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標(biāo)簽 > 軟開關(guān)
軟開關(guān)是使用軟開關(guān)技術(shù)的開關(guān)過程。理想的軟開關(guān)過程是電流或電壓先降到零,電壓或電流再緩慢上升到斷態(tài)值,所以開關(guān)損耗近似為零。軟開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)功率變換器件的高頻化。
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軟開關(guān)型脈沖MIG焊接電源系統(tǒng)原理設(shè)計(jì)
軟開關(guān)型脈沖MIG焊接電源系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)如圖1所示,由主電路、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路3個(gè)主要部分組成。系統(tǒng)采用目前較為常用的AC/ DC/AC/DC的逆...
在上一篇中,我們建立了諧振電路系統(tǒng)的時(shí)域模型和頻域模型,簡單地分析了單管并聯(lián)諧振電路實(shí)例中諧振網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)零電壓(ZVS)開通的機(jī)理。
Intersil 未來方向:數(shù)字管理技術(shù)與高效轉(zhuǎn)換技術(shù)的結(jié)合
在Intersil的實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)場,George介紹了該公司在持續(xù)推動(dòng)實(shí)現(xiàn)高效率方面所推出的諸多創(chuàng)新,包括在高電壓領(lǐng)域中的大功率DC-DC變換、軟開關(guān)技術(shù),...
LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的
與傳統(tǒng)PWM(脈寬調(diào)節(jié))變換器不同,LLC是一種通過控制開關(guān)頻率(頻率調(diào)節(jié))來實(shí)現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點(diǎn)是:實(shí)現(xiàn)原邊兩個(gè)主MOS開關(guān)的零電壓開...
軟開關(guān)的基本概念及分類 典型的軟開關(guān)電路介紹
軟開關(guān)技術(shù)的主要內(nèi)容有:軟開關(guān)的基本概念、軟開關(guān)電路的分類、典型的軟開關(guān)電路、軟開關(guān)技術(shù)新進(jìn)展等。
2023-11-22 標(biāo)簽:軟開關(guān)零電壓開關(guān)諧振電源 3.5k 0
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 標(biāo)簽:開關(guān)電源ZVS軟開關(guān) 3.3k 0
Qorvo SiC FET在ZVS軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)
從石器時(shí)代到信息時(shí)代,人類對高效率的追求從未停止。如今,隨著人工智能、電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展,電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關(guān)...
開關(guān)電源功率MOSFET開關(guān)損耗的2個(gè)產(chǎn)生因素
開關(guān)過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源軟開關(guān) 2.6k 0
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開關(guān)功能測試
本文主要對電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點(diǎn)。檢測通過此處的電流...
瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查,超級(jí)結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%,覆蓋了電動(dòng)車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心軟開關(guān) 1.4k 0
極致優(yōu)化整機(jī)效率,軟開關(guān)技術(shù)在POWERQUARK中的創(chuàng)新
快充技術(shù)的發(fā)展不斷突破著功率極限。隨著功率增大,芯片的溫升效應(yīng)隨之顯著,熱損耗加劇,影響系統(tǒng)整體的能量轉(zhuǎn)化效率,過熱的芯片還可能帶來安全性和使用壽命等方...
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