深入探討對PNPN四層結構的晶閘管正向阻斷過程的機理

“基于碰撞電離率模型的平行平面結和晶閘管的研究”和“基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合”對平行平面結的雪崩擊穿電壓、碰撞電離率積分等進行了討...

2023-11-27 標簽：二極管晶閘管等效電路 7.4萬 0

基于碰撞電離率的平行平面結及晶閘管研究

功率半導體器件設計的基礎是平行平面結，結的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關，本次研究的重點結構是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關。

2023-11-27 標簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 7.4萬 0

IGBT內(nèi)部結構過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標簽：MOSFETIGBTNPN晶體管 7.4萬 0

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結構

紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（led）。

2024-02-26 標簽：半導體發(fā)光二極管PN結 3.0萬 0

介紹一下傳輸線工作過程中的導體損耗和介質(zhì)損耗

有損傳輸線的眼圖，由于上升邊的退化，少了高頻分量，那么高頻分量到哪里去了？傳輸線中的容性和感性突變只是反射，并不吸收能量。羊毛出在羊身上，高頻分量最終被...

2022-08-15 標簽：串聯(lián)電阻電阻器傳輸線 1.6萬 0

PN結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變窄？

PN結加正向電壓時,空間電荷區(qū)將變窄是因為：**PN結外加正向電壓，此時外電場將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場

2023-10-18 標簽：PN結載流子 1.3萬 0

一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

材料摻雜濃度較低的PN結中，當PN結反向電壓增加時，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強。

2024-02-25 標簽：PN結雪崩擊穿載流子 1.0萬 0

可充電電池中的高熵電解質(zhì)設計

可充電電池領域在高效和可持續(xù)能源技術需求的增加的推動下，已經(jīng)取得了顯著的進步。

2024-03-15 標簽：鋰離子電池電解質(zhì)可充電電池 9.5k 0

鈣鈦礦基近紅外光電探測器綜述

近年來，具有ABX?晶體結構的有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長載流子傳輸距離等光電學特性而在光電探測領域表現(xiàn)出良好應用前景

2024-03-11 標簽：晶體管光信號光電探測器 9k 0

MOS結電容（下）MOS的結電容應用特性分解

我們需要先將結電容與關斷波形聯(lián)系起來。三個結電容的容值是Vds電壓的函數(shù)，同時，電壓Vds的變化（dv/dt）又與結電容相關。

2023-12-05 標簽：二極管MOS續(xù)流二極管 8.3k 0

如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進行失效定位呢？

無源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導電結構的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導體電路的失效定位。

2023-12-01 標簽：電容器探測器PVC 8k 0

什么是離子注入？離子注入相對于擴散的優(yōu)點？

想要使半導體導電，必須向純凈半導體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。

2023-12-11 標簽：led集成電路芯片制造 8k 0

單晶硅的少子壽命是指什么？表面形態(tài)對單晶硅少子壽命有何影響？

單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過復合過程失去）的平均時間。

2024-04-19 標簽：半導體單晶硅載流子 6.3k 0

全面論述水系電池中氫鍵關鍵作用！

水系電池由于組裝簡單、安全性好、成本效益高，水系電池正成為大規(guī)模電網(wǎng)儲能的有力競爭者。

2023-11-17 標簽：電解質(zhì)紅外光譜儀XRD 6.1k 0