2030年DRAM模塊和組件市場將達(dá)到1111億美元

2022年DRAM模組及組件市場規(guī)模為994億美元，預(yù)計2022—2030年復(fù)合年增長率為1.40%，到2030年將達(dá)到1111億美元。

2023-04-19 標(biāo)簽：處理器DRAMRAM 2.1k 0

后疫情時代存儲終端市場發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢分析

在疫情下蓬勃發(fā)展的服務(wù)器市場，明年將迎來怎樣的市況？TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，云端題材持續(xù)發(fā)酵，助力整體服務(wù)器需求擴(kuò)張，明年服務(wù)器的出貨大概還會...

2020-12-15 標(biāo)簽：DRAM服務(wù)器5G 2.1k 0

先進(jìn)封裝推動NAND和DRAM技術(shù)進(jìn)步

據(jù)知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole分析，先進(jìn)封裝極大地推動了內(nèi)存封裝行業(yè)，推動了增長和創(chuàng)新。

2023-04-20 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 2.1k 0

NAND Flash四季度漲幅預(yù)計10%以上

三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價格過低，計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格，漲幅預(yù)計在10%以上。

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAMNand存儲芯片 2.1k 0

HBM內(nèi)存市場旺盛，2025年產(chǎn)能與市場份額將攀升

該報告顯示，2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%，但預(yù)計今年將增至 5%，明年則有望突破 10%；而在市場份額上，從去年的 8%上升至今年的 ...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存HBM 2.1k 0

三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線圖解析

這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計，截至 9 月底的三個月營業(yè)利潤為 108 億韓元（77 億美元），同比下降 32%。

2022-10-26 標(biāo)簽：DRAMNAND三星 2.1k 0

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3E 2.1k 0

解析歐洲的存儲之殤

自2015年瑞士的諾華集團(tuán)，最后一次出現(xiàn)在全球最具價值的企業(yè)榜單中，此后這份名單中便再沒出現(xiàn)過歐洲企業(yè)的身影。

2020-12-25 標(biāo)簽：高通半導(dǎo)體DRAM 2.1k 0

西安紫光國芯新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)

摘要：近日，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)在VLSI?2023技術(shù)與電路研討會上(2023?Symposium?on?VLS...

2023-08-11 標(biāo)簽：嵌入式DRAM紫光國芯 2.1k 0

SK海力士M16晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭，近期宣布了一項重要的擴(kuò)產(chǎn)計劃，旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模，顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道，SK ...

2024-08-16 標(biāo)簽：DRAM晶圓廠SK海力士 2.1k 0

服務(wù)器需要的FRAM出現(xiàn)價格下滑，從而拉低了整體DRAM產(chǎn)品價格？

近日，據(jù)國外媒體報道，有研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，二季度全球DRAM市場規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，目前已經(jīng)超過170億美元，這主要是因為出貨量與銷售價格都出現(xiàn)提升。

2020-09-18 標(biāo)簽：DRAM數(shù)據(jù)服務(wù)器 2.1k 0

GDDR系列顯存受DRAM影響開始漲價

從去年9月份RTX 3080顯卡上市以來，4個月時間里顯卡市場已經(jīng)變天了，除了GPU芯片缺貨導(dǎo)致的漲價之外，挖礦、關(guān)稅等因素也推動了顯卡漲價，現(xiàn)在又面臨...

2021-01-26 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存顯存 2.1k 0

存儲市場正在醞釀著一場新的風(fēng)暴

MRAM、RRAM和PCRAM被行業(yè)視為是新興的三大存儲技術(shù)。這些技術(shù)的出現(xiàn)不僅引起了老牌存儲廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進(jìn)之下...

2021-05-17 標(biāo)簽：DRAM存儲微處理器 2.1k 0

聯(lián)華電子承認(rèn)侵害一項商業(yè)秘密，自主管理緩刑

有鑒于此，聯(lián)電將繼續(xù)落實并加強(qiáng)有關(guān)營業(yè)秘密之保護(hù)與防免的政策與措施，包括機(jī)密信息的監(jiān)管機(jī)制、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的教育訓(xùn)練與稽核等，以確保日常營運(yùn)符合公司智財權(quán)...

2020-10-29 標(biāo)簽：芯片集成電路DRAM 2.1k 0

消息稱美光或開發(fā)EUV應(yīng)用技術(shù)

根據(jù)韓國媒體《Etnews》報導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求E...

2020-12-25 標(biāo)簽：DRAM存儲器EUV 2.1k 0

SK海力士中國業(yè)務(wù)優(yōu)化：上海公司關(guān)閉，重心轉(zhuǎn)向無錫

依據(jù)SK海力士于3月17日公布的2023年度財報數(shù)據(jù)顯示，此類計劃自去年第四季度即已啟動，原有的上海銷售子公司自創(chuàng)立至今已有超過17年歷史。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存SK海力士 2.1k 0

三星擬犧牲DRAM產(chǎn)能保住CIS芯片

芯片設(shè)計、晶圓代工、內(nèi)存閃存設(shè)計生產(chǎn)等，三星的觸角囊括了多個重要的半導(dǎo)體領(lǐng)域。

2021-01-07 標(biāo)簽：芯片DRAM三星電子 2.1k 0

5G手機(jī)“超前部署” 強(qiáng)大的uMCP儲存

諸如美光科技（Micron Technology）等內(nèi)存制造商決定選擇“超前部署”。該公司最近開始送樣搭載低功耗DDR5 （LPDDR5） DRAM的通...

2020-07-03 標(biāo)簽：DRAMMCP5G手機(jī) 2.1k 0

Intel宣布第三代傲騰持久內(nèi)存：又一次全球首創(chuàng)

在今年的內(nèi)存與存儲日活動上，Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費(fèi)級SSD 670...

2020-12-18 標(biāo)簽：DRAMintel內(nèi)存 2.1k 0

7 月 DRAM 、 NAND 價格繼續(xù)上漲，最高漲幅 7.89%

據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchang近日發(fā)布了今年 7 月存儲芯片市場價格統(tǒng)計信息。結(jié)果顯示，7 月以來全球內(nèi)存芯片價格環(huán)比小幅上漲，其中電腦...

2021-08-01 標(biāo)簽：DRAMNAND 2.1k 0