三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇，并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體，是繼半導(dǎo)體存儲器DRAM和NAND Flash之后又一劃時代的創(chuàng)新存儲器
2019-03-06 16:43:28
7573 圖：三星華城半導(dǎo)體工廠。圖片來源/三星電子 2020年1月1日消息，三星半導(dǎo)體工廠停電，導(dǎo)致部分存儲器半導(dǎo)體生產(chǎn)線停止工作。 據(jù)三星電子1日報道，周二下午1:30，電源線在華城變電站爆裂，在京
2020-01-02 10:45:156202 報導(dǎo)，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421577 三星電子（Samsung Electronics）與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸（Spin Transfer Torque）磁性存儲器（STT-MRAM）。兩家公司也表示，預(yù)計
2016-08-01 11:04:321255 據(jù)半導(dǎo)體市場調(diào)研機構(gòu)DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。
2016-08-18 10:05:401258 
在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，dram漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進場，漲勢加大。
2016-09-30 09:52:16551 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 （SK Hynix ）已經(jīng)飆升35%，部分外資相當樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。三星將增產(chǎn)？
2016-10-15 22:21:291002 因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。
2017-02-13 08:30:09753 三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809 
三星近來狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
2017-03-02 10:57:391024 業(yè)界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍屏當機。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達10萬條，業(yè)界認為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:281126 
人員經(jīng)韓中快捷通道入境，抵華后免隔離直接復(fù)工。 三星西安工廠是三星電子唯一的海外存儲器生產(chǎn)基地，其二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，第二階段投資80億美元。按照規(guī)劃，三星二期一階段項目首
2020-05-25 10:00:105584 5月7日消息?由于質(zhì)疑競爭對手的技術(shù)進展，三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬，以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報導(dǎo)，三星準備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng)，將公布自家DRAM產(chǎn)品電路
2021-05-07 10:25:352126 出，三星電子已將今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調(diào)升至60萬片，環(huán)比增長13%；預(yù)計下半年將DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM產(chǎn)量恢復(fù)到削減前的水平。SK海力士將把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季度的39萬片增加到第二季度的41萬片；下半年預(yù)計該公司
2024-04-12 00:05:006368 
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
預(yù)告明年的存儲器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
那樣。即使這樣做，到2014年，一個DRAM電容器的容量（Cs）也只有2009年的52％。此次，三星通過將DRAM單元的配置由過去的格子狀改成蜂窩狀結(jié)構(gòu)、引進減小Cb的“Air Spacer”技術(shù)
2015-12-14 13:45:01
對DRAM價格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔心，存儲器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會有一個大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲器產(chǎn)業(yè)，會不會在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
芯片制造商。 獨占半壁江山 但跟核心處理器芯片不同的是，三星的增長是受益于不斷漲價的存儲芯片。數(shù)據(jù)顯示，英特爾預(yù)計在2017年二季度將實現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計將達到146億美元
2019-04-24 17:17:53
第三季度銷售額為62.05萬億韓元，同比增加29.8%。凈利潤為11.19萬億韓元。三星第三季度業(yè)績表現(xiàn)不錯，主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片價格持續(xù)高漲以及OLED面板市場供不應(yīng)求。伴隨著三星管理層的重組，加之三星半導(dǎo)體芯片以及OLED面板的擴產(chǎn)，可以預(yù)料其第四季度營收也將極為可觀。
2017-11-01 15:56:56
三星和索尼，合資的S-LCD產(chǎn)的半像素屏，呈“《” ，不過像素點比較細，沒LG的粗，用手指在液晶屏上輕輕滑過，手指滑過的地方有一條明顯的水痕，那鐵定是三星的面板，也就是現(xiàn)在俗稱的軟屏
2009-05-24 18:20:40
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
增加資本資出擴產(chǎn)投資后，DRAM價格往往是衰退的。2017年的DRAM資本支出上漲81%至163億美元，2018年預(yù)計將攀升40%至229億美元。在這些水平上的資本支出，通常會導(dǎo)致大量新增產(chǎn)能，隨后
2018-10-18 17:05:17
專業(yè)收購三星ddr帝歐電子高價回收三星ddr，長期求購三星ddr，帶板的也收，大量收購！?。〉蹥W趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購三星（K9
2021-04-06 18:09:48
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2021-10-26 19:13:52
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
，計劃將合作范圍自現(xiàn)行的液晶面板事業(yè)擴大至事務(wù)機事業(yè)。據(jù)報導(dǎo)，夏普計劃以O(shè)EM的形式提供事務(wù)機給三星(即為三星代工生產(chǎn)掛上三星品牌的事務(wù)機產(chǎn)品)，且為加強彼此的合作關(guān)系，三星也可能對夏普進行追加
2013-08-05 14:19:28
需求看淡 設(shè)備投資恐遞延存儲器價格下滑、資料中心的需求也有減緩的跡象，三星、SK海力士都出現(xiàn)縮小2019年半導(dǎo)體投資的征候。原先計劃進駐平澤的三星第二層DRAM工廠的設(shè)備時間延后，SK海力士也將新設(shè)
2018-12-24 14:28:00
TCL AT25286深圳三星純(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星純存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 11:28:5634 三星半導(dǎo)體工廠跳電 三星：已將損失降到最低
據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，全球最大存儲器廠商三星電子(Samsung Electronics)驚傳半導(dǎo)體廠房跳電消息，
2010-03-25 13:09:52820 三星電子(Samsung Electronics Co)20日宣布，與美國德州州政府已經(jīng)就39億美元的系統(tǒng)單芯片擴產(chǎn)計劃完成談判工作，投資案將如期啟動。 三星曾在8月21日宣布，德州Austin芯片廠將斥資40億美元
2012-12-23 11:53:11974 19日，據(jù)外媒報，三星移動業(yè)務(wù)部表示，三星將考慮從競爭對手SK海力士購入移動存儲芯片，以確保Galaxy S系列重要機型芯片供應(yīng)。而從移動芯片穩(wěn)步增長趨勢，反映DRAM供應(yīng)市場緊俏前景。
2013-04-22 09:58:481060 市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場（60.4%），不僅穩(wěn)居全球龍頭，也創(chuàng)下歷史新高。
2016-05-24 09:48:541191 自1980年代之后，韓國半導(dǎo)體業(yè)才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造，也即DRAM的研發(fā)。三星電子在存儲器方面的成功,有外在因素，如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等，顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。
2016-12-28 14:23:11564 觀察各廠技術(shù)與產(chǎn)能布局，三星今年的目標除了專注于18nm制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進外，近幾季DRAM同業(yè)的高獲利，亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產(chǎn)計劃，一方面應(yīng)對供給吃緊狀況，另一方面則期望提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑DRAM價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領(lǐng)先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術(shù)差距。
2017-11-14 14:00:14743 
2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創(chuàng)10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領(lǐng)跌。
2017-11-28 12:19:39928 根據(jù)21017年存儲器市場的需求來看，今年中韓存儲器業(yè)將紛紛擴大存儲器芯片產(chǎn)能，預(yù)定2018、2019 年投產(chǎn)。外界擔憂，大規(guī)模的擴產(chǎn)將有可能導(dǎo)致2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨。
2018-01-03 13:55:011561 三星手機存儲器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541 因2017年存儲器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足，飚價過高，三星等存儲器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國廠商將進行大規(guī)模的擴產(chǎn)存儲器，存儲器價格將會有所松動，也就是說三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089 全球市場調(diào)查公司顧能（Gartner）最新研究報告指出，三星2017年擠下英特爾，成為全球最大的半導(dǎo)體制造商，但隨著大陸存儲器廠大幅擴產(chǎn)，存儲器價格將下調(diào)，三星半導(dǎo)體龍頭寶座恐坐不久。
2018-06-28 11:18:00976 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095 ，因而引來政府關(guān)注，將可能使今年第一季的 DRAM 價格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲器芯片廠商，有近 48％ 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00956 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113863 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003740 根據(jù)市場研究公司IC Insights的資料，新的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線——特別是DRAM存儲器的導(dǎo)入，預(yù)計將推動2018年和2019年的晶圓總產(chǎn)能高于平均水準。
2018-07-06 12:51:001300 三星 17 日宣布，量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 三大存儲廠商三星,海力士,美光的存在讓很多小存儲廠商越來越?jīng)]有容身之地了，DRAM瘋漲和這三大廠商也有著千絲萬縷的聯(lián)系，他們背后做了些什么？
2018-05-25 13:41:455748 三星在半導(dǎo)體市場的地位舉足輕重，尤其是存儲器更是獨霸一方，但是這也導(dǎo)致三星的業(yè)務(wù)對于存儲器的依賴過于嚴重，而如今最火爆的AI方面，三星有些遲鈍了，該如何追趕成為現(xiàn)在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847 收成長 64%，也使得存儲器在 2017 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的總收入中占比達到 31%。而這樣的發(fā)展，雖然使得韓國三星一舉擠下了處理器大廠英特爾 （intel），成為全球最大的半導(dǎo)體制造商。不過，這樣的情況隨著中國存儲器廠的大幅擴產(chǎn)后，預(yù)計存儲器價格將會下調(diào)，讓三星這個半導(dǎo)體龍頭的寶座再拱手讓出。
2018-07-06 14:01:001521 三星17日宣布，量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。
2018-07-26 17:47:13760 存儲器業(yè)的情勢變化快速，不到一周前瑞銀分析師才出面高喊，2019年存儲器市場將有大修正，美光會受重創(chuàng)。幾天后，這位分析師態(tài)度大逆轉(zhuǎn)，指稱三星電子延后DRAM擴產(chǎn)計劃，讓他改變對美光的看法，決定上調(diào)美光目標價。
2018-08-11 09:28:00900 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā)，雖然三星目標2020年前量產(chǎn)16納米DRAM，不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943 全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃，決定延至今年底，為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449 IC Insights預(yù)計，存儲器占2018年三星半導(dǎo)體銷售額的84％，將比2017年的81％上升3個點；三星除存儲器外的其他半導(dǎo)體產(chǎn)品今年銷售額僅為135億美元，比2017年增長8％。相反，三星今年的存儲器銷售額預(yù)計將增長31％，達到700億美元。
2018-08-22 13:22:543887 
報導(dǎo)進一步指出，雖然針對存儲器的投資總體會減少。但是，在DRAM及NAND Flash快閃存儲器上還是有區(qū)別的。分析師認為，三星在2019年的半導(dǎo)體投資將減少8%，但NAND Flash快閃存儲器
2018-10-10 15:38:114645 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。
2018-10-25 15:54:001550 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃，業(yè)界認為，由于建廠時間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
2018-10-25 15:59:261447 就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026 三星1982年進入半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域，1993年至今一直為該領(lǐng)域世界第一，本文旨在研究其發(fā)展歷程和成功因素，從三星的危機意識、挑戰(zhàn)精神和速度文化入手，分析三星如何在技術(shù)追趕期實現(xiàn)反超，如何在技術(shù)領(lǐng)先期保持領(lǐng)先，以此獲得對我們工作的啟示啟發(fā)。
2019-03-04 14:02:167886 
半導(dǎo)體市場研究機構(gòu) IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示，由于存儲芯片（主要包括DRAM和NAND閃存）市場景氣周期結(jié)束，三星電子在2019年的營收可能會下降19.7%。
2019-07-12 16:39:32744 當前存儲器市況仍不佳，加上日韓貿(mào)易沖突不確定性增加等因素，韓國科技大廠三星已經(jīng)決定暫緩2019年下半年針對平澤市P2存儲器生產(chǎn)線的投資。
2019-07-29 10:15:333057 近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國，對業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無減產(chǎn)DRAM等存儲器芯片的打算，還說日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384645 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 根據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，在當前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備，也
2019-10-30 15:15:303224 據(jù)韓國業(yè)界 27 日消息，三星電子重啟存儲器投資項目。據(jù)了解，目前新建的平澤存儲器第二工廠和中國西安第二工廠已經(jīng)開始進入半導(dǎo)體設(shè)備訂購階段。
2019-11-19 10:37:46998 3月18日，據(jù)韓國媒體報道，三星電子已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機存儲器，該存儲器能夠在4秒內(nèi)存儲5GB內(nèi)容，相當于一部藍光電影。
2020-03-20 10:51:281830 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320 的投資額就達8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌鸑AND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173959 這種缺貨現(xiàn)象自去年開始至今不見任何改善，年初就傳出索尼產(chǎn)能不足，首度將高端 CIS 晶片下單臺積電，全球 CIS 元件二哥三星亦傳出挪出部分 DRAM 生產(chǎn)線，計劃擴產(chǎn) 20%，另外，豪威也陸續(xù)
2020-08-26 14:52:324755 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 DIGITIMES消息，據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息，受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響，CIS需求跟著激增，三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示，三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918 根據(jù)相關(guān)報道消息稱，根據(jù)三星顯示（SDC）向牙山產(chǎn)業(yè)園LCD產(chǎn)線職員透露消息，三星將停產(chǎn)液晶面板的計劃進一步延期，可能最長延遲到明年底，而有意思的是，這也是三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)計劃的再次延后。
2020-12-28 15:49:032454 韓國三星顯示（SDC）淘汰8代LCD產(chǎn)線，傳出將賣給中國大陸面板廠TCL華星。由于三星顯示8代LCD線擁有COA（Color Filter on Array）技術(shù)，因此備受中國大陸業(yè)界關(guān)注。
2021-02-04 08:41:333258 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391353 
但這并不是全部，報道稱三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年，在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前，公司將避免擴產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計，明年下半年三星的DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片，較目前水平進一步減少。
2023-07-06 15:57:361181 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道，三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 三星電子副總裁Kim Jae-jun表示：“對生成人工智能（ai）等高性能產(chǎn)品的運行非常重要的尖端
存儲器的需求正在迅速增加?！毕喾?，自去年以后，隨著
存儲器業(yè)界的資本投資減少，韓國尖端node技術(shù)的擴張受到了限制?！?/div>
2023-11-01 10:52:091208 Kim Jae-jun補充道：“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位，以確保其中長期競爭力。”三星電子負責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753 根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調(diào)DRAM價格，漲幅預(yù)計將達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 在半導(dǎo)體存儲行業(yè)，三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然而，近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱，這兩大巨頭的通用DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)線開工率目前維持在80%~90%的水平，顯示出市場供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244 1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ，現(xiàn)已通報客戶 ? 6月26日，多家媒體報道稱，三星計劃于第三季度把動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、NAND的價格上調(diào)15%~20
2024-06-27 11:02:40754 三星電子于6日正式宣布，其已成功實現(xiàn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的12納米級低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率動態(tài)隨機存儲器（LPDDR5X DRAM）的量產(chǎn)，這款存儲器以驚人的0.65毫米封裝厚度引領(lǐng)行業(yè)，同時提供12GB及16GB的存儲容量選項。
2024-08-06 15:30:421408 據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設(shè)先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機存儲器，是一種半導(dǎo)體存儲器，用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持數(shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 近期，據(jù) Business Korea 報道，三星電子正在擴大國內(nèi)外投資，以強化其先進半導(dǎo)體封裝業(yè)務(wù)。封裝技術(shù)決定了半導(dǎo)體芯片如何適配目標設(shè)備，而對于 HBM4 等下一代高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品
2024-11-25 15:28:04953 據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361 已全部加載完成
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