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驅(qū)動(dòng)電壓

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　　驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動(dòng)電壓技術(shù)

使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。

2022-11-07 標(biāo)簽：MOS SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 4.6k 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因

開(kāi)關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

2022-06-02 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 4.5k 0

共模/差模/偶模/奇模你能區(qū)分嗎？

模態(tài)是指?jìng)鬏斁€對(duì)的特殊激勵(lì)狀態(tài)。兩線上有相同的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)為偶模；兩線上有相反的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)為奇模。

2023-12-06 標(biāo)簽：阻抗傳輸線差分信號(hào) 4.5k 0

掌握MOS管規(guī)格書(shū)，參數(shù)縮寫(xiě)全解析

MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標(biāo)簽：電流 MOSFET MOS管 4.3k 0

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算

IGBT模塊GE間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。

2025-07-31 標(biāo)簽：IGBT 驅(qū)動(dòng)電壓柵極電壓 4.2k 0

對(duì)MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析

MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

2022-09-29 標(biāo)簽：MOS管米勒電容驅(qū)動(dòng)電壓 4.2k 0

igbt驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高過(guò)低的后果

IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...

2024-07-25 標(biāo)簽：發(fā)射極 IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 4.1k 0

SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 SiC MOSFET 4k 0

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析

本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 可變電阻 3.9k 0

igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測(cè)量

IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)量是一個(gè)專業(yè)且復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題，涉及到電子電路、測(cè)量技術(shù)、焊接工藝等多個(gè)方面。一、IGBT焊機(jī)概述 IGBT（Insulated...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT 晶體管電壓信號(hào) 3.8k 0

總電壓采樣電路中使用MOS作為開(kāi)關(guān)的問(wèn)題

使用高壓MOS作為開(kāi)關(guān)，例如下圖（來(lái)自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應(yīng)用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測(cè)的橋臂開(kāi)關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對(duì)...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管 MOS管 VDS 3.6k 0

igbt如何選擇合適的驅(qū)動(dòng)電壓

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT 電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 3.5k 0

為什么電源占空比會(huì)影響驅(qū)動(dòng)電壓

電源占空比對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的影響是一個(gè)復(fù)雜的電子技術(shù)問(wèn)題，涉及到許多電子元件和電路設(shè)計(jì)的原理。電源占空比的定義和作用電源占空比是指在一定時(shí)間內(nèi)，電源輸出的...

2024-08-15 標(biāo)簽：電源占空比高電平 3.5k 0

igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅(qū)動(dòng)波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個(gè)方面，它直接影響到IGBT的開(kāi)關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中，我們將介紹IG...

2024-07-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)IGBT 晶體管 3.4k 0

IEDM 2022上的新型存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 CMOS工藝 3.4k 0

針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開(kāi)關(guān)的兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開(kāi)關(guān)方法

通過(guò)理論分析和仿真，并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對(duì)比，驗(yàn)證了增大局部驅(qū)動(dòng)面積和降低彈性系數(shù)可以減小懸臂梁開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)電壓。

2020-08-15 標(biāo)簽：RF MEMS開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓 3.3k 0

為什么小功率無(wú)刷直流電機(jī)中的MOS管會(huì)燒毀？

若該電阻太大，因?yàn)镸OS管會(huì)有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長(zhǎng)時(shí)間達(dá)不到飽和開(kāi)通狀態(tài)，從而過(guò)熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管電壓控制 3.3k 0

基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)實(shí)現(xiàn)每比特阿焦級(jí)的電光調(diào)制器

MIT研究小組基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了每比特阿焦級(jí)的電光調(diào)制器，創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管晶體管光伏效應(yīng) 2.9k 0

二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲分析方法在低噪聲放大器中的應(yīng)用

系統(tǒng)中的噪聲限制了一個(gè)電路能夠正確處理的最小信號(hào)電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOS管混頻器 VCO 2.8k 0

什么會(huì)影響MOS管驅(qū)動(dòng)電壓降低呢？

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電壓降低可能會(huì)受到以下因素的影響

2023-09-05 標(biāo)簽：電容器 MOS管電源電壓 2.8k 0

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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防爆燈是指用于可燃性氣體和粉塵存在的危險(xiǎn)場(chǎng)所，能防止燈內(nèi)部可能產(chǎn)生的電弧、火花和高溫引燃周圍環(huán)境里的可燃性氣體和粉塵，從而達(dá)到防爆要求的燈具。也稱作防爆燈具、防爆照明燈。不同的可燃性氣體混合物環(huán)境對(duì)防爆燈的防爆等級(jí)和防爆形式有不同的要求。具體參照GB3836、IEC60079。

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驅(qū)動(dòng)電壓

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