傳統(tǒng)混合存儲(chǔ)解決方案面臨許多挑戰(zhàn)

從2008年將SLC存儲(chǔ)介質(zhì)引入EMC DMX開(kāi)始，向全閃存存儲(chǔ)過(guò)渡約有十年的時(shí)間。存儲(chǔ)供應(yīng)商一直熱衷于采用全閃存系統(tǒng)作為傳統(tǒng)存儲(chǔ)的最終替代產(chǎn)品。但是，...

2020-11-25 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 2.4k 0

NOR FLASH目前仍是汽車行業(yè)的首選，其原因是什么

汽車應(yīng)用需要合格的存儲(chǔ)設(shè)備，這些設(shè)備將在承受極端溫度的嵌入式環(huán)境中持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間。這就是norflash繼續(xù)尋找新機(jī)會(huì)的原因之一。 例如需求由電信的可靠性...

2020-11-25 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 1.1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

種種摧殘下的華為，不得不賣出自己的榮耀，試圖最后拯救榮耀這一子品牌。然而在國(guó)產(chǎn)化的大背景下，華為又迎來(lái)了重大的好消息！ 21ic家獲悉，日前，IC WO...

2020-11-23 標(biāo)簽：閃存華為長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6k 0

鎧俠在中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展前景如何?

經(jīng)歷2019年寒冬，2020年又遭遇“疫情”嚴(yán)重沖擊，導(dǎo)致手機(jī)市場(chǎng)需求大幅下滑，再加上中美貿(mào)易沖突影響，全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展在今年變得詭譎多變。不過(guò)，鎧俠對(duì)...

2020-11-22 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 3.5k 0

華為Mate 40系列采用的“自研閃存”來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)

本月初的時(shí)候，有報(bào)道稱華為Mate40系列疑似采用了華為自研的閃存的消息，由此也引發(fā)了一些爭(zhēng)論。

2020-11-21 標(biāo)簽：閃存華為長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)證實(shí)華為Mate40用上國(guó)產(chǎn)閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，一提到國(guó)產(chǎn)閃存，很多人都說(shuō)沒(méi)看見(jiàn)，實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存，華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存3D華為 3.8k 0

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來(lái)越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來(lái)的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存NAND3D 4.5k 0

新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成

MVentures和imec.xpand以及韓國(guó)存儲(chǔ)器制造商SK Hynix，Robert Bosch Venture Capital和TEL Vent...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器MRAM 3.2k 0

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展？

NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，...

2020-11-20 標(biāo)簽：閃存3D存儲(chǔ)器 3.4k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式推出國(guó)產(chǎn)首個(gè)129層 3D NAND閃存

在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC World學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢(shì)下中國(guó)芯片制造突圍的新路徑》的主題演講...

2020-11-20 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 2.8k 0

三星西安:全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地

據(jù)報(bào)道，近日，陜西省2020年重點(diǎn)項(xiàng)目觀摩活動(dòng)舉行。其中，在走進(jìn)西安中，三星12英寸閃存芯片二期項(xiàng)目、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目等被提及。

2020-11-19 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 3.9萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)閃存實(shí)現(xiàn)0突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)位列全球閃存第七

在2019年9月份之前，國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感，國(guó)產(chǎn)率基本上為0，一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1...

2020-11-19 標(biāo)簽：閃存國(guó)產(chǎn)芯片長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.3k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅僅一年奪下全球閃存第七

在2019年9月份之前，國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感，國(guó)產(chǎn)率基本上為0，一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1%。

2020-11-19 標(biāo)簽：閃存NAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.8k 0

新 X-NAND 閃存架構(gòu)詳解：QLC 的容量和定價(jià) + SLC 的速度

在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會(huì)期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND ...

2020-11-15 標(biāo)簽：閃存NAND容量 3.1k 0

被美光搶先推出176層閃存 三星回應(yīng)技術(shù)延誤

在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過(guò)美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進(jìn)度比三星要快。 根據(jù)美光...

2020-11-14 標(biāo)簽：閃存三星電子美光 2.5k 0

美光科技出貨首款176層NAND 閃存性能和密度突破刷新行業(yè)紀(jì)錄

北京時(shí)間11月13日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，一舉刷...

2020-11-13 標(biāo)簽：閃存NAND美光科技 2.7k 0

U盤之父朗科發(fā)力SSD硬盤：國(guó)產(chǎn)64層TLC閃存

提到朗科，很多人可能知道他們被稱為U盤之父，因?yàn)檎莆罩P(guān)鍵的U盤專利，10年來(lái)2.8億元的盈利中1.8億都是來(lái)自專利授權(quán)。不過(guò)20年后的現(xiàn)在，U盤專利到...

2020-11-13 標(biāo)簽：閃存U盤SSD 3.3k 0

海力士發(fā)布第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告：盈利暴漲

近日，SK hynix發(fā)布截至2020年9月30日的2020財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司第三季度結(jié)合并收入為8.129萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.3萬(wàn)億韓元，...

2020-11-13 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器SSD 2.4k 0

芯片巨頭美光宣布向客戶交付176層閃存

芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176...

2020-11-13 標(biāo)簽：芯片閃存美光 2.3k 0

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升...

2020-11-12 標(biāo)簽：智能手機(jī)閃存邊緣計(jì)算 3.9k 0