平臺(tái)點(diǎn)亮碳化硅產(chǎn)業(yè)變革新方向

其中,在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅器件主要用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC和充電樁。2017年,特斯拉率先在其Model3車型上使用碳化硅器件,以簡(jiǎn)化供電...

2023-04-24 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 1.9k 0

碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

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隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來(lái),第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC,SiliconCarb...

2025-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.9k 0

碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分...

2024-11-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光伏碳化硅 1.9k 0

Soitec受邀亮相APCSCRM 2025并發(fā)表主題演講

在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2...

2025-12-13 標(biāo)簽:碳化硅SOITEC 1.9k 0

使用碳化硅(SiC)來(lái)應(yīng)對(duì)空調(diào)和熱泵的高溫挑戰(zhàn)

使用碳化硅(SiC)來(lái)應(yīng)對(duì)空調(diào)和熱泵的高溫挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)憑借前所未有的效率、增強(qiáng)的耐用性和在最惡劣環(huán)境中的卓越性能,正在改變熱泵和空調(diào)行業(yè)。SiC驅(qū)動(dòng)模塊的解決方案可以滿足新的、更嚴(yán)格的能效規(guī)...

2024-07-08 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件冷卻系統(tǒng) 1.9k 0

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國(guó)方創(chuàng)新領(lǐng)投,國(guó)中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長(zhǎng)石資本...

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SBD 1.9k 0

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。

2022-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETIGBT 1.9k 0

瑞能半導(dǎo)體SiC MOSFET系列產(chǎn)品所具有的優(yōu)勢(shì)介紹

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從汽車到可再生能源,碳化硅(SiC)的一系列場(chǎng)景應(yīng)用正在改變電力電子領(lǐng)域。

2024-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.9k 0

山東粵海金與山東有研半導(dǎo)體正式簽署碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議

1月23日,山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》,該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢(shì),創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式,共同...

2024-01-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 1.9k 0

當(dāng)碳化硅遇見(jiàn)新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界

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該方案采用簡(jiǎn)單高效率的無(wú)橋功率因數(shù)校正電路,適用于鈦金級(jí)AC/DC 交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片,而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制,無(wú)需編...

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1.9k 0

6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本...

2021-12-31 標(biāo)簽:碳化硅 1.9k 0

意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代...

2024-10-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.9k 0

天津工業(yè)大學(xué)李龍女:基于***的平面型封裝1700V碳化硅模塊開(kāi)發(fā)與性能表征

SiC/GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)、高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗和高工作溫度當(dāng)前亟需針對(duì)SiC器件/模塊的先進(jìn)封裝,需要?jiǎng)?chuàng)新低寄生/雜散阻抗、高散熱效率的...

2023-08-08 標(biāo)簽:芯片功率模塊碳化硅 1.9k 0

一文講透英飛凌碳化硅Easy模塊

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迄今為止,英飛凌1200VCoolSiCMOSFETM1HEasy模塊系列的很多產(chǎn)品已經(jīng)正式推出。錯(cuò)過(guò)了IPAC碳化硅Easy模塊直播間的小伙伴們有福啦...

2024-05-16 標(biāo)簽:英飛凌easy碳化硅 1.9k 0

國(guó)內(nèi)外突破:三種新工藝方案引領(lǐng)8英寸SiC生產(chǎn)降本增效

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的高溫、高頻、高壓特性而備受關(guān)注,尤其是在電動(dòng)汽車、電力傳輸、高頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。然而,SiC的生產(chǎn)...

2024-06-17 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.9k 0

派恩杰入選2022杭州市準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)榜單

8 月底,由《商業(yè)周刊/中文版》CITYLAB 主辦的“前瞻·典范·思想?yún)R”系列沙龍活動(dòng)在杭州西子湖四季酒店拉開(kāi)帷幕。

2022-09-02 標(biāo)簽:碳化硅獨(dú)角獸派恩杰 1.9k 0

直面第三代半導(dǎo)體痛點(diǎn) 多位重磅專家齊聚深圳

直面第三代半導(dǎo)體痛點(diǎn) 多位重磅專家齊聚深圳

國(guó)內(nèi)一流專家匯聚!直擊第三代半導(dǎo)體“卡脖子”問(wèn)題!行業(yè)盛會(huì)不容錯(cuò)過(guò)~ 從全球范圍看,先進(jìn)半導(dǎo)體作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石,供需矛盾突出。而我國(guó)在當(dāng)前嚴(yán)峻的國(guó)...

2023-03-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.9k 0

產(chǎn)能提高五倍!三菱電機(jī)宣布投資建8吋SiC工廠

新增投資的主要部分,約 1000 億日元,將用于建設(shè)新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區(qū)的自有設(shè)施,將生產(chǎn)大直...

2023-03-17 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC碳化硅 1.9k 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    CC2541
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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