三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產品MRAM納入生產制造范疇,并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產。MRAM號稱是次世代記憶體,是繼半導體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器
2019-03-06 16:43:28
7573 畿道華城的三星華城半導體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故,三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產線,該公司目前這些產線正在檢修中。 預計損失將小于三星平澤半導體工廠在2018年的損失。在平澤半導體工廠停電期間,三星
2020-01-02 10:45:15
6202 據(jù)IHS公司的DRAM市場報告,隨著 DRAM 價格降到了極低水平,如果廠商不轉向效率更高的3x/2x納米制程,可能面臨重大虧損,三星電子等領先的內存供應商已經采用了上述制程。 三星第三季
2011-08-25 09:05:57
1422 
三星近來狀況頻傳,在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后,近日業(yè)界又傳出其產業(yè)重心存儲模組產品良率出問題需緊急召回,由于三星于 PC DRAM 市占過半,這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外,也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49
809 
該路線圖已演變?yōu)閲H設備和系統(tǒng)路線圖或IRDS路線圖,與ITRS路線圖的不同的是,它更多地是由上而下,而不是由下而上推導出來的。換句話說,它不是由芯片制造商的需求驅動的,而是通過預測未來器件性能的進展,然后確定什么類型的器件和結構可以提供未來所需的性能,其中包括了很多部分。
2022-07-10 10:09:36
4346 
5月7日消息?由于質疑競爭對手的技術進展,三星決定公開自家DRAM產品的電路線寬,以顯示三星在該領域的技術領先地位。據(jù)韓媒報導,三星準備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng),將公布自家DRAM產品電路線
2021-05-07 10:25:35
2126 `這幾年以來,國內巨頭都在花大力氣研發(fā)內存,以期打破壟斷,尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言,三星占了全球80%的份額,成為全球半導體領域的焦點。日前,三星一反常態(tài),放緩了存儲器半導體業(yè)務的擴張
2018-10-12 14:46:09
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機得知產品和服務信息,但三星并未透露產品何時上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16
方面的穩(wěn)定與專注,使三星成為為數(shù)不多的幾個能夠在經濟危機后繼續(xù)增長的公司之一。 1998年2月三星電子開發(fā)出世界第一個128MB同步DRAM以及128MBFlash內存。 7月三星電子開發(fā)出世界最小
2019-04-24 17:17:53
ARM+Linux嵌入式底層內核驅動方向學習總體路線圖基礎學習Ⅰ---Linux入門 目前嵌入式主要開發(fā)環(huán)境有 Linux、Wince等;Linux因其開源、開發(fā)操作便利而被廣泛采用。而Linux
2021-07-20 06:35:52
在Intel舉辦的架構日活動上,Intel公布2021年CPU架構路線圖、下一代核心顯卡、圖形業(yè)務的未來、全新3D封裝技術,甚至部分2019年處理器新架構等技術戰(zhàn)略。Intel還展示了在驅動不斷擴展
2020-11-02 07:47:14
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2021-10-26 19:13:52
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應,因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產;此外,截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體(OLED)面板的銷售增長,也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀錄新高的預期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收購電子芯片,收購電子IC,收購DDR ,收購集成電路芯片,收購內存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達,華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
在MMC支持設備的路線圖中隱藏下列設備嗎?PIC16F76PIC18F2520DSPIC30F5015 以上來自于百度翻譯 以下為原文 Hi Are the following devices
2019-01-23 06:33:48
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
嵌入式Linux_Android學習路線圖
2023-09-27 06:09:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
嵌入式學習路線圖
2012-08-16 19:53:23
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:07 編輯
嵌入式學習路線圖
2012-08-20 10:21:27
想學嵌入式的同學可以下下來看看嵌入式學習路線圖.rar
2018-07-13 00:22:26
隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,嵌入式也越來越火熱,更多的人投入到嵌入式開發(fā)的行列中來,那么想要學習嵌入式,該從哪里入手學習,嵌入式學習路線圖怎么學?想要學習好嵌入式,想成為嵌入式軟件工程師。那么當前企業(yè)需要
2021-10-27 09:12:42
在這個互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展的時代,科技不斷的創(chuàng)新嵌入式也開始逐漸的越來越火熱,隨著這一股風波也有越來越多的人投入到嵌入式開發(fā)的行列中來,那么想要學習嵌入式,該從哪里入手學習,嵌入式學習路線圖怎么學?想要
2021-12-24 06:21:20
嵌入式學習指導路線圖
2013-08-15 09:20:05
嵌入式軟件學習路線圖!
2021-02-04 07:31:13
有一塊arm11 ok6410開發(fā)板,想問下學習的路線圖,開發(fā)板資料進階性不強,對哪些重難點應該看哪些資料
2019-07-10 11:53:15
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
嗨,伙計們,我想知道未來的DSPIC是否有路線圖?在我的例子中,我使用的是一個SMP3.33 EP64 GS506,這是一個很酷的SMPS設備。但是,一些外圍設備,如CAN或DMA都缺失了。最好
2019-08-13 09:38:20
我現(xiàn)在有一點兒51單片機基礎,想學習STM32,求大神指導一下入門到成長的路線圖~先行道謝~
2015-05-12 19:31:11
物聯(lián)網(wǎng)學習路線圖物聯(lián)網(wǎng)技術近幾年在我國獲得了很好的發(fā)展,從目前的發(fā)展趨勢來看,未來物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展前景一片大好。由此學習的人員也是越來越多,但是在學習物聯(lián)網(wǎng)時很多人都容易忽略這樣一件事——從未準備一份詳盡
2020-04-20 16:24:39
KGI Securities的分析師Ming-Chi Kuo近日自制了一個蘋果2013年產品路線圖,在圖中詳細闡述了他對蘋果2013年將發(fā)布哪些產品、發(fā)布時間詳細推測。下面我們就來看看他的產品路線圖
2013-01-19 15:55:09
`韋老師寫的嵌入式Linux Android學習路線圖,從專業(yè)、業(yè)務、操作系統(tǒng)等領域分析嵌入式Linux未來趨勢,并附詳細Linux系統(tǒng)學習路線圖。需要的童鞋們可以下載?;貜涂聪螺d地址:[hide
2017-09-18 16:42:52
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2021-07-06 19:32:41
回收三星字庫,全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務器內存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器,收購鉭電容,回收sd卡,收購tf卡?;厥展S庫存ic,大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12
解析英特爾WiMax路線圖計劃
在全球3G尚未有定論之際,無線通信技術WiMax悄然登場。有業(yè)內人士指出,受到半導體英特爾的鼎力支持,W
2009-08-03 11:38:01
973 英特爾明年產品路線圖曝光
一個泄露的英特爾產品路線圖披露了英特爾將推出其新的Core i3、i5和i7等處理器的更詳細的時間表。在即將推出的處理器
2009-11-28 09:50:39
616 三星將大批量生產30納米DDR3 DRAM內存芯片
據(jù)國外媒體報道,全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內存芯片已經適合消費者使用,準備應用到產品中。
2010-02-03 10:06:26
1010 freescale汽車產品路線圖
2011-01-06 15:56:01
62 3月25日消息,據(jù)國外媒體報道,全球最大的內存芯片廠商三星電子周四稱,它已經開始大批量生產新型移動DRAM內存芯片。
2011-03-25 10:45:30
1048 《公告》明確中國逐步淘汰白熾燈路線圖分為五個階段,本文提供白熾燈淘汰路線圖。
2011-11-06 12:59:47
4327 臺灣媒體DigiTimes的一條報道讓三星市值蒸發(fā)了100億美元。該報道稱蘋果將停止使用來自三星的DRAM內存芯片,并準備讓爾必達成為DRAM內存供應商。這條消息在被《路透社》引用之后,三星
2012-05-18 09:17:11
999 Picor_CoolPower 產品及新產品開發(fā)路線圖
2016-01-06 17:41:57
0 三星電子正在規(guī)劃下一代電視的中長期路線圖,據(jù)韓國媒體報道,三星將會跳過OLED電視,直接進入到OLED。三星目前的主要產品是量子點電視,它的戰(zhàn)略是繼續(xù)開發(fā)量子點電視,同時為QLED技術的商用做準備。
2016-05-30 10:21:27
1115 OLED產品技術路線圖國際研究
2017-02-08 02:18:56
11 用戶,金士頓表態(tài)稱今年DRAM內存還會面臨缺貨窘境,價格也會繼續(xù)上漲。據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。
2017-01-16 10:40:24
836 三星不僅是智能手機市場的老大,更重要的是三星還掌握了產業(yè)鏈至關重要的DRAM內存、NAND閃存及OLED屏幕,這三大部件上三星遙遙領先其他對手,手機OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:02
1878 估計在 5 月 24 日的一場晶圓廠商論壇上,三星將會發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內存,此種次世代存儲器兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優(yōu)點,被認為是一種通用型存儲器,能夠讓手機實現(xiàn)內存/閃存二合一。
2017-04-30 21:47:50
2904 
在內存市場上三星已經占據(jù)了大半的江山,據(jù)悉,明年三星還將繼續(xù)在生產方面的資本支出預算提到1.5倍,是想進一步壟斷DRAM和NAND閃存市場,可以說這是一場260億美元的豪賭。
2021-08-27 14:38:54
1349 內存指標大廠三星和美光釋出今年內存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探,但DRAM價格在服務器及移動設備、車用等應用多元下,價格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00
1187 三星電子內存解決方案的需求,隨著內存的增加而飆升。目前三星正迅速轉向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關鍵,三星正在轉向一家半導體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:52
1318 
近日三星集團表示將會對布局OLED電視的項目重新進行評估,也許并沒有所謂OLED電視的計劃路線圖,按照三星說法,OLED電視因為燒屏和成本過高。
2018-02-26 11:52:06
2880 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經能量產10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00
1128 MSP430 概覽和路線圖
2018-08-22 01:00:00
3493 日前,三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇(SFF)2018年會,更新了技術路線圖。
2018-09-10 17:33:16
5154 日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內存投資大砍20%,三星針對DRAM產品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標是維持內存高價位。
2018-10-09 10:46:39
4311 據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:44
3814 三星SSD路線圖更新QLC閃存是重點 在三星Tech Day會議上,三星不僅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6顯存等新工藝、新產品及新技術,SSD方面也更新了路線圖,未來的重點就是96層堆棧
2018-10-18 17:33:00
6571 預計動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand閃存增速在30%。三星今年早些時候曾表示,預計DRAM今年增速在20%,而Nand則在40%。 內存容量增速是衡量市場需求的試金石。預測的下降可能導致芯片制造商削減設備和材料訂單等投
2018-10-13 20:12:01
184 三星生產什么樣的閃存,也就決定了SSD市場未來的技術走向。在圣何塞的Tech Day活動中,三星闡釋了下一步的閃存演進路線圖。
2018-10-19 16:11:48
2166 3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:08
3840 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片,將服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:16
4320 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報價后,NAND Flash價格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價。
2019-05-08 08:47:55
4026 三星也在加大先進工藝的追趕,目前的路線圖已經到了3nm工藝節(jié)點,下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺積電,而且會一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
2019-05-12 11:50:07
5054 三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖,領先于臺積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:43
5336 DRAM制造商采用EUVL工具很可能與邏輯生產商(臺積電,三星代工(邏輯芯片的合約制造商,而不是DRAM制造商)的采用類似):最初的EUV設備將僅用于幾層,隨著工藝節(jié)點的增加,層數(shù)逐漸增加。ASML估計,對于DRAM,一個EUV層每月需要每100,000個晶圓啟動1.5到2個EUV系統(tǒng)。
2019-08-27 10:36:13
4037 在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:42
6632 而三星正利用這一時期擴大領先優(yōu)勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:08
2248 Intel副總裁Carolyn Duran確認,三星的新款DDR5內存和下一代至強可擴展處理器(Sapphire Rapids藍寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:09
2885 Rockchip處理器路線圖及芯片選型
2021-06-02 10:21:48
19 該機構表示,目前已經在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內存顆粒。該機構還預計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標準。
2022-09-19 15:14:48
2099 三星電子公布了其在小于 3 納米(1 米的十億分之一)半導體領域獲得競爭優(yōu)勢的技術路線圖。
2023-07-06 17:38:21
2853 
9月12日,據(jù)《韓國經濟日報》報導,三星電子近期與客戶(谷歌等手機制造商)簽署了內存芯片供應協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調10%-20%。三星電子預計,從第四季度起存儲芯片市場或將供不應求。
2023-09-14 10:56:18
908 在Hot Chips 2023上,三星展示了內存技術,內存的主要成本是將數(shù)據(jù)從各種存儲和內存位置傳輸?shù)綄嶋H的計算引擎。
2023-10-07 11:03:37
2453 
平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:57
1540 部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:21
1562 在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內存技術——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:08
1209 值得注意的是,此前市場上其他品牌的LPDDR5X DRAM內存最高速度僅為9.6Gbps。三星表示,新款10.7Gbps LPDDR5X內存采用12納米級制程工藝,相較前代產品性能提升超過25%,容量增加30%。
2024-04-17 16:29:16
1383 在DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:49
1035 近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%,僅達到五成左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:41
1408 在科技日新月異的當下,三星電子公司作為全球領先的科技企業(yè)之一,再次展示了其在芯片制造領域的雄心壯志。6月13日,據(jù)彭博社等權威媒體報道,三星電子在其位于加州圣何塞的美國芯片總部舉辦的年度代工論壇上,公布了其最新的芯片制造技術路線圖,旨在通過一系列技術創(chuàng)新,鞏固并提升其在人工智能芯片代工市場的地位。
2024-06-13 15:05:21
1664 來源:綜合報道 近日,三星電子在加州圣何塞的設備解決方案美國總部舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF),公布了其最新代工技術路線圖和成果。 以下是主要亮點
2024-06-17 15:33:00
1066 
7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構集成路線圖,其中一項關鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關注——一款名為LP Wide I/O的創(chuàng)新型移動內存即將面世。這款內存不僅預示著存儲技術的又一次
2024-07-17 16:44:02
2993 
在半導體技術的持續(xù)演進中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領導者的地位,通過其2024年異構集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動內存——LP Wide I/O。這款內存的問世,預示著移動設備性能將迎來質的飛躍,尤其是在處理高帶寬需求的應用場景時,如設備端AI、高清視頻處理及復雜游戲等。
2024-07-18 18:24:57
2277 據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:10
1201 三星電子在最新的內存產品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內存,該制程將支持高達32Gb的顆粒容量,標志著內存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:49
1153 近日,據(jù)相關報道,三星電子在3D NAND閃存生產領域取得了重要技術突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經制定了未來NAND閃存的生產路線圖,并計劃在這一生產過程中,將光刻膠
2024-11-27 11:00:24
957 近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:07
1411 據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:15
1361 據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11
923 據(jù)報道,長鑫存儲技術有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術路線圖,從其路線規(guī)劃來看,其研發(fā)的產品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時間節(jié)點
2019-12-03 18:18:13
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