InGaN量子阱方面優(yōu)勢顯著。然而，半極性薄膜在異質(zhì)外延中面臨晶體質(zhì)量差、應(yīng)力各向異性等挑戰(zhàn)。Flexfilm全光譜橢偏儀可以非接觸對薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣
2025-12-31 18:04:27
3563 
工藝通過獨特的“刻蝕-鈍化”循環(huán)，實現(xiàn)了高深寬比、各向異性的微結(jié)構(gòu)加工，廣泛應(yīng)用于微機電系統(tǒng)（MEMS）、深硅刻蝕及硅通孔（TSV）制造等領(lǐng)域。
2025-12-26 14:59:47218 
?O?+H?O）：去除有機污染物和顆粒，通過堿性環(huán)境氧化分解有機物。稀氫氟酸（DHF）處理：選擇性蝕刻殘留氧化物，暴露新鮮硅表面，改善后續(xù)薄膜附著性。SC-2溶液（
2025-12-23 10:22:11134 
二維過渡金屬硫族化合物ReS?和ReSe?因其晶體結(jié)構(gòu)中的“錸鏈”而具備顯著的面內(nèi)光學(xué)各向異性，在偏振敏感光電器件中展現(xiàn)出重要潛力。然而，其微米級樣品在可見光波段沿不同晶軸的關(guān)鍵光學(xué)參數(shù)（如折射率
2025-12-17 18:02:57342 SPM（硫酸-過氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標準化步驟及技術(shù)要點：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26392 
的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本研究提出一種新方法：利用各向異性襯底打破橢偏分析中n,k,d的參數(shù)耦合。模擬結(jié)果表明，該方法可在單次測量中
2025-12-08 18:01:31237 鈣鈦礦/硅疊層電池是光伏領(lǐng)域的重要方向，但現(xiàn)有高性能疊層電池多以“溶液法”制備鈣鈦礦，需定制硅底電池（如拋光、適配金字塔尺寸），與工業(yè)主流>1μm隨機金字塔紋理硅不兼容；全紋理鈣鈦礦/硅疊層
2025-12-05 09:02:23820 
運行代碼進行分離，使得程序更加模塊化；另一方面，C++的異常處理可以不需要異常處理在異常發(fā)生時的同一個函數(shù)，而是可以在更上層合適的位置進行處理。
下面，我們一起來看看C++的異常處理。
2、異常處理
2025-12-02 07:12:01
在電力系統(tǒng)中，線路保護光纖通道是保障電網(wǎng)安全穩(wěn)定運行的核心環(huán)節(jié)。然而，受環(huán)境、設(shè)備老化或人為操作等因素影響，光纖通道異常時有發(fā)生，可能導(dǎo)致保護裝置誤動或拒動，引發(fā)嚴重后果。本文將系統(tǒng)梳理線路保護光纖
2025-11-17 10:01:18624 
濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時間管理及材料特性等因素，具體如下： 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系（BOE）：采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置，pH值控制在3-5
2025-11-11 10:28:48269 清洗晶圓以去除金屬薄膜需要根據(jù)金屬類型、薄膜厚度和工藝要求選擇合適的方法與化學(xué)品組合。以下是詳細的技術(shù)方案及實施要點：一、化學(xué)濕法蝕刻（主流方案）酸性溶液體系稀鹽酸（HCl）或硫酸（H?SO?）基
2025-10-28 11:52:04363 
硅片酸洗過程的化學(xué)原理主要基于酸與硅片表面雜質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)，通過特定的酸性溶液溶解或絡(luò)合去除污染物。以下是其核心機制及典型反應(yīng)：氫氟酸（HF）對氧化層的腐蝕作用反應(yīng)機理：HF是唯一能高效蝕刻
2025-10-21 14:39:28438 
SC2溶液通常不建議重復(fù)使用，主要原因如下：污染物累積導(dǎo)致效率下降SC2溶液（典型配方為HCl:H?O?:H?O）在清洗過程中會逐漸溶解金屬離子、顆粒物及其他雜質(zhì)。隨著使用次數(shù)增加，溶液中的污染物
2025-10-20 11:21:54407 
行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在深刻改變多個行業(yè)的工作方式。自動蝕刻機通過利用金屬對電解作用的反應(yīng)，能夠精確地將金屬進行腐蝕刻畫，從而制作出高精度的圖紋、花紋及幾何形狀產(chǎn)品
2025-10-15 10:13:18229 
晶圓蝕刻過程中確實可能用到硝酸鈉溶液，但其應(yīng)用場景較為特定且需嚴格控制條件。以下是具體分析：潛在作用機制氧化性輔助清潔：在酸性環(huán)境中（如與氫氟酸或硫酸混合），硝酸鈉釋放的NO??離子可作為強氧化劑
2025-10-14 13:08:41203 
的活化能曲線確定最佳反應(yīng)溫度區(qū)間。例如，酸性溶液（如H?SO?/H?O?混合液）通常在70–85℃時反應(yīng)速率顯著提升，可加速有機物碳化分解；而堿性溶液（如NH?OH
2025-09-28 14:16:48345 
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點及其實現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
復(fù)合材料的力學(xué)性能指標與其 “多相、各向異性” 的結(jié)構(gòu)特性密切相關(guān)，需針對性評估其承載、變形、斷裂等核心能力；而力學(xué)測試則需結(jié)合材料特性（如纖維方向、基體類型）和應(yīng)用場景（如航空、建筑）選擇標準方法，確保數(shù)據(jù)的準確性和工程適用性。
2025-09-18 10:28:321899 
的晶體結(jié)構(gòu)賦予其顯著的各向異性，在 TTV 厚度測量過程中，各向異性效應(yīng)會導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)偏差，影響測量準確性。深入研究各向異性效應(yīng)并探尋有效的修正算法，是提升碳化硅 TT
2025-09-16 13:33:131573 
通常需要檢測與印刷電路板 (PCB) 平行或水平的磁場，這是一種稱為面內(nèi)的檢測方向。 最常用的面內(nèi)磁性開關(guān)是各向異性磁阻 (AMR)、隧道磁阻 (TMR) 和簧片開關(guān)。AMR 和 TMR 的工作原理是依據(jù)磁場的角度和幅度更改電阻率?；善_關(guān)由兩塊封裝在玻璃管中的鐵磁金屬構(gòu)
2025-09-12 17:48:3220507 
的通信能力的支持，以提升車輛性能、舒適性和安全性。芯片行業(yè)的關(guān)鍵進展之一是芯粒(小晶片)技術(shù)的橫空出世。芯粒(小晶片)具有靈活、可擴展且經(jīng)濟高效的特點，能將多種技術(shù)集
2025-09-12 16:08:00524 
鈣鈦礦/硅疊層電池是光伏領(lǐng)域的重要方向，但現(xiàn)有高性能疊層電池多以“溶液法”制備鈣鈦礦，需定制硅底電池（如拋光、適配金字塔尺寸），與工業(yè)主流>1μm隨機金字塔紋理硅不兼容；全紋理鈣鈦礦/硅疊層
2025-09-12 09:03:511419 
原理、成本結(jié)構(gòu)到應(yīng)用選型，為您提供系統(tǒng)性、深度的比較分析。 ” ? 1、技術(shù)原理的根本差異 1.1 減成法工藝 (Subtractive Process) 加成法工藝以覆銅板為基材，通過化學(xué)蝕刻（如酸性或堿性溶液）去除不需要的銅層，從而保留設(shè)計好的電路圖形。
2025-09-10 11:14:068194 
?）、石墨化殘留物及金屬雜質(zhì)，開發(fā)多組分混合酸液體系。例如，采用HF/HNO?/HAc緩沖溶液實現(xiàn)各向同性蝕刻，既能有效去除損傷層又不引入表面粗糙化。通過電化學(xué)阻抗譜監(jiān)測
2025-09-08 13:14:28621 
利用 AI 算法進行裝置數(shù)據(jù)異常檢測，需結(jié)合工業(yè)裝置的數(shù)據(jù)特性（如實時性、多源性、強時序性、噪聲干擾）和業(yè)務(wù)需求（如故障預(yù)警、安全合規(guī)、工藝優(yōu)化），通過 “數(shù)據(jù)預(yù)處理 - 算法選型 - 模型部署
2025-09-05 15:27:001421 
清洗芯片時使用的溶液種類繁多，具體選擇取決于污染物類型、基材特性和工藝要求。以下是常用的幾類清洗液及其應(yīng)用場景：有機溶劑類典型代表：醇類（如異丙醇）、酮類（丙酮）、醚類等揮發(fā)性液體。作用機制：利用
2025-09-01 11:21:591000 
磁編碼器作為現(xiàn)代工業(yè)自動化系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，其精度和可靠性直接影響著數(shù)控機床等高端裝備的性能表現(xiàn)。基于各向異性磁阻（AMR）效應(yīng)的MT6701磁編碼器，憑借其獨特的物理特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計，在數(shù)控機床主軸
2025-08-29 16:32:26732 
隨著消費電子產(chǎn)品向著更輕薄、更智能、一體化和高性能化的方向發(fā)展，傳統(tǒng)加工技術(shù)已難以滿足其日益精密的制造需求。激光蝕刻技術(shù)，特別是先進的皮秒激光蝕刻，以其非接觸、高精度、高靈活性和“冷加工”等優(yōu)勢
2025-08-27 15:21:50891 
圣邦微電子推出 VCE275X 系列軸心磁編碼器芯片。器件基于各向異性磁阻（AMR）技術(shù)，結(jié)合優(yōu)化的 CMOS 精細調(diào)理電路，可實現(xiàn) 14 位有效分辨率的 360° 磁場角度檢測。該系列提供多種輸出
2025-08-25 09:24:484153 
圣邦微電子推出 VCE2755，一款基于各向異性磁阻（AMR）技術(shù)的高度集成旋轉(zhuǎn)磁編碼器芯片。該器件可應(yīng)用于各種典型的需要角度位置反饋和速度檢測的應(yīng)用場景。
2025-08-21 11:51:501346 
在材料科學(xué)與光學(xué)技術(shù)交織的前沿領(lǐng)域，液晶聚合物正逐漸嶄露頭角，成為備受矚目的“明星材料”，其融合液晶的光學(xué)各向異性與聚合物的加工優(yōu)勢，從高清顯示屏到光通信網(wǎng)絡(luò)，它通過精準調(diào)控光線賦能顯示技術(shù)升級
2025-08-15 14:01:26
0 通過利用Thermal EMMI(熱紅外顯微鏡）去檢測IGBT 樣品異常
2025-08-15 09:17:351665 
石墨材料因其獨特的層狀晶體結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)出很高的本征導(dǎo)熱性能，廣泛應(yīng)用于電子器件散熱、熱管理材料、新能源電池等領(lǐng)域。準確測量石墨材料的導(dǎo)熱系數(shù)（尤其是各向異性特性）對其性能優(yōu)化與應(yīng)用設(shè)計至關(guān)重要。傳統(tǒng)
2025-08-12 16:05:04687 
AMR（各向異性磁阻）磁性編碼器在人形機器人領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值，主要得益于其高精度、耐用性和環(huán)境適應(yīng)性。以下是其關(guān)鍵應(yīng)用場景及優(yōu)勢分析：1.關(guān)節(jié)運動控制精準角度測量AMR編碼器通過檢測磁鐵隨關(guān)節(jié)旋轉(zhuǎn)的磁場變化，提供高分辨率（可達16位以上）的角度反饋，確保關(guān)節(jié)運動的精確性（誤差
2025-08-12 12:04:01760 
制造工藝的深刻理解，將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合，為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝：高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257 
摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657 濕法刻蝕通常是各向同性的（即沿所有方向均勻腐蝕），但在某些特定條件下也會表現(xiàn)出一定的各向異性。以下是其產(chǎn)生各向異性的主要原因及機制分析：晶體結(jié)構(gòu)的原子級差異晶面原子排列密度與鍵能差異：以石英為例
2025-08-06 11:13:571422 
）。例如，緩沖氧化物刻蝕液（BOE）通過添加NH?F穩(wěn)定反應(yīng)速率。復(fù)合酸體系（如HNO?+HF+HAc）可實現(xiàn)各向異性刻蝕，適用于形成特定角度的溝槽結(jié)構(gòu)。?濃度控制濃度
2025-08-04 14:59:281458 
大連義邦定向力感知壓感油墨Nanopaint，通過絲網(wǎng)印刷工藝可以實現(xiàn)高精度各向異性壓阻傳感，為智能系統(tǒng)裝上“觸覺神經(jīng)”。
2025-08-04 13:37:16614 
鈣鈦礦/硅疊層電池可突破單結(jié)電池效率極限，但半透明頂電池（ST-PSC）的ITO濺射會引發(fā)等離子體損傷。傳統(tǒng)ALD-SnO?緩沖層因沉積速率慢、成本高制約產(chǎn)業(yè)化。本研究提出溶液法金屬氧化物納米顆粒
2025-08-04 09:03:361041 在材料科學(xué)與光學(xué)技術(shù)交織的前沿領(lǐng)域，液晶聚合物正逐漸嶄露頭角，成為備受矚目的“明星材料”，其融合液晶的光學(xué)各向異性與聚合物的加工優(yōu)勢，從高清顯示屏到光通信網(wǎng)絡(luò)，它通過精準調(diào)控光線賦能顯示技術(shù)升級
2025-07-22 13:35:421468 
過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因其獨特的激子效應(yīng)、高折射率和顯著的光學(xué)各向異性，在納米光子學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大潛力。本研究采用Flexfilm全光譜橢偏儀結(jié)合機械剝離技術(shù)，系統(tǒng)測量了多種多層TMD薄膜
2025-07-21 18:17:46848 ，形成所需的電路或結(jié)構(gòu)（如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等）。材料去除：通過化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻：依賴等離子體或離子束（如ICP、R
2025-07-15 15:00:221224 
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622 
酸性溶液清洗劑的濃度選擇需綜合考慮清洗目標、材料特性及安全要求。下文將結(jié)合具體案例，分析濃度優(yōu)化與工藝設(shè)計的關(guān)鍵要點。酸性溶液清洗劑的合適濃度需根據(jù)具體應(yīng)用場景、清洗對象及污染程度綜合確定，以下
2025-07-14 13:15:021721 
算法進行異常檢測，并結(jié)合LightGBM作為主分類器，構(gòu)建完整的欺詐檢測系統(tǒng)。文章詳細闡述了從無監(jiān)督異常檢測到人工反饋循環(huán)的完整工作流程，為實際業(yè)務(wù)場景中的風(fēng)險控
2025-06-24 11:40:051267 
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 
特殊工藝(如高溫鍵合、濺射、電鍍等)形成金屬導(dǎo)電層(通常為銅箔)，并經(jīng)激光蝕刻、鉆孔等微加工技術(shù)制成精密電路的電子封裝核心材料。它兼具陶瓷的優(yōu)異物理特性和金屬的導(dǎo)電能力，是高端功率電子器件的關(guān)鍵載體。下面我們將通過基本原理及特性、工藝對比、工藝價值等方向進行拓展。
2025-06-20 09:09:451530 晶體的定義與特性晶體是一種在自然界中廣泛存在的物質(zhì)形態(tài)，它由原子、分子或離子按照一定的規(guī)律在三維空間中周期性重復(fù)排列形成。這種有序的排列方式賦予了晶體獨特的性質(zhì)，尤其是各向異性，即晶體在不同方向
2025-06-17 15:40:11651 
各向異性導(dǎo)電膠（Anisotropic Conductive Adhesive, ACA）是一種特殊的導(dǎo)電膠，其導(dǎo)電性能具有方向性，即熱壓固化后在一個方向上（通常是垂直方向）具有良好的導(dǎo)電性，而在另一個方向（如水平方向）則表現(xiàn)為絕緣性。這種特性使得ACA在電子封裝、連接等領(lǐng)域具有獨特的應(yīng)用價值。
2025-06-11 13:26:03711 
在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優(yōu)化測量探頭性能提供理論支撐。
耦合影響機制分析
材料
2025-06-11 09:57:28669 摘要
分層介質(zhì)組件用于對均質(zhì)(各向同性或各向異性)介質(zhì)的平面層序列進行嚴格而快速的分析。這種結(jié)構(gòu)在涂層應(yīng)用中特別有意義。在此用例中，我們將展示如何在VirtualLab Fusion中定義此類結(jié)構(gòu)
2025-06-11 08:48:04
? 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院金屬基復(fù)合材料全國重點實驗室郭益平課題組在面向多向力感知的柔性壓電傳感器研究中取得重要進展，研究成果以“Multiscale Interconnected and Anisotropic Morphology Genetic Piezoceramic Skeleton Based Flexible Self-Powered 3D Force Sensor”為題發(fā)表在Advanced Functional Materials上。（DOI: https://doi.org/10.1002/adfm.202503120） 柔性傳感器具有傳統(tǒng)剛性傳感器難以提供的穿戴舒適性和適形性，可以完美貼合人體皮膚或復(fù)雜曲面。其中，基于壓電效應(yīng)的柔性
2025-06-07 16:28:28534 
一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備，通過高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料（如硅片、氮化硅膜）的化學(xué)反應(yīng)，實現(xiàn)精準的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13
通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無法直接用于半導(dǎo)體芯片制造，需經(jīng)過機械加工、化學(xué)處理、表面拋光及質(zhì)量檢測等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關(guān)鍵工序，其加工效率與質(zhì)量直接影響整個芯片產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)產(chǎn)能。
2025-06-06 14:10:09715 
摘要
在半導(dǎo)體工業(yè)中，晶片檢測系統(tǒng)被用來檢測晶片上的缺陷并找到它們的位置。為了確保微結(jié)構(gòu)所需的圖像分辨率，檢測系統(tǒng)通常使用高NA物鏡，并且工作在UV波長范圍內(nèi)。作為例子，我們建立了包括高NA聚焦
2025-05-28 08:45:08
隨著智能電網(wǎng)建設(shè)的加速推進，智能電表作為電力系統(tǒng)末端計量設(shè)備，其防竊電能力和計量精度直接影響供電企業(yè)的經(jīng)濟效益。近年來，基于AMR（各向異性磁阻）效應(yīng)的無源式磁感測開關(guān)技術(shù)，正通過獨特的非接觸式檢測
2025-05-23 17:29:43985 什么是AMR？AMR是AnisotropicMagnetoResistance的縮寫，意為各向異性磁電阻。這是一種具有施加磁場后電阻減少功能的元件，其功能取決于磁力線相對于元件的方向（各向異性
2025-05-19 13:21:233551 直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會導(dǎo)電，沒有市場應(yīng)用價值，因此通過人為的摻雜進行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541255 
ADA4571-2是一款雙通道各向異性磁阻(AMR)傳感器，集成信號調(diào)理放大器和ADC驅(qū)動器。該器件產(chǎn)生模擬輸出，指示周圍磁場的角位置。
每個通道在一個封裝內(nèi)集成兩個芯片：一個AMR傳感器和一
2025-05-07 10:13:01961 
ADA4570 是一款各向異性磁阻 (AMR) 傳感器，具有集成信號調(diào)理放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器。ADA4570 產(chǎn)生兩個差分模擬輸出，指示周圍磁場的角位置。
ADA4570 由
2025-05-07 10:04:47871 
ADAF1080 是一款集成了信號調(diào)理功能的單軸、高精度磁場傳感器。該器件內(nèi)置各向異性磁阻 (AMR) 傳感器，集成信號調(diào)理放大器、電氣偏移消除功能、集成診斷功能和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 驅(qū)動器，可準確測量高達 ±8 mT 的磁場。
2025-05-07 09:54:00781 
iMeter D7供配電異常信息捕捉及故障診斷分析裝置iMeter 7A供配電異常信息捕捉及故障診斷分析裝置具有高密度、高精度監(jiān)測電壓、電流的動態(tài)特性，針對供配電系統(tǒng)局部異常或局部故障，能準確記錄
2025-05-06 14:38:42
iMeter 7A供配電異常信息捕捉及故障診斷分析裝置 iMeter 7A供配電異常信息捕捉及故障診斷分析裝置具有高密度、高精度監(jiān)測電壓、電流的動態(tài)特性，針對供配電系統(tǒng)局部異常或局部故障
2025-05-06 14:37:25
1.摘要
雙折射效應(yīng)是各向異性材料最重要的光學(xué)特性，并廣泛應(yīng)用于多種光學(xué)器件。當入射光波撞擊各向異性材料，會以不同的偏振態(tài)分束到不同路徑，即眾所周知的尋常光束和異常光束。在本示例中，描述了如何利用
2025-04-29 08:51:11
操作流程
1建立輸入場
基本光源模式[教學(xué)視頻]
2使用表面構(gòu)造實際組件
3建立單軸方解石晶體
Virtuallab Fusion中的光學(xué)各向異性介質(zhì)[使用案例]
4定義組件的位置和方向
光路圖2：位置和方向[教學(xué)視頻]
2025-04-29 08:48:49
近期某客戶送修一臺安捷倫33250A安捷倫信號發(fā)生器，報修故障是通訊異常，隨后工程師進行拆機檢測，發(fā)現(xiàn)與客戶報修故障一致。
2025-04-27 17:50:15634 
在我的這個電路圖里，可控硅一直處于開啟狀態(tài)，沒有給單片機信號，試著換一下可控硅的方向，也沒有效果。請各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
進行MAX17506縮小體積設(shè)計后, 整個電源功耗異常, 可以有調(diào)整漏失功耗的方法嗎?
2025-04-18 07:43:22
更換。 判斷依據(jù)：若CPU/GPU溫度異常升高（例如待機溫度上升5℃以上），可能是硅脂失效的信號。
Q2：涂抹導(dǎo)熱硅脂時，用量多少合適？A2： 原則：“少即是多”！過量硅脂可能溢出污染主板
2025-04-14 14:58:20
摘要
分層介質(zhì)組件用于對均質(zhì)(各向同性或各向異性)介質(zhì)的平面層序列進行嚴格而快速的分析。這種結(jié)構(gòu)在涂層應(yīng)用中特別有意義。在此用例中，我們將展示如何在VirtualLab Fusion中定義此類結(jié)構(gòu)
2025-04-09 08:49:10
工藝:光刻膠除膠，蝕刻未被保護的SiO2，顯影，除膠。 材料:晶圓，研磨拋光材料，光按模板材料。光刻膠，電子化學(xué)品。工業(yè)氣體，靶材，封裝材料 硅片制造:單晶硅棒拉制，硅棒切片，硅片研磨拋光，硅片氧化
2025-03-27 16:38:20
具有尖銳三角形的各向異性網(wǎng)格）。
通過計算的3D解決方案，可以將計算的場分布導(dǎo)出到2D截面進行后處理。下圖展示了平行于對稱軸且通過腔體中心的截面，左圖顯示了光強分布，右圖是場矢量分量的實部( ):
2025-03-24 09:03:31
使用SPI進行通信，STM32F4做從機，通信時數(shù)據(jù)異常，SPI2中SR寄存器會出現(xiàn)0xc0，0xc1，0x80的異常狀態(tài)值，大概就是BYS位，OVR位，RXEN位
2025-03-14 12:14:46
不同材料的刻蝕速率比，達到?>5:1?甚至更高的選擇比標準?。 一、核心價值與定義 l?精準材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809 特性與優(yōu)勢基于先進的各向異性磁阻（AMR）技術(shù)，具備 0~360° 全范圍角度感應(yīng)功能核心分辨率為 14 位最大旋轉(zhuǎn)速度達 25,000 轉(zhuǎn) / 分鐘輸出傳播延遲小于 2 微秒工業(yè)工作溫度范圍為
2025-03-07 15:03:58
對其余銅箔進行化學(xué)腐蝕，這個過程稱為蝕刻。 蝕刻方法是利用蝕刻溶液去除導(dǎo)電電路外部銅箔，而雕刻方法則是借助雕刻機去除導(dǎo)電電路之外的銅箔。前者是常見的化學(xué)方法，后者為物理方法。電路板蝕刻法是運用濃硫酸腐蝕不需要的覆銅電
2025-02-27 16:35:581321 
錐形折射是由光學(xué)各向異性引起的眾所周知的現(xiàn)象。當聚焦光束沿其光軸通過雙軸晶體傳播時，就會發(fā)生這種現(xiàn)象：透射場演化為一個高度依賴于輸入光束偏振狀態(tài)的錐體。基于這一現(xiàn)象已經(jīng)發(fā)展了多項應(yīng)用；用它作為偏振
2025-02-27 09:47:56
PLC(可編程邏輯控制器)異常工作的原因及解決辦法。
2025-02-24 17:27:442079 在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域，導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實際需求進行選擇？以下從性能、場景和操作維度進行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導(dǎo)熱硅膠片?導(dǎo)熱硅脂
?形態(tài)固體片狀（厚度
2025-02-24 14:38:13
是光手性的本征態(tài)。因此，近場光手性密度與圓偏振密切相關(guān)。在幾何光學(xué)中，四分之一波板將線偏振轉(zhuǎn)換為圓偏振是眾所周知的。它們是由雙折射材料制成的，例如各向異性材料。波片的厚度是尋常(x-)偏振和非尋常(z-
2025-02-21 08:49:40
本文研究了二維材料PdSe?與石墨烯組成的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自旋動力學(xué)。PdSe?因其獨特的五邊形晶格結(jié)構(gòu)，能夠誘導(dǎo)石墨烯中各向異性的自旋軌道耦合（SOC），從而在室溫下實現(xiàn)自旋壽命的十倍調(diào)制。研究
2025-02-17 11:08:381212 
LCD的組成有具有折射率各向異性的液晶并夾在兩個偏振器之間，來控制顏色和亮度。偏振分析使分析觀測角度光特性的關(guān)鍵?？紤]到液晶分子的光學(xué)各向異性，TechWiz Polar可根據(jù)偏振器和補償膜精確地分析光的偏振狀態(tài)。
2025-02-14 09:41:38
、形狀、形態(tài)和分布或位置。在此，我們提出了一種使用具有各向異性特征的抗衍射光片來激發(fā)熒光標簽的新方法。由抗衍射貝塞爾-高斯光束陣列組成，光片為12μm長，12μm高，厚度約為0.8μm。因此，激發(fā)熒光信號的強度分布可以反
2025-02-08 15:20:43600 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 
引言
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在SiC晶片的制備和加工過程中，表面金屬殘留成為了一個
2025-02-06 14:14:59395 作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標準。蝕刻以其精度和可擴展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細電路圖案的可靠方法。在本博客中，我們將詳細探討化學(xué)蝕刻工藝及其
2025-01-25 15:09:001517 
納芯微公司近期隆重推出了基于AMR（各向異性磁阻）技術(shù)的全新輪速傳感器系列——NSM41xx。該系列傳感器集成了尖端的磁性傳感敏感元件與ASIC技術(shù)，能夠精確捕捉車輪轉(zhuǎn)速信息，為防抱死制動系統(tǒng)
2025-01-23 15:30:351762 近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應(yīng)用。然而，硅有幾個缺點，例如其價格相對較高以及在高射頻下會產(chǎn)生電噪聲。另一方面，玻璃
2025-01-23 11:11:151240 
利用液滴在固體基底上蒸發(fā)形成的“咖啡環(huán)”，結(jié)合不同金屬基底及非金屬基底材料，對溶液中的溶質(zhì)進行富集。首先優(yōu)化實驗參數(shù)，選擇分析譜線，其次分析不同明膠濃度對沉積形態(tài)的影響，尋找最佳明膠濃度，最后
2025-01-22 18:06:20777 
制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etched sidewall）提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效果，同時靠近活性層的高鋁含量砷化鋁鎵層也才
2025-01-22 14:23:491621 
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
2025-01-22 10:59:232668 
近日，納芯微宣布推出全新基于AMR（各向異性磁阻技術(shù)）的輪速傳感器NSM41xx系列。該系列產(chǎn)品通過集成先進的磁性傳感敏感單元與ASIC技術(shù)，能夠精準監(jiān)測車輪轉(zhuǎn)速，為防抱死制動系統(tǒng)（ABS）、車身
2025-01-21 13:53:031442 SMT廠使用我們同款產(chǎn)品在三種不同機種上皆出現(xiàn)空焊現(xiàn)象，我們對不良品進行EDX分析，無異常；對同批次樣品上錫實驗無異常；量測產(chǎn)品尺寸（產(chǎn)品高度、焊盤大小、鍍層厚度）無異常，可能是什么原因?qū)е碌目蘸改兀?
2025-01-08 11:50:17
硅電容是一種采用了硅作為材料，通過半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容，和當前的先進封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482198 
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工商網(wǎng)監(jiān)
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