SK海力士CEO：AI芯片助推市值三年內(nèi)翻番
旗下首席執(zhí)行官郭魯正于CES 2024大展明確指出，依托強(qiáng)大的AI芯片實(shí)力，SK海力士有望在未來三年內(nèi)將企業(yè)市值翻倍至200萬億韓元（約合1520億美元）。此外，他還進(jìn)一步宣布即將調(diào)整2024年首季DRAM產(chǎn)量策略，并在下半年轉(zhuǎn)變NAND閃存生產(chǎn)策略。
郭魯正深信，生成式AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用將使內(nèi)存的重要性日益凸顯，而消費(fèi)者對存儲設(shè)備的需求亦將更為多元化。據(jù)其闡述，SK海力士正致力于研發(fā)新平臺，以便能滿足各類客戶的特定需求。
他自信地表示：“只要妥善規(guī)劃，優(yōu)化投資效率且保持財(cái)政穩(wěn)健，我們有信心實(shí)現(xiàn)市值在三年內(nèi)翻番的目標(biāo)。”HBM市場目前只有三家供應(yīng)商，郭魯正對此再次強(qiáng)調(diào)：“毫無疑問，SK海力士在這一領(lǐng)域獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷?！?/p>
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
2394瀏覽量
189177 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1007瀏覽量
41651 -
生成式AI
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
538瀏覽量
1089
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導(dǎo)體大會上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲架構(gòu)。據(jù)悉，該架構(gòu)名為“H3（hybrid semiconductor
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
SK海力士在CES 2026展示面向AI的下一代存儲器解決方案
SK海力士（或‘公司’）6日宣布，公司將于當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月6日至9日，在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設(shè)立專屬客戶展館，并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機(jī)端AI運(yùn)行時(shí)間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)
SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片，引領(lǐng)AI存儲新變革
在人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以
SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產(chǎn)品的營收增長
近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上，公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財(cái)務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)
SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實(shí)現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論