積電仍要依賴上游半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的支撐

在芯片代工領(lǐng)域，臺積電占據(jù)主導(dǎo)地位，全球92%的高端芯片都由臺積電制造。在下一代工藝節(jié)點(diǎn)研制上，臺積電也跑在業(yè)界前列，計(jì)劃于2022年下半年實(shí)現(xiàn)3nm芯...

2021-06-30 標(biāo)簽：芯片PVDCVD 2.7k 0

晶圓廠為何一座就要百億美元

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近期，中芯國際、三星甚至TI都爆出想要建設(shè)晶圓廠的消息，此前，英特爾、臺積電等大廠也都確認(rèn)將要新建晶圓廠。市場中的缺芯行業(yè)...

2021-09-14 標(biāo)簽：芯片晶圓CVD 2.3k 0

圖形尺寸不同的元器件在不同溫度下的熱積存

熱積存取決于柵極的尺寸，也就是IC芯片的最小圖形尺寸。柵極長度較小的元器件能使源極/漏極擴(kuò)散的空間小，因此也只有較小的熱積存。

2022-09-14 標(biāo)簽：晶圓IC芯片CVD 2.3k 0

Element Six與Orbray同盟致力于頂尖晶圓級單晶(SC)制造

全球高性能先進(jìn)材料的翹楚企業(yè)——Element Six（E6）與Orbray今日共同宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，致力于聯(lián)手打造全球最高品質(zhì)的晶圓級單晶（S...

2024-06-11 標(biāo)簽：晶圓金剛石CVD 2k 0

金剛石能力很強(qiáng)但為何鮮見應(yīng)用？

目前來說，金剛石在半導(dǎo)體中既可以充當(dāng)襯底，也可以充當(dāng)外延（在切、磨、拋等加工后的單晶襯底上生長一層新單晶的過程），單晶和多晶也均有不同用途。 在C...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石CVD 1.8k 0

北方華創(chuàng)：助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，擔(dān)負(fù)設(shè)備國產(chǎn)化重任

國內(nèi)半導(dǎo)體國家02專項(xiàng)設(shè)備龍頭，擔(dān)負(fù)設(shè)備國產(chǎn)化重任：公司是國內(nèi)規(guī)模龐大，產(chǎn)品體系豐富，涉及領(lǐng)域廣泛的高端半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商，主要產(chǎn)品包括等離子刻蝕設(shè)備...

2018-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體pvdcvd 1.6k 0

拓荊科技：超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺已通過客戶驗(yàn)證

來源：集成電路材料研究 近日，拓荊科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，公司自主研發(fā)并推出的超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺已通過客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并獲得...

2024-09-25 標(biāo)簽：CVD 1.2k 0

探索CVD石墨烯應(yīng)用開發(fā)的未知領(lǐng)域

當(dāng)石墨烯被發(fā)現(xiàn)時，人們很快將其稱為“神奇材料”和世界上最強(qiáng)、最薄、導(dǎo)電性最強(qiáng)的材料。這些特性確實(shí)存在，但僅限于納米級，并且不容易擴(kuò)展到人類尺寸。即使在納...

2022-12-15 標(biāo)簽：石墨烯CVD 1.2k 0

應(yīng)用材料AMAT/APPLIED MATERIALS Producer? XP Precision? CVD系列二手薄膜沉積CVD設(shè)備拆機(jī)/整機(jī)｜現(xiàn)場驗(yàn)機(jī)評測

一、引言 化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備作為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的核心裝備，其交替層沉積精度與膜層均勻性直接決定高端器件的性能與良率。應(yīng)用材料（AMAT/APPL...

2026-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝整機(jī) 711 0