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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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CCD傳感器轉(zhuǎn)向CMOS傳感器高畫(huà)質(zhì)應(yīng)用引入監(jiān)控市場(chǎng)
由CCD傳感器轉(zhuǎn)向CMOS傳感器高畫(huà)質(zhì)應(yīng)用的轉(zhuǎn)變正推動(dòng)低成本高效益的高畫(huà)質(zhì)IP攝影機(jī)進(jìn)入市場(chǎng)。
本文通過(guò)理論和仿真對(duì)比較器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,優(yōu)化預(yù)放大電路和比較電路,設(shè)計(jì)了一種由預(yù)放大級(jí)、判斷級(jí)、輸出級(jí)構(gòu)成的鐘控比較器。把時(shí)鐘脈沖應(yīng)用于比較器的設(shè)計(jì),...
MAX4644雙路單刀(SPDT)CMOS模擬開(kāi)關(guān)
MAX4644是一個(gè)單刀(SPDT)開(kāi)關(guān),采用單從+1.8 V至+5.5供電五它提供了低4Ω導(dǎo)通電阻(RON)的,以及在整個(gè)1Ω模擬信號(hào)范圍RON平坦度。
2011-02-12 標(biāo)簽:CMOS模擬開(kāi)關(guān)SPDT 1.2萬(wàn) 0
MAX44265低功耗關(guān)斷模式CMOS運(yùn)算放大器
MAX44265運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是在最大增益帶寬比(物質(zhì)GBW)提供電流,如手機(jī),筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設(shè)備的電池供電應(yīng)用的理想選擇。此CMOS運(yùn)算放大...
2011-02-12 標(biāo)簽:CMOS運(yùn)算放大器MAX44265 1.6k 0
MAX7033完全集成的低功耗CMOS超外差接收機(jī)是接收300MHz至450MHz頻段內(nèi)幅移鍵控(ASK)數(shù)據(jù)的理想選擇。
2011-02-11 標(biāo)簽:CMOSMAX7033超外差接收機(jī) 2.1k 0
模擬調(diào)諧AM/FM/SW收音機(jī)的CMOS DSP IC
Silicon Labs Si483x IC是業(yè)界第一款用于模擬調(diào)諧AM/FM/SW收音機(jī)的CMOS DSP IC,這片芯片提供了從天線輸入到音頻輸出的...
2011-01-26 標(biāo)簽:DSPCMOS調(diào)諧收音機(jī) 4.6k 0
對(duì)于應(yīng)用于這些便攜式設(shè)備中的音頻功率放大器芯片則有更加嚴(yán)格的要求。便攜式設(shè)備體積小,由電池供電,所以要求音頻功率放大器芯片有盡可能少的外圍設(shè)備,盡量低的功耗。
基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測(cè)電路設(shè)計(jì)
D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計(jì)數(shù)器或移位寄存器。然而,只要對(duì)D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn),根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨(dú)特的作用。數(shù)
1、CMOS集成模擬開(kāi)關(guān)的基本原理 CMOS模擬開(kāi)關(guān)具有電源電壓范圍寬(4000系列
2010-12-06 標(biāo)簽:CMOS模擬開(kāi)關(guān) 4.3k 0
CMOS整合硅納米光子明年將實(shí)現(xiàn)商用化
IBM 聲稱,從2011年起,硅芯片將邁向以光脈沖(pulses of light)而非電荷(electrical charge)來(lái)進(jìn)行溝通;該公司...
Si5350 最具頻率彈性可在線編程CMOS時(shí)鐘發(fā)生器
Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司, Nasdaq: SLAB) 日前發(fā)表業(yè)界最具頻率彈性可在線編程的CMOS
如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS
如何建立一個(gè)小型獨(dú)立報(bào)警電路的CMOS 說(shuō)明 這是一種小型獨(dú)立報(bào)警電路的選擇。每個(gè)警報(bào)的
如何建立一個(gè)CMOS 4060防盜報(bào)警器 說(shuō)明 這是一個(gè)區(qū)域報(bào)警 - 自動(dòng)出入和警笛截止定時(shí)器。這將容納
2010-10-21 標(biāo)簽:CMOS防盜報(bào)警器 1.5k 0
如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區(qū)報(bào)警
如何建立一個(gè)更簡(jiǎn)單的CMOS單防區(qū)報(bào)警器 說(shuō)明 這是一個(gè)簡(jiǎn)單的單區(qū)防盜
如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器
如何構(gòu)建基于一個(gè)CMOS單防區(qū)報(bào)警器 說(shuō)明 該電路具有自動(dòng)出入延誤 - 計(jì)時(shí)鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置
高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
引言 模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器、模/...
2010-09-30 標(biāo)簽:CMOS帶隙基準(zhǔn)源 4.6k 0
CO兩端接陶瓷諧振器,和C0、C1一起構(gòu)成選頻網(wǎng)絡(luò),同時(shí)再次提供180度相移;R0是反饋電阻,為放大器的輸入提供偏置;R1為相位補(bǔ)償電阻,其大小由M0和...
本文以比較器為基本電路,采用恒流源充放電技術(shù),設(shè)計(jì)了一種基于1.0μm CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路,并對(duì)其各單元組成電路的設(shè)計(jì)進(jìn)行了闡述。同時(shí)利用...
基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)
O 引言 電路中的功率消耗源主要有以下幾種:由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門(mén)對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門(mén)中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電
2010-08-23 標(biāo)簽:CMOS 1.1k 0
采用超低靜態(tài)電流CMOS作為可調(diào)輸出電壓線性穩(wěn)壓器ADP16
該ADP160/ADP161是超低靜態(tài)電流,低壓差,即從2.2操作V至5.5 V和提供高達(dá)150毫安的輸出電流的線性穩(wěn)壓器。低195 mV的壓降電壓在1...
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