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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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中國廠商進入存儲芯片市場志在必得韓國預估中國能力瘋狂搶食存儲

存儲芯片DRAM 未來幾年中國公司就會進入存儲芯片市場。對于這一點，韓國公司也在擔憂中國競爭對手的加入，他們測算在2022年因為中國競爭的影響，韓國公司...

2018-05-14 標簽：dram 三星電子存儲芯片 2k 0

報道稱DRAM價格預計將繼續(xù)上漲

據(jù)日經(jīng)新聞報道，動態(tài)隨機存取存儲芯片的現(xiàn)貨價格急劇上漲，基準DRAM價格自今年年初以來已經(jīng)上漲約60％，達到2019年3月以來的最高水平。日經(jīng)進一步指...

2021-03-30 標簽：芯片 DRAM 2k 0

分析師預期2021全年內(nèi)存依然供不應求

從去年11月、12月開始，內(nèi)存市場變得敏感了，美光的內(nèi)存工廠還出現(xiàn)了火災事故，再加上全球性的半導體缺貨，漲價風聲不斷。

2021-02-02 標簽：半導體 DRAM 服務器 2k 0

MOSFET、存儲器IC等繼續(xù)看漲硅晶圓是罪魁禍首

臺系MOSFET芯片供應商指出，由于外商仍主導MOSFET芯片價格走勢，臺系IC設計公司寧可先搶市占率，不敢輕易跟漲芯片報價，包括英飛凌(Infineo...

2018-04-17 標簽：mosfet dram ic 2k 0

力積電2024年營收預期較去年增長，產(chǎn)能利用率有望提升至70%-75%?

力積電近期宣布了銅鑼新廠的進展情況，截至目前已有80%的設備進入并進行調(diào)試，主要涉及55nm及40nm邏輯產(chǎn)品。同時，公司對2023年資本投入計劃進行了...

2024-01-19 標簽：DRAM FlaSh 力積電 2k 0

三星電子Fab 17工廠斷電 DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線受到波及

1 月 2 日訊，據(jù)悉，2019 年的最后一天，三星電子對外確認，周二下午在韓國華城芯片工廠發(fā)生斷電事故，持續(xù)大約一分鐘，導致其部分生產(chǎn)線暫停。

2020-01-02 標簽：DRAM NAND 2k 0

2019年DRAM芯片報價一路走低 1月漲價將是大概率事件

行業(yè)機構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布了8Gb DDR4內(nèi)存芯片的最新月度合約報價，可以看到，已經(jīng)連續(xù)3個月保持在2.79~2.88美元。

2020-01-06 標簽：DRAM 內(nèi)存 2k 0

DRAM現(xiàn)貨價漲勢加速

2月22日消息，由于5G智能手機、筆記本電腦及平板、游戲機、服務器等市場的需求維持強勁，在預期DRAM第二季可能出現(xiàn)缺貨情況下，近期DRAM現(xiàn)貨價漲勢加...

2021-02-22 標簽：處理器智能手機 DRAM 2k 0

適用于ADAS和自動駕駛系統(tǒng)的高可靠性和高性能深度學習加速器

　　內(nèi)存空間隔離機制在CNNA、LDMAC和內(nèi)存管理單元（MMU）的內(nèi)存保護表中實現(xiàn)。當前運行任務的上下文索引被賦予來自CNNA和LDMAC的事務輸出。...

2022-04-29 標簽：DRAM adas 自動駕駛 2k 0

傳DRAM內(nèi)存將漲價到Q2

據(jù)悉，南亞科技預計DRAM的價格一季度開始上漲，是因為市場供應緊張，供不應求所致，價格上漲的趨勢將持續(xù)到二季度。

2021-01-12 標簽：芯片 DRAM 內(nèi)存 2k 0

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。

2018-02-07 標簽：dram 三星電子 sk海力士 2k 0

DRAM價格同比暴漲47% 三星仍是技術力最強的公司

根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元（bit）價格平均每年下跌33%。然而，從2012年到...

2019-02-12 標簽：DRAM 三星電子 2k 0

反壟斷調(diào)查嚴格，國產(chǎn)存儲迎來發(fā)展機會

、存儲芯片價值量太大，是全球半導體的主戰(zhàn)場，也是全球半導體超級周期的主抓手，直接影響到產(chǎn)業(yè)安全和信息安全，國家高度重視。2月27號和三星進行約談，而以...

2018-08-28 標簽：DRAM 存儲 2k 0

DRAM 的價格在今年三季度預計仍將上漲，四季度會進行相應的調(diào)整

1 月 22 日消息，據(jù)國外媒體報道，英文媒體在上周的報道曾表示，DRAM（動態(tài)隨機存儲器）的合約價格在今年上半年將上漲，相關的廠商也將從中受益。在當...

2021-01-22 標簽：DRAM 存儲器制造商 2k 0

突破存儲器帶寬和容量限制三星CXL存儲器擴展設備

CXL是CXL聯(lián)盟開發(fā)的一項開放式互聯(lián)新標準，基于PCIe物理層的高速、低延遲CPU到設備互連技術。CXL可在主機CPU和互聯(lián)設備（例如加速器和存儲器擴...

2022-08-23 標簽：DRAM 存儲器 2k 0

美光告福建晉華盜用技術，阻止中國開發(fā)自有的DRAM內(nèi)存芯片技術

據(jù)12月11日引述行業(yè)人士報道，日前，美光科技公司在美國加州的一家聯(lián)邦地方法庭提交了訴狀，指控中國臺灣的聯(lián)華電子以及下屬的福建省晉華集成電路公司盜用了自...

2018-07-31 標簽：DRAM 內(nèi)存美光 2k 0

TrendForce表示：DRAM 2021 年第一季度可能實現(xiàn)小幅增長

12 月 11 日消息，據(jù)國外媒體報道，市場研究機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）表示，2021 年第一季度，DRAM（動態(tài)隨機存儲器）的平均售價將從...

2020-12-11 標簽：DRAM 增長速度 TrendForce 2k 0

2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％

近日，統(tǒng)計機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于一些原因，2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％。

2018-10-15 標簽：DRAM NAND 內(nèi)存 2k 0

DRAM新一輪市場走勢不受內(nèi)存廠控制

近日，存儲大廠美光發(fā)布示警信息稱，由于PC客戶面臨其他零件短缺，導致對存儲器拉貨減少。受此影響，美光的營收和凈利水平預計將低于市場預期。在全球缺芯的大...

2021-10-08 標簽：DRAM 內(nèi)存 2k 0

通過強大的數(shù)字身份建立信任

從 DRAM 內(nèi)存中移除電源而不是將系統(tǒng)掛起在睡眠模式中，提供了一種易于實施的策略來避免未經(jīng)授權的訪問。這只需要使用休眠模式或關閉計算機。但是，此示例中...

2022-06-14 標簽：控制器 DRAM 寄存器 2k 0

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