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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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AI算力驅(qū)動(dòng):HBM成為行業(yè)新寵
HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬存儲(chǔ)器)是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,通俗來講,就是先將很多DDR芯片堆疊在一起后,...
蘋果手表被曝將移除血氧傳感器技術(shù)以規(guī)避美國銷售禁令,消息稱SK海力士無錫工廠升級(jí)第四代DRAM
? 【華中科技大學(xué):研發(fā)自粘附壓力傳感器,用于水下目標(biāo)探測】 水下目標(biāo)探測是海洋技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)重要課題,涵蓋科學(xué)研究(例如海洋生物學(xué)和環(huán)境監(jiān)測)、工業(yè)(...
SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)
無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體制造SK海力士 939 0
SK海力士計(jì)劃提升中國無錫工廠技術(shù)水平,推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識(shí)到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 標(biāo)簽:DRAMSK海力士EUV光刻機(jī) 2.2k 0
半導(dǎo)體芯片研究:中國存儲(chǔ)芯片行業(yè)概覽
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲(chǔ)器芯片市場的97%;自2022年初起,下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲(chǔ)...
2024-01-14 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片 4.8k 0
SK海力士2024年第一季度將調(diào)整DRAM減產(chǎn)計(jì)劃
盡管在2023年面臨存儲(chǔ)芯片市場下滑和價(jià)格下跌,SK海力士因應(yīng)人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星...
2024-01-12 標(biāo)簽:DRAM三星電子Nand flash 1.3k 0
近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
三星電子轉(zhuǎn)型之路:應(yīng)對挑戰(zhàn),聚焦超級(jí)差距技術(shù)
三星電子現(xiàn)在的目標(biāo)是在新興的高密度存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域趕上競爭對手,計(jì)劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數(shù)據(jù)的先進(jìn)芯片,可與硬件配合使...
半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)趨勢詳細(xì)報(bào)告
2023年上半年全球半導(dǎo)體處于下行周期,但AIGC帶來的新一輪技術(shù)創(chuàng)新引發(fā)需求大幅提升,行業(yè)有望在2024年迎來上行周期。
南亞科存儲(chǔ)芯片營收連續(xù)虧損,第四季度DRAM平均售價(jià)環(huán)比增長
2024年,南亞科預(yù)披露將啟動(dòng)資本開銷約200億元,有待董事會(huì)批準(zhǔn)。同時(shí)進(jìn)一步釋放消息,計(jì)劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)(1B)來生產(chǎn)8Gb D...
1月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子發(fā)布的財(cái)報(bào)指引顯示,該公司營業(yè)利潤連續(xù)第六個(gè)季度下滑,全年?duì)I利同比暴跌84.92%!這一現(xiàn)象反映出全球消費(fèi)電子產(chǎn)品需求...
郭魯正深信,生成式AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用將使內(nèi)存的重要性日益凸顯,而消費(fèi)者對存儲(chǔ)設(shè)備的需求亦將更為多元化。據(jù)其闡述,SK海力士正致力于研發(fā)新平臺(tái),以便能滿足...
三星電子業(yè)績下滑:存儲(chǔ)芯片市場復(fù)蘇速度低于預(yù)期
三星電子報(bào)告2023年第四季度營業(yè)利潤下降35%至2.8萬億韓元(約合21.3億美元),而分析師平均預(yù)期為3.7萬億韓元;營業(yè)收入同比下降4.9%至...
三星今年或?qū)⒋罅ν七M(jìn)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)
消息透露,自2023年末起,存儲(chǔ)芯片價(jià)格逐漸上漲;盡管整個(gè)行業(yè)陷入衰退期,受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動(dòng),先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAN...
2024-01-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1.5k 0
工業(yè)商數(shù)為基于AI的工業(yè)自動(dòng)化提供關(guān)鍵支持
如今,全球物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備已超過 150 億臺(tái),預(yù)計(jì)到 2030 年,這一數(shù)字將超過 290 億。這些能處理海量數(shù)據(jù)的大型機(jī)器正在改變工業(yè)市場,...
2024-01-09 標(biāo)簽:傳感器DRAM物聯(lián)網(wǎng) 1.3k 0
DRAM漲價(jià)啟動(dòng)!Q1漲幅高達(dá)20%
有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià),但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月...
DRAM合約價(jià)一季度漲幅預(yù)計(jì)13~18%,移動(dòng)設(shè)備DRAM引領(lǐng)市場
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預(yù)期DDR4價(jià)格將進(jìn)一步上漲,這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5...
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星...
2024首季NAND漲勢持續(xù) SSD價(jià)格也將上揚(yáng)
據(jù)TrendForce估計(jì),2024年第一季度DRAM及NAND閃存(eMMC/UFS)平均季度漲幅將達(dá)18%-23%,壟斷市場或品牌廠商爭奪下,漲幅甚...
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