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      標簽　>　dram

      dram

      dram

      +關(guān)注41人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

      文章：2319個 瀏覽：189278次 帖子：82個

      dram資訊

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      美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

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      2024-02-25 標簽：半導(dǎo)體DRAM供應(yīng)商 3.4k 0

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      內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。

      2024-02-23 標簽：DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 2.8k 0

      持久內(nèi)存（PMEM）將成為DRAM的替代者？

      SNIA的Arthur Sainio、Tom Coughlin和Jim Handy表示，如SK海力士和美光研發(fā)的鉿鐵電隨機存取內(nèi)存，盡管已達到現(xiàn)代DRA...

      2024-02-22 標簽：DRAM服務(wù)器SK海力士 3.3k 0

      新型內(nèi)存技術(shù)助力存儲網(wǎng)絡(luò)變革，將替代DRAM

      　值得注意的是，持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲器的結(jié)合體，具備迅速持久化特性，對于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題，存在突破解決之道。

      2024-02-22 標簽：DRAM存儲器硬盤 1.6k 0

      坂本幸雄逝世，享年77歲，曾為日本半導(dǎo)體之父

      在日本芯片產(chǎn)業(yè)之中，坂本幸雄具有舉足輕重的地位及杰出貢獻。1970年踏入日本德州儀器之后，他曾任日本德儀副社長、聯(lián)日半導(dǎo)體社長等要職；2002至2013...

      2024-02-22 標簽：半導(dǎo)體DRAM芯片產(chǎn)業(yè) 2.9k 0

      2023年存儲芯片公司業(yè)績爆冷，存貨周轉(zhuǎn)高達635天，DRAM反轉(zhuǎn)漲價

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      DRAM價格將在2024年回升，年內(nèi)或再次漲價

      存儲模組業(yè)者表示，目前市場對存儲芯片的需求不足，而價格卻堅挺穩(wěn)定，無論是漲還是跌都十分有限。雖然還無法明確感知市場景氣信號，但各大半導(dǎo)體研發(fā)商的價格策略...

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      韓國存儲芯片出口恢復(fù)，市場逐漸復(fù)蘇

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      2024-02-19 標簽：半導(dǎo)體DRAM存儲芯片 1.3k 0

      江波龍構(gòu)建完整的存儲芯片垂直整合能力

      首顆自研2D MLC NAND Flash發(fā)布！ 深圳2024年2月1日?/美通社/ -- 江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得...

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      近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室，以加強其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實驗室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D D...

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        寒武紀是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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