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三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

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三星全面布局智能家居 扭轉(zhuǎn)頹勢

低迷期過后,三星高調(diào)亮相中國上海。Note9和ODM瞄準(zhǔn)智能手機市場,推出智能家居IOT平臺“三星智家”扭轉(zhuǎn)頹勢。
2018-08-20 15:49:001645

三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價位。
2018-10-09 10:46:394310

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026

英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片新技術(shù)

在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-21 11:17:393985

三星危機!亞馬遜打響第一槍

亞馬遜正在聯(lián)系其他制造商以取代有問題的三星DRAM
2019-04-19 15:03:592895

三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

三星和英特爾將加快嵌入式MRAM的研發(fā)腳步

全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在第64屆國際電子組件會議(IEDM)上,發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。
2019-10-02 12:45:00997

臺工研院MRAM技術(shù),比臺積電和三星更穩(wěn)定

臺工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議(IEDM)中發(fā)表鐵電存儲器(FRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)等6篇技術(shù)論文。其中,從研究成果顯示,工研院相較臺積電、三星MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢。
2019-12-10 14:15:493198

DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對于Everspin而言,Toggle MRAM的成功正在幫助推動其
2020-07-28 11:26:411271

三星代工IBM最新處理器芯片

來源:半導(dǎo)體行業(yè)圈 國際商業(yè)機器公司(IBM)周一宣布推出一款新的數(shù)據(jù)中心處理器芯片,處理能力將提高2倍,這款IBM設(shè)計的Power10芯片將由三星電子生產(chǎn),用于企業(yè)內(nèi)部的數(shù)據(jù)中心處理
2020-09-04 16:34:283204

MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較

基礎(chǔ)。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等家大企業(yè)提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標(biāo)及產(chǎn)品目標(biāo)要求如下: 技術(shù)指標(biāo): 具有sram芯片的隨機存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲密度; 具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。 產(chǎn)品目標(biāo): 取代計算機的DRAM內(nèi)存,
2020-09-07 18:19:336600

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴重不足

三星正利用這一時期擴大領(lǐng)先優(yōu)勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星加入歐洲5G競賽中,取代華為

歐洲運營商正面臨來自美國的壓力,要求他們在未來5G網(wǎng)絡(luò)中避免使用華為的設(shè)備。三星似乎從中看到了機會,正加入到歐洲5G競賽中,為運營商們提供相關(guān)技術(shù)設(shè)備。然而初步談判表明,三星取代華為的嘗試并不容易。
2020-12-18 09:07:291893

三星將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

STT-RAM取代DRAM內(nèi)存

自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器(STT-RAM)技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢,SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390

切換面向5G的MRAM準(zhǔn)備

高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,三星同樣跨過了28nm,直接開始研發(fā)25nm工藝,最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244

三星研發(fā)出運算存儲MRAM

三星半導(dǎo)體宣布,通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實現(xiàn)了基于MRAM(磁阻式隨機存取存儲)的存儲內(nèi)運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術(shù)。
2022-11-10 12:16:211045

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

RAM和NAND再遇強敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:531113

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時,管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實驗室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?
2024-05-09 18:46:35924

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計,應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否認重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設(shè)計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關(guān)其將重新設(shè)計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報道指出,三星電子為應(yīng)對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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