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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>傳三星或緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價格將再度飆高

傳三星或緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價格將再度飆高

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內(nèi)存漲價三星是最大的贏家 發(fā)改委就此問題約談三星

近 年來內(nèi)存價格一路飆升,絲毫沒有回復(fù)理智的價格。預(yù)計明年的價格還會進一步的增長,其中三星內(nèi)存漲價利潤飆升,成了最大的贏家,發(fā)改委已經(jīng)就此問題約談三星,懷疑其中是否涉及行業(yè)壟斷的情況。
2017-12-22 11:21:002046

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào),內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強勢表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析,儲存型閃存(NAND Flash)和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價格持續(xù)下探,但DRAM價格在服務(wù)器及移動設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下,價格持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187

DRAM價格居高不下,發(fā)改委約談三星

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2018-06-25 09:09:001128

發(fā)改委約談三星,居高不下內(nèi)存價格下降

從前年下半年開始DRAM和NAND這種存儲元件已經(jīng)連續(xù)漲價6個季度了,連續(xù)的漲價讓手機和PC行業(yè)叫苦連天,然而作為全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商三星卻因此賺得盤滿缽滿,在最佳剛發(fā)布的2017年第四季度財
2018-07-23 18:01:001032

三星10nm級DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722

三星啟用EUV設(shè)備進行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星、海力士推遲內(nèi)存價格下降緩慢

內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測到今年第四季度逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。據(jù)臺媒援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃,原因是客戶需求正在變緩,會導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑,這自然是他們不想看到的。
2018-09-09 09:24:404522

新聞精選 三星減緩內(nèi)存芯片產(chǎn)出 科大訊飛回應(yīng)同造假

每日科技新聞精選 內(nèi)容預(yù)覽 1.三星或有意減緩明年內(nèi)存芯片產(chǎn)出 2.科大訊飛回應(yīng)同造假:人機耦合才是未來發(fā)展之道 3.英特爾的物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)役: 聚焦高性能芯片計算機視覺 4.通CEO:有機
2018-09-23 23:02:085361

三星明年減緩內(nèi)存芯片出產(chǎn)量?

知情人士表示,韓國三星電子(Samsung Electronics Co.)計劃明年限制內(nèi)存芯片產(chǎn)量,從而在預(yù)計內(nèi)存芯片需求放緩之際保持供需平衡。
2018-09-27 16:01:533691

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

日媒報道稱三星明年的資本支出下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價位。
2018-10-09 10:46:394310

三星進行DRAM擴產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出進行DRAM擴產(chǎn)計劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
2018-10-25 15:59:261447

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026

隨著DRAM需求全面放緩 內(nèi)存價格預(yù)計明年下跌

據(jù)報道,內(nèi)存價格在2019年降低15~25%。報道稱,第四季度的DRAM芯片合同價的談判已開始,雖然PC DRAM保持穩(wěn)定,但隨著DRAM需求全面放緩,圖形顯卡的DRAM價格已經(jīng)下滑。
2019-01-18 14:42:07707

內(nèi)存降價影響三星半導(dǎo)體今年營收下滑20%

DRAM內(nèi)存芯片毛利率高達70%。現(xiàn)在情況不一樣了,今年初開始內(nèi)存價格要跌入熊市了,前幾天的調(diào)研報告稱Q1季度內(nèi)存合約價跌幅高達30%,這也嚴(yán)重影響了三星SK Hynix美光等公司的營收及盈利。從IC
2019-03-11 17:20:23855

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840

三星電子開發(fā)首款基于第代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星公布商用MicroLED模組價格 基本模組價格為2萬零33美元

近日,有韓媒稱,三星電子北美分公司首次公布了商用Micro-LED模組“The Wall Professional”的價格。
2019-08-15 15:30:482473

三星內(nèi)存廠遭到污染 內(nèi)存價格又上漲

近日,三星對外透露旗下的內(nèi)存晶圓廠商生產(chǎn)設(shè)備遭到污染,損失估計高達數(shù)百萬美元,不過目前事故已經(jīng)解決,產(chǎn)線重新運轉(zhuǎn),回到正軌
2019-11-13 15:34:18701

DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

出貨100萬 三星業(yè)界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

三星EUV技術(shù)應(yīng)用于新型DRAM產(chǎn)品中,并實現(xiàn)量產(chǎn)

韓國三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬個極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880

內(nèi)存價格繼續(xù)下降,刺激了三星、SK海力士等廠商的出貨量

內(nèi)存價格還在繼續(xù)下降,對于三星、SK海力士等廠商來說,這也刺激了相應(yīng)的出貨量。 TrendForce集邦咨詢公布了2020年第季度全球DRAM內(nèi)存營收情況,第季度DRAM總產(chǎn)值174.6億美元
2020-11-23 14:30:431837

內(nèi)存價格下滑,消息稱三星計劃一條內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)產(chǎn)CIS傳感器芯片

2019到2020年的兩年間,內(nèi)存價格都在下滑,以致于內(nèi)存廠商日子不好過,紛紛調(diào)整產(chǎn)能,消息稱三星計劃一條內(nèi)存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)產(chǎn)CIS傳感器芯片。 三星、美光、SK海力士等內(nèi)存原廠從去年底就開始削減
2020-12-10 16:48:222496

三星將與小米開啟價格戰(zhàn)?

據(jù)稱三星即將發(fā)布的Galaxy S21 FE采用通的驍龍870芯片,而價格低至3499元,此舉意味著它將與小米爭奪3000元價格段,這也是它在面臨中國手機企業(yè)挑戰(zhàn)之下的無奈之舉。 三星如今
2021-02-18 09:38:091430

全球DRAM大廠涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價格被起訴

據(jù)韓國媒體報導(dǎo),全球DRAM大廠韓國三星、SK海力士及美國美光(Micron)因涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價格,于當(dāng)?shù)貢r間5月3日遭美國律師事務(wù)所以損害消費者權(quán)益為由起訴。 NEWS1等韓媒報導(dǎo)稱
2021-05-19 18:00:372541

三星計劃采用12納米技術(shù),提升內(nèi)存模組容量

日前有信息稱,三星采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù),生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,而這樣就可以在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:461175

市場開始復(fù)蘇,三星調(diào)漲內(nèi)存芯片高達20%

隨著行動內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復(fù)蘇跡象,并且最早在第四季度供不應(yīng)求,三星電子已宣布提高動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存芯片的價格,幅度達到10%~20%。 韓國經(jīng)濟日報報道,知情人
2023-09-13 14:22:341161

三星內(nèi)存芯片最高漲20%

9月12日,據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20%。三星電子預(yù)計,從第四季度起存儲芯片市場供不應(yīng)求。
2023-09-14 10:56:18908

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星與美光第一季DRAM價格漲幅15%~20%

近期,全球DRAM市場風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能,這一舉動無疑將對整個市場帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在,最新消息表明,DRAM價格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲,漲幅預(yù)計達到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

DRAM價格飆升,三星和美光計劃Q1漲幅高達20%

根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格,漲幅預(yù)計達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星研發(fā)CXL混合存儲模組,實現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳

據(jù)三星展示的圖片顯示,此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進行I/O塊傳輸,也可以運用DRAM緩存和CXL接口達到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
2024-03-21 14:31:051611

三星2025年后首家進入3D DRAM內(nèi)存時代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

漲價20%!三星、 SK 海力士停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成

近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達到五成左右。為了應(yīng)對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%;蘋果大砍一半產(chǎn)線員工

1. 三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ,現(xiàn)已通報客戶 ? 6月26日,多家媒體報道稱,三星計劃于第季度把動態(tài)隨機存儲器(DRAM)、NAND的價格上調(diào)15%~20
2024-06-27 11:02:40754

2023年全球DRAM內(nèi)存模組市場營收下滑,金士頓領(lǐng)跑

,導(dǎo)致DRAM內(nèi)存產(chǎn)品價格大幅下滑。同時,三星電子、SK海力士和美光等DRAM內(nèi)存原廠的高產(chǎn)能利用率策略進一步加劇了價格下跌,直至2023年下半年市場才初現(xiàn)反彈跡象。 在全球DRAM模組廠營收排名中,金士頓Kingston以68.8%的市場份額穩(wěn)居榜首,連續(xù)21年保持市場領(lǐng)先地位。嘉合勁威
2024-11-21 11:17:462216

三星內(nèi)存芯片價格下跌影響

近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔(dān)憂。他預(yù)測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內(nèi)存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡管下半年芯片價格
2024-11-27 11:22:071225

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

Omdia預(yù)測:今年前季度PC、服務(wù)器、移動DRAM內(nèi)存價格下滑15%

據(jù)韓媒報道,知名分析機構(gòu)Omdia在其最新報告中預(yù)測,2025年前季度,PC、服務(wù)器及移動DRAM內(nèi)存價格面臨顯著下滑。 具體而言,Omdia預(yù)計2025年上半年,這些內(nèi)存產(chǎn)品的價格下降約10
2025-02-11 10:41:561753

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