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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星2020年將再次掀起內(nèi)存革新?比現(xiàn)今內(nèi)存快千倍?

三星2020年將再次掀起內(nèi)存革新?比現(xiàn)今內(nèi)存快千倍?

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2017-02-13 09:46:402223

三星i9000不夜城水貨報(bào)價(jià),三星i9000水貨價(jià)格,上海哪里買(mǎi)三星i9000水貨

20115月5日,筆者在商家“上海譜康科技手機(jī)網(wǎng)”http : // www . sharp-sh . com/處了解到,三星旗下旗艦級(jí)產(chǎn)品三星I9000 最新報(bào)價(jià)為2430元,配置為原裝一電一充
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三星宣布開(kāi)發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

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2021-09-03 19:23:00

東莞收購(gòu)三星ic 專業(yè)回收三星ic

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什么是DDR?DDR內(nèi)存的演進(jìn)之路

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2022-10-26 16:37:40

分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤(rùn)創(chuàng)新高

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2017-10-13 16:56:04

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

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2013-08-05 14:19:28

大量回收三星ic

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2020-10-31 15:48:52

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2021-04-14 19:04:16

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2021-03-10 17:45:41

安裝optane內(nèi)存后問(wèn)題與三星魔術(shù)師軟件有關(guān)

),我的M.2再次三星魔術(shù)師軟件識(shí)別,我可以看到三星m.2的健康狀態(tài)和固件版本。所以我的問(wèn)題是,是否可以在AHCI模式下使用optane內(nèi)存?我沒(méi)有使用optane和我的啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)器,僅用于輔助驅(qū)動(dòng)器
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郭臺(tái)銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應(yīng)面板

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2016-12-18 01:18:05

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購(gòu)三星芯片

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高價(jià)收購(gòu)三星字庫(kù)

回收三星字庫(kù),全國(guó)回收三星字庫(kù)。帝歐長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán),回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤(pán),回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠
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3月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。
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北京時(shí)間5月21日消息,三星電子成功開(kāi)發(fā)出可生產(chǎn)原有半導(dǎo)體芯片速度以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
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三星S8最新消息:三星將在中國(guó)推出皇帝版S8 6G運(yùn)存 256內(nèi)存

三星新旗艦Galaxy S8發(fā)布前,就有消息稱三星S8/S8+國(guó)行版獨(dú)享6GB內(nèi)存。發(fā)布后又有消息稱,三星S8+韓版黑色款也提供6GB內(nèi)存。現(xiàn)在這一消息得到韓媒的證實(shí),并預(yù)計(jì)三星S8 6GB皇帝版售價(jià)高達(dá)115.5萬(wàn)韓元(約合7000元人民幣)。
2017-04-05 14:12:081261

內(nèi)存漲價(jià)三星是最大的贏家 發(fā)改委就此問(wèn)題約談三星

近 年來(lái)內(nèi)存價(jià)格一路飆升,絲毫沒(méi)有回復(fù)理智的價(jià)格。預(yù)計(jì)明年的價(jià)格還會(huì)進(jìn)一步的增長(zhǎng),其中三星內(nèi)存漲價(jià)利潤(rùn)飆升,成了最大的贏家,發(fā)改委已經(jīng)就此問(wèn)題約談三星,懷疑其中是否涉及行業(yè)壟斷的情況。
2017-12-22 11:21:002046

三星有價(jià)格壟斷前科 內(nèi)存漲價(jià)被發(fā)改委約談恐涉及壟斷

來(lái)內(nèi)存漲價(jià)已經(jīng)變得不可思議,三星又是最大的受益者,不得不讓人懷疑這是一種行業(yè)壟斷。據(jù)報(bào)道,有知情人表示三星價(jià)格壟斷是有前科的,還曾在美被罰3億美元。
2017-12-25 16:40:012167

三星是否壟斷內(nèi)存價(jià)格有待調(diào)查 內(nèi)存供需偏緊上半年漲勢(shì)難止

如今內(nèi)存供需仍然處于偏緊狀態(tài),下游廠商受影響最大,雖說(shuō)有關(guān)發(fā)改委約談三星,但是是否構(gòu)成壟斷仍待調(diào)查,三星方面始終緘其口,預(yù)計(jì)內(nèi)存價(jià)格上半年漲勢(shì)難止。
2018-01-12 09:48:446561

內(nèi)存價(jià)格趨勢(shì)上漲不停息 三星繼續(xù)被約談

縱觀內(nèi)存市場(chǎng),曾經(jīng)傳言會(huì)在2018價(jià)格有所緩和的狀況并沒(méi)有出現(xiàn)。內(nèi)存瘋狂漲價(jià)之勢(shì)還在繼續(xù)保持,據(jù)悉,三星將被繼續(xù)約談是否涉及壟斷。
2018-01-15 15:23:181479

得益內(nèi)存業(yè)務(wù),三星海力士年終獎(jiǎng)是個(gè)人年薪的50%

在過(guò)去的2017里,內(nèi)存業(yè)務(wù)得到了飛一般的上漲速度,讓三星海力士等半導(dǎo)體內(nèi)存廠商大賺了一筆。如今臨近年關(guān),據(jù)報(bào)道三星海力士半導(dǎo)體年終獎(jiǎng)高達(dá)個(gè)人年薪的50%。
2018-01-20 11:14:461021

形式所迫,三星2018年內(nèi)存終要大降價(jià)

配件就是內(nèi)存、SSD硬盤(pán)這樣的存儲(chǔ)產(chǎn)品了,尤其是內(nèi)存漲價(jià)兇猛,單條8GB內(nèi)存一度逼近元,即便現(xiàn)在有所回落,整體價(jià)位依然維持在700元左附近,配2條內(nèi)存的話,裝機(jī)成本前平均高出元,這對(duì)主流用戶來(lái)說(shuō)是個(gè)高昂的代價(jià)。
2018-05-26 05:23:006500

發(fā)改委要求三星內(nèi)存必須降價(jià) 并優(yōu)先供給中國(guó)

2017內(nèi)存大戰(zhàn)已經(jīng)過(guò)去,縱觀2018內(nèi)存市場(chǎng),在三星內(nèi)存廠商的推動(dòng)下,內(nèi)存價(jià)格還是難以下降。據(jù)悉發(fā)改委再次約談三星,要求內(nèi)存必須降價(jià)。
2018-02-27 14:13:391947

美光打破三星內(nèi)存市場(chǎng)霸權(quán) 殺入U(xiǎn)FS 2.1閃存

內(nèi)存領(lǐng)域三星是絕對(duì)的霸權(quán),最大的內(nèi)存市場(chǎng),先進(jìn)的內(nèi)存技術(shù),導(dǎo)致全球閃存受制于他。但是市場(chǎng)格局出現(xiàn)了微妙的變化,美光強(qiáng)勢(shì)殺入U(xiǎn)FS 2.1手機(jī)閃存,三星可能不再霸權(quán)。
2018-02-28 11:39:151345

三星砸1750億元建新工廠DRAM內(nèi)存顆粒 計(jì)劃在2019第二季度末完工

三星砸1750億元建新工廠DRAM內(nèi)存顆粒,新工廠也同時(shí)具備內(nèi)存、閃存生產(chǎn)能力,但是三星尚未決定具體先做哪一個(gè),肯定是要看后續(xù)市場(chǎng)需求,比如原有工廠最初就打算生產(chǎn)內(nèi)存。新工廠計(jì)劃在2019第二季度末完工.
2018-03-03 11:38:013154

三星著眼量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存顆粒,或明年應(yīng)用到三星

LPDDR5的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到 6400 Mps,大約是現(xiàn)在 iPhone X 上所采用的 LPDDR4X 的 1.5 三星方面表示,LPDDR5 內(nèi)存可以每秒傳輸 51.2G 的數(shù)據(jù),相當(dāng)于 14 部 3.7G 大的 1080P 高清視頻文件。
2018-07-29 10:28:005226

三星計(jì)劃在2019調(diào)低存儲(chǔ)類(lèi)芯片產(chǎn)能,以挽救不斷下降的內(nèi)存、SSD價(jià)格

SSD產(chǎn)品的低價(jià)甜蜜期,甚至是內(nèi)存緩慢的降價(jià)軌道,可能要被三星逆轉(zhuǎn)了。
2018-09-25 15:50:221328

三星明年或減緩內(nèi)存芯片出產(chǎn)量?

知情人士表示,韓國(guó)三星電子(Samsung Electronics Co.)計(jì)劃明年限制內(nèi)存芯片產(chǎn)量,從而在預(yù)計(jì)內(nèi)存芯片需求放緩之際保持供需平衡。
2018-09-27 16:01:533691

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價(jià)位

日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià),砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:394310

三星內(nèi)存芯片熱潮結(jié)束 全球?qū)﹄娮釉O(shè)備需求正在不斷下降

據(jù)報(bào)道,三星電子表示持續(xù)兩內(nèi)存芯片熱潮已經(jīng)結(jié)束。由于芯片業(yè)務(wù)占三星利潤(rùn)近五分之四,三星電子今年削減27%的資本支出。三星還提到,“展望2019,由于季節(jié)性因素,2019第一季度的盈利將會(huì)疲軟,因?yàn)槿驅(qū)﹄娮釉O(shè)備需求正在不斷下降。
2018-11-02 15:58:36683

三星Galaxy S10或搭載史無(wú)前例的超大內(nèi)存 將會(huì)有包含漸變色的版本

根據(jù)廣發(fā)證券(香港)的爆料消息稱,三星很可能推出一款12GB內(nèi)存的手機(jī),而搭載這個(gè)內(nèi)存的手機(jī)很可能就是三星Galaxy S10,同時(shí),三星Galaxy S10的機(jī)身存儲(chǔ)可能也增加到最高1T。
2018-11-27 14:10:03542

三星計(jì)劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量

據(jù)相關(guān)新聞報(bào)道,三星計(jì)劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,使內(nèi)存和閃存的增長(zhǎng)率分別低于20%和30%。三星在11月份召開(kāi)的第季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上說(shuō),內(nèi)存的年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為20%左右,閃存為40%左右。
2018-12-28 15:02:233972

內(nèi)存降價(jià)影響三星半導(dǎo)體今年?duì)I收下滑20%

過(guò)去的三年時(shí)間里,DRAM內(nèi)存芯片迎來(lái)了一輪黃金時(shí)期,從2016中到2018底一直在漲價(jià),這也讓三星、SK Hynix及美光大DRAM芯片公司去了史上最好的業(yè)績(jī),每次發(fā)財(cái)報(bào)都是業(yè)績(jī)大漲,三星
2019-03-11 17:20:23856

三星電子開(kāi)發(fā)首款基于第代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320

三星BDIE退市之后內(nèi)存該如何選擇

三星B-die顆粒的內(nèi)存條,能夠保持較低的時(shí)序,運(yùn)行3866-4266MHz或更高頻率,兼容性和超頻性能深受電腦發(fā)燒友們的喜愛(ài)。
2019-09-26 11:17:404793

三星內(nèi)存廠遭到污染 內(nèi)存價(jià)格或又上漲

近日,三星對(duì)外透露旗下的內(nèi)存晶圓廠商生產(chǎn)設(shè)備遭到污染,損失估計(jì)高達(dá)數(shù)百萬(wàn)美元,不過(guò)目前事故已經(jīng)解決,產(chǎn)線重新運(yùn)轉(zhuǎn),回到正軌
2019-11-13 15:34:18701

芝奇推出高容量內(nèi)存,將在2020Q1上市

隨著三星和美光16Gb 內(nèi)存芯片出貨,32GB大容量內(nèi)存也越來(lái)越多,價(jià)格在元左右。現(xiàn)在根據(jù)報(bào)道,芝奇也宣布即將發(fā)布一款全新的高容量、低延遲的內(nèi)存,頻率為DDR4-3200,時(shí)序?yàn)镃L14-18-18-38。
2019-12-25 14:40:403193

三星晶圓廠事故 或影響全球內(nèi)存、閃存行業(yè)走勢(shì)

前兩天三星位于韓國(guó)的華城工業(yè)園的幾座晶圓廠遭遇停電事故,事后發(fā)現(xiàn)停電只有3分鐘而已,但已經(jīng)波及了三星內(nèi)存、閃存及邏輯芯片代工大業(yè)務(wù)。消息一出,全球相關(guān)行業(yè)瞬間成為熱點(diǎn),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星這次事故有可能影響全球內(nèi)存、閃存行業(yè)走勢(shì)。
2020-01-02 15:48:481031

三星遭遇最嚴(yán)重的利潤(rùn)下滑 內(nèi)存芯片市場(chǎng)成投資者的指望

1 月 7 日訊,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)遭遇至少十來(lái)最大的年度利潤(rùn)下滑,投資者正指望內(nèi)存芯片市場(chǎng)的預(yù)期反彈來(lái)提振三星今年的表現(xiàn)。
2020-01-07 15:36:39531

三星電子在內(nèi)存芯片市場(chǎng)正在出現(xiàn)復(fù)蘇的跡象

三星電子副董事長(zhǎng)Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示,內(nèi)存芯片市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)改善跡象,這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。
2020-01-09 10:51:56535

三星16GB LPDDR5內(nèi)存開(kāi)始量產(chǎn),內(nèi)存速率有5500Mps

近日三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)單封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存,而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps,是LPDDR4X-4266的1.3,功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372

內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)下降,刺激了三星、SK海力士等廠商的出貨量

內(nèi)存價(jià)格還在繼續(xù)下降,對(duì)于三星、SK海力士等廠商來(lái)說(shuō),這也刺激了相應(yīng)的出貨量。 TrendForce集邦咨詢公布了2020季度全球DRAM內(nèi)存營(yíng)收情況,第季度DRAM總產(chǎn)值174.6億美元
2020-11-23 14:30:431837

三星2021投產(chǎn)EUV工藝生產(chǎn)的內(nèi)存

目前,EUV光刻機(jī)的部署安裝主要在臺(tái)積電、三星的晶圓代工廠。不過(guò),內(nèi)存廠商們也開(kāi)始著手上馬了。
2020-11-27 09:09:092022

內(nèi)存價(jià)格下滑,消息稱三星計(jì)劃一條內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)產(chǎn)CIS傳感器芯片

2019到2020的兩年間,內(nèi)存價(jià)格都在下滑,以致于內(nèi)存廠商日子不好過(guò),紛紛調(diào)整產(chǎn)能,消息稱三星計(jì)劃一條內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)產(chǎn)CIS傳感器芯片。 三星、美光、SK海力士等內(nèi)存原廠從去年底就開(kāi)始削減
2020-12-10 16:48:222496

三星2021新增內(nèi)存產(chǎn)能4萬(wàn)片晶圓

2020年內(nèi)存價(jià)格雖然總體還在跌,但是年底的2個(gè)月中風(fēng)向已經(jīng)變了,部分內(nèi)存芯片價(jià)格開(kāi)始上漲,甚至1個(gè)月內(nèi)存漲了10%,這給2021內(nèi)存市場(chǎng)漲價(jià)發(fā)出了信號(hào)。
2020-12-29 09:12:462427

內(nèi)存廠商:DDR內(nèi)存2021反彈 價(jià)格有望上漲30%

2021內(nèi)存市場(chǎng),此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌,Q2季度持平,下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多,三星、SK海力士、美光大廠商繼續(xù)削減2021內(nèi)存投資,供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少,再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出
2020-12-31 16:27:013435

內(nèi)存廠商篤定DDR內(nèi)存2021反彈,價(jià)格有望上漲30%

大漲30%。 對(duì)于2021內(nèi)存市場(chǎng),此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌,Q2季度持平,下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多,三星、SK海力士、美光大廠商繼續(xù)削減2021內(nèi)存投資,供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少,再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退
2021-01-08 10:18:304428

三星計(jì)劃2020穩(wěn)定內(nèi)存芯片產(chǎn)能并擴(kuò)大其代工業(yè)務(wù)

據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論1月9日?qǐng)?bào)道,三星電子今年有望首次向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資超過(guò)300億美元,以穩(wěn)定其內(nèi)存芯片的產(chǎn)能并擴(kuò)大其代工業(yè)務(wù)。
2021-01-11 13:47:202271

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591

DDR3內(nèi)存或退出市場(chǎng)三星等大廠計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

帶來(lái)太大的影響。 三星對(duì)客戶通知2022年年終之前仍會(huì)繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單,并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后,SK海力士、華邦電子等制造商也表示停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn),不對(duì)客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存,不過(guò)大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:566223

三星開(kāi)發(fā)出首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器

今日,作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:082306

三星計(jì)劃開(kāi)發(fā)基于內(nèi)存的超級(jí)計(jì)算機(jī)

"三星電子的目標(biāo)是在2028前開(kāi)發(fā)出一臺(tái)基于內(nèi)存的超級(jí)計(jì)算機(jī),"三星電子設(shè)備解決方案業(yè)務(wù)的首席執(zhí)行官Kyung Kye-hyun周四在大田的KAIST發(fā)表演講時(shí)說(shuō)。
2023-05-12 11:26:43465

三星計(jì)劃采用12納米技術(shù),提升內(nèi)存模組容量

日前有信息稱,三星采用 12納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù),生產(chǎn)ERP開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩。
2023-09-04 10:53:461175

三星內(nèi)存芯片最高漲20%

9月12日,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機(jī)制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20%。三星電子預(yù)計(jì),從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或供不應(yīng)求。
2023-09-14 10:56:18908

深度解析三星內(nèi)存處理技術(shù)(PIM)

在Hot Chips 2023上,三星展示了內(nèi)存技術(shù),內(nèi)存的主要成本是數(shù)據(jù)從各種存儲(chǔ)和內(nèi)存位置傳輸?shù)綄?shí)際的計(jì)算引擎。
2023-10-07 11:03:372453

有史以來(lái)最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍

“超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導(dǎo)體,并且可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)芯片的速度當(dāng)今任何可用的任何產(chǎn)品數(shù)百或數(shù)千倍。
2023-11-02 09:38:131680

三星與紅帽聯(lián)合驗(yàn)證CXL內(nèi)存與最新操作系統(tǒng)的兼容性

三星透露,近期與開(kāi)源軟件巨頭紅帽達(dá)成深度合作,在現(xiàn)實(shí)的用戶環(huán)境中首次證明了 Compute Express Link ?(CXL)內(nèi)存技術(shù)的可行性,此舉預(yù)計(jì)會(huì)極大拓展三星的 CXL技術(shù)生態(tài)圈。受益于生成式人工智能、自動(dòng)駕駛以及內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)等
2023-12-27 15:25:251308

三星電子與紅帽成功驗(yàn)證CXL內(nèi)存操作

  三星電子與開(kāi)源軟件巨頭紅帽(RedHat)聯(lián)手,完成了在實(shí)際用戶環(huán)境中的CXL(ComputeExpressLink)內(nèi)存操作;此舉系業(yè)內(nèi)首次,進(jìn)一步擴(kuò)大其 CXL 生態(tài)系統(tǒng)。
2023-12-27 15:56:201244

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購(gòu)

 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買(mǎi)HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試,未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:241406

三星2025首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過(guò)降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

三星勝訴Netlist內(nèi)存專利案,獲3.3億美元免賠

該訴訟源于2015Netlist指控三星背離與其達(dá)成的聯(lián)合開(kāi)發(fā)許可協(xié)議;2021,Netlist再度指責(zé)三星云服務(wù)器內(nèi)存中的技術(shù)侵犯其專利。
2024-04-07 09:47:41896

三星Galaxy S25 Ultra 內(nèi)存升級(jí)至16GB

據(jù)報(bào)道,三星Galaxy S24 Ultra已現(xiàn)身市場(chǎng),其存儲(chǔ)版本分別有256GB、512GB及1TB款,但內(nèi)存皆為12GB。然而,最新傳聞稱三星將于明年推出的Galaxy S25 Ultra或內(nèi)存提升至16GB。
2024-05-10 14:25:371353

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563

三星預(yù)計(jì)2028AI相關(guān)收入增長(zhǎng)九

近日,科技巨頭三星對(duì)其未來(lái)在人工智能領(lǐng)域的戰(zhàn)略進(jìn)行了全面披露。據(jù)預(yù)測(cè),到2028,三星AI相關(guān)的客戶名單擴(kuò)大五,同時(shí)收入有望實(shí)現(xiàn)九增長(zhǎng)。這一預(yù)測(cè)的背后,是三星對(duì)AI芯片技術(shù)深入布局和持續(xù)創(chuàng)新的體現(xiàn)。
2024-06-13 14:15:20909

三星電子突破瓶頸,HBM3e內(nèi)存芯片獲英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證

在科技界的密切關(guān)注下,三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來(lái)振奮人心的消息。據(jù)韓國(guó)主流媒體NewDaily最新報(bào)道,三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)的HBM3e(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測(cè)試,標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151

三星電子計(jì)劃2025~2026推出LP Wide I/O內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位,通過(guò)其2024異構(gòu)集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動(dòng)內(nèi)存——LP Wide I/O。這款內(nèi)存的問(wèn)世,預(yù)示著移動(dòng)設(shè)備性能將迎來(lái)質(zhì)的飛躍,尤其是在處理高帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)景時(shí),如設(shè)備端AI、高清視頻處理及復(fù)雜游戲等。
2024-07-18 18:24:572277

三星2024底量產(chǎn)256GB CXL 2.0內(nèi)存模塊

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新浪潮中,三星電子再次走在行業(yè)前列,為市場(chǎng)帶來(lái)了令人矚目的新進(jìn)展。據(jù)韓國(guó)權(quán)威媒體報(bào)道,三星電子內(nèi)存部門(mén)新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)的核心人物——Choi Jang Seok,于近日宣布了一項(xiàng)
2024-07-22 15:10:191346

三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破

三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65mm封裝高度,實(shí)現(xiàn)了對(duì)上一代產(chǎn)品0.71mm厚度的顯著縮減,縮減幅度高達(dá)9%,展現(xiàn)了三星內(nèi)存封裝技術(shù)上的深厚積累和創(chuàng)新能力。
2024-08-07 11:21:461830

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)

進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而,三星迅速澄清,表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635

三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃,應(yīng)對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)延遲

近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道,三星已將2025底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬(wàn)片晶圓,這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2024-10-11 17:37:121554

三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠,專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)

方式獲得三星顯示的一座大樓,并計(jì)劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴(kuò)建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片,對(duì)高性能內(nèi)存有著迫切需求,而三星的定制化HBM4內(nèi)
2024-11-13 11:36:161756

三星電子計(jì)劃新建封裝工廠,擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
2024-11-14 16:44:351203

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片

近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028

三星或受內(nèi)存芯片價(jià)格下跌影響

近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對(duì)三星電子的未來(lái)前景表達(dá)了擔(dān)憂。他預(yù)測(cè),由于客戶庫(kù)存過(guò)剩,三星電子在2025上半年可能會(huì)面臨內(nèi)存芯片價(jià)格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年芯片
2024-11-27 11:22:071225

三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在20241c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而,實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

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