二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 1.5k 0

用于化學(xué)分析應(yīng)用的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。

2022-03-11 標(biāo)簽：材料蝕刻微機(jī)械 1.1k 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅...

2022-03-11 標(biāo)簽：傳感器晶圓蝕刻 918 0

二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報(bào)告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標(biāo)簽：材料蝕刻晶片 2.3k 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響

我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀(guān)察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...

2022-03-10 標(biāo)簽：算法蝕刻原理 737 0

半導(dǎo)體器件制造中的蝕刻技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過(guò)這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個(gè)能夠抵抗蝕刻過(guò)程的掩模定義，其創(chuàng)建過(guò)...

2022-03-10 標(biāo)簽：晶圓蝕刻器件 5.6k 0

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

通過(guò)使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀(guān)結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會(huì)在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異...

2022-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3.6k 0

250℃電子束沉積ITO和HCl濕法蝕刻的方法說(shuō)明

目的： 客戶(hù)希望我們用電子束蒸發(fā)器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時(shí)薄膜厚度為100 nm時(shí)，薄膜厚度大于100 W/square。 樣品...

2022-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.6k 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過(guò)在11...

2022-03-09 標(biāo)簽：晶體材料蝕刻 887 0

使用酸性溶液對(duì)硅晶片進(jìn)行異常各向異性蝕刻

在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過(guò)使用六氟硅酸(也稱(chēng)為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...

2022-03-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)蝕刻晶片 1.2k 0

硅晶片的酸刻蝕實(shí)驗(yàn)分析

已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動(dòng)力學(xué)阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，...

2022-03-08 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1.4k 0

HF溶液中二氧化硅刻蝕機(jī)理實(shí)驗(yàn)

在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過(guò)電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過(guò)程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場(chǎng)...

2022-03-07 標(biāo)簽：電位器實(shí)驗(yàn)蝕刻 2.7k 0

HF、HNO3和H2O體系中硅的化學(xué)刻蝕實(shí)驗(yàn)

本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動(dòng)力學(xué)作為蝕刻劑組成的函數(shù)。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域，蝕刻...

2022-03-07 標(biāo)簽：蝕刻測(cè)量函數(shù) 4.3k 0

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻劑通過(guò)掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過(guò)無(wú)掩模濕法各向異...

2022-03-07 標(biāo)簽：集成電路封裝蝕刻 1k 0

硅堿性蝕刻中的絕對(duì)蝕刻速率

在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過(guò)光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....

2022-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1.9k 0

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見(jiàn)解。強(qiáng)調(diào)了電流效...

2022-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2.1k 0

濕法蝕刻工藝的作用：可有效去除金屬氧化物

摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過(guò)多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實(shí)驗(yàn)和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...

2022-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2.4k 0

用蝕刻法對(duì)金屬陶瓷薄膜進(jìn)行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對(duì)這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過(guò)50%的靶濺射時(shí)，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標(biāo)簽：電阻裝置蝕刻 886 0

HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對(duì)硅表面質(zhì)量的影響

引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤(pán))等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...

2022-02-24 標(biāo)簽：蝕刻硅材料 4.3k 0