電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:00
4504 是電容器在特定工作條件下(如最高溫度、特定頻率)能夠安全承受的交流紋波電流有效值。這一能力與電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)、散熱設(shè)計(jì)、材料特性等因素密切相關(guān)。三星作為全球領(lǐng)先的電子元件制造商，其電容器產(chǎn)品通常經(jīng)過(guò)嚴(yán)格
2025-12-31 15:31:3154 
三星電子宣布其將于2026年推出全新升級(jí)的Micro RGB電視產(chǎn)品線(xiàn)，涵蓋65英寸級(jí)、75英寸級(jí)、85英寸級(jí)、100英寸級(jí)及115英寸級(jí)多種型號(hào)1。此次產(chǎn)品線(xiàn)的擴(kuò)充，標(biāo)志著三星Micro RGB顯示技術(shù)邁入新階段，為高端家庭觀影樹(shù)立了全新標(biāo)桿。
2025-12-26 14:11:24258 2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
2025-12-03 17:46:221329 2025年11月6日，深圳華芯星半導(dǎo)體有限公司雙喜臨門(mén)——深圳華芯星半導(dǎo)體有限公司與華強(qiáng)科技生態(tài)園研發(fā)總部落地簽約儀式、深圳華芯星半導(dǎo)體有限公司與深圳市東方聚成科技有限公司并購(gòu)簽約儀式在華強(qiáng)科技生態(tài)園7B一樓大廳相繼隆重舉行。各方核心團(tuán)隊(duì)及相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)齊聚現(xiàn)場(chǎng)，共同見(jiàn)證這兩大戰(zhàn)略舉措落地的重要時(shí)刻。
2025-11-10 15:42:41619 AI平臺(tái)推動(dòng)制造與人形機(jī)器人技術(shù)，邁向更高水平的智能化與自主化 ? ? 中國(guó) ?– 2025年10月31日 – ?三星半導(dǎo)體今日宣布與NVIDIA攜手打造人工智能（AI）工廠，標(biāo)志著三星在AI驅(qū)動(dòng)制造
2025-11-03 13:41:431633 電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無(wú)源元器件。
可以在 CV 和 IV 測(cè)量之間快速切換，無(wú)需重新連接線(xiàn)纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測(cè)試儀器無(wú)法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測(cè) 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
今日，國(guó)內(nèi)高端電子材料領(lǐng)域迎來(lái)里程碑時(shí)刻。鉅合（上海）新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鉅合新材”）宣布，其歷經(jīng)十年潛心研發(fā)的SECrosslink系列芯片燒結(jié)銀膏，已通過(guò)全球多家半導(dǎo)體企業(yè)的嚴(yán)格測(cè)試與評(píng)估，憑借卓越的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定的可靠性，正式確立其在半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌地位。
2025-10-14 17:28:16591 器，隸屬于電源管理芯片范疇，核心適配功率＜250W 的離線(xiàn)式與 DC-DC 開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)景。該芯片由三星半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)研發(fā)，以 “高兼容性、寬環(huán)境適配、強(qiáng)功能集成” 為核心優(yōu)勢(shì)，不僅具備工業(yè)級(jí)
2025-10-14 09:28:49
先進(jìn)材料正在催生傳統(tǒng)硅基技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新突破。然而，化合物半導(dǎo)體制造面臨獨(dú)特挑戰(zhàn)，亟需高精尖解決方案支撐。本文將深入剖析：先進(jìn)數(shù)據(jù)分析與端到端
2025-10-14 09:19:17654 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心材料
2025-10-13 18:29:43402 堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量基礎(chǔ)。
二、全面檢測(cè)，護(hù)航產(chǎn)品品質(zhì)
從產(chǎn)品研發(fā)、來(lái)料檢驗(yàn)；從晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試；再到成品出廠前的最終檢驗(yàn)測(cè)試，BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)可貫穿應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的全流程。不僅
2025-10-10 10:35:17
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)模化應(yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091410 
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
的互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)，正式建立全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同聚焦碳化硅與氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，助力全球能源革命與工業(yè)升級(jí)。
2025-09-12 15:45:31721 9月4日，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展在無(wú)錫太湖國(guó)際博覽中心隆重開(kāi)幕。本次展會(huì)以“半導(dǎo)體嘉年華”為主題，匯聚了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè)，共同展示前沿技術(shù)、核心設(shè)備與創(chuàng)新材料，推動(dòng)行業(yè)交流與合作。
2025-09-08 16:08:47754 據(jù)央視報(bào)道；在8月29日，美國(guó)商務(wù)部撤銷(xiāo)英特爾半導(dǎo)體（大連）、三星中國(guó)半導(dǎo)體及SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）的經(jīng)驗(yàn)證最終用戶(hù)授權(quán)。中方商務(wù)部回應(yīng)稱(chēng)美方此舉系出于一己之私；美方將出口管制工具化，將對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定產(chǎn)生重要不利影響，中方對(duì)此表示反對(duì)。 ?
2025-08-31 20:44:16825 在過(guò)去的GSA高管論壇上，三星半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁MarcoChisari、SAP全球高科技副總裁JeffHowell及普迪飛CEOJohnKibarian等行業(yè)領(lǐng)軍者圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心挑戰(zhàn)展開(kāi)深度對(duì)話(huà)
2025-08-19 13:48:141163 《金融時(shí)報(bào)》8 月 7 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果將攜手三星公司，在三星位于得克薩斯州奧斯汀的半導(dǎo)體工廠內(nèi)，合作研發(fā)和量產(chǎn)創(chuàng)新芯片技術(shù)，將為 iPhone 18 提供三層堆疊圖像傳感器。 ? ? 據(jù)報(bào)道
2025-08-08 18:23:46841 蘋(píng)果稱(chēng)正與三星公司在奧斯汀的半導(dǎo)體工廠合作，開(kāi)發(fā)一種創(chuàng)新的新芯片制造技術(shù)。 在新聞稿中蘋(píng)果還宣布了將追加1000億美元布局美國(guó)制造，這意味著蘋(píng)果公司未來(lái)四年對(duì)美國(guó)的總投資承諾達(dá)到6000億美元。 有業(yè)內(nèi)觀察人士認(rèn)為，這款芯
2025-08-07 16:24:081288 我們來(lái)看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱(chēng)，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
2025-07-31 19:47:071591 空間、降低研發(fā)生產(chǎn)成本，在小型家電中實(shí)現(xiàn)能效、空間與成本的優(yōu)化平衡。
突破能效瓶頸，駕馭小型化浪潮！面對(duì)家電與工業(yè)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域?qū)Ω咝?、極致緊湊、超強(qiáng)可靠性與成本控制的嚴(yán)苛需求，深?lèi)?ài)半導(dǎo)體重磅推出
2025-07-23 14:36:03
7月9日-11日，AMTS 2025第二十屆上海國(guó)際汽車(chē)制造技術(shù)與裝備及材料展覽會(huì)于上海新國(guó)際博覽中心成功舉行。此次AMTS大會(huì)，專(zhuān)門(mén)設(shè)置了智能機(jī)器人展區(qū)，意在賦能工業(yè)化場(chǎng)景，拉通供應(yīng)鏈上下游合作。高云半導(dǎo)體攜其多款FPGA產(chǎn)品及工業(yè)領(lǐng)域典型應(yīng)用方案參展，吸引了眾多觀眾的關(guān)注和討論。
2025-07-17 10:34:001118 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊： 三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月?tīng)I(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.3萬(wàn)億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)
2025-07-07 14:55:29587 在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過(guò)程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。
2025-07-07 11:19:401346 
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 作為三星MLCC授權(quán)代理商，我們貞光科技深耕汽車(chē)電子領(lǐng)域多年，見(jiàn)證了新能源汽車(chē)市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。車(chē)規(guī)級(jí)MLCC需求激增，選擇專(zhuān)業(yè)可靠的代理商變得至關(guān)重要。三星車(chē)規(guī)MLCC——貞光科技核心代理產(chǎn)品技術(shù)
2025-07-01 15:53:42738 
，半導(dǎo)體溫控技術(shù)背后的運(yùn)作邏輯是什么？相比其他溫控方式，它又具備哪些獨(dú)特之處？
半導(dǎo)體溫控的核心原理基于帕爾貼效應(yīng)。當(dāng)直流電通過(guò)由兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)構(gòu)成的電偶時(shí)，電偶兩端會(huì)分別產(chǎn)生吸熱和放熱現(xiàn)象。通過(guò)
2025-06-25 14:44:54
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體制造的核心，在于精準(zhǔn)與效率的雙重博弈。對(duì)許多制造商而言，尤其在面對(duì)非傳統(tǒng)材料及復(fù)雜制造條件時(shí)，如何維持高產(chǎn)量成為一道難以逾越的技術(shù)門(mén)檻。
2025-06-24 09:18:01765 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46551 
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類(lèi)，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來(lái)源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57968 
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車(chē)芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點(diǎn)是“優(yōu)化內(nèi)存
2025-06-09 18:28:31879 蘇州這片兼具人文底蘊(yùn)與創(chuàng)新活力的土地，自成立伊始，便將全部心血傾注于半導(dǎo)體高端裝備制造，專(zhuān)注于清洗機(jī)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。這里匯聚了行業(yè)內(nèi)的精英人才，他們懷揣著對(duì)技術(shù)的熱忱與執(zhí)著，深入探究半導(dǎo)體清洗技術(shù)
2025-06-05 15:31:42
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382337 
三星MLCC電容的微型化技術(shù)通過(guò)減小元件尺寸、提升單位體積容量、優(yōu)化電路板空間利用率及支持高頻高容量需求，直接推動(dòng)了電子產(chǎn)品的輕薄化進(jìn)程，具體如下： 1、先進(jìn)的材料與工藝 ：三星采用高介電常數(shù)
2025-05-28 14:30:56657 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù)，正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激光加工技術(shù)特點(diǎn)和激光與材料相互作用過(guò)程，重點(diǎn)介紹了超快激光精密加工技術(shù)在硬脆半導(dǎo)體晶體切割、半導(dǎo)體晶圓劃片中的應(yīng)用，并提出相關(guān)技術(shù)提升方向。
2025-05-22 10:14:061328 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線(xiàn)，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星指紋排線(xiàn)，收購(gòu)三星指紋排線(xiàn)，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線(xiàn)，專(zhuān)業(yè)求購(gòu)指紋排線(xiàn)。
回收三星S系列指紋排線(xiàn)，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門(mén)檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。
2025-05-15 16:50:181521 
日前，2025中國(guó)浙江（海寧）半導(dǎo)體裝備及材料博覽會(huì)在海寧會(huì)展中心拉開(kāi)帷幕。本次展會(huì)匯聚了全球多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，聚焦芯片制造、封裝測(cè)試、材料研發(fā)等核心領(lǐng)域。浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2025-05-13 16:07:201596 摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿(mǎn)足要求。本文不介紹駐極體材料，重點(diǎn)介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料。材料可以是P型摻雜的硅，也可以是P型摻雜的聚苯胺（有機(jī)半導(dǎo)體）。因?yàn)镻型摻雜的半導(dǎo)體是通過(guò)空穴導(dǎo)電的，這種材料不產(chǎn)生
2025-05-10 22:32:27
與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專(zhuān)家與企業(yè)代表。
作為專(zhuān)注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類(lèi)科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
改進(jìn)EUV光刻制造技術(shù)。與此同時(shí)，三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。 ? 據(jù)外媒報(bào)道，ASML現(xiàn)在似乎放棄了與三星的合作建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施，開(kāi)始將早期購(gòu)買(mǎi)的土地出售。據(jù)了解，ASML在去年購(gòu)入了6塊土地，總面積達(dá)到了約19000平方米，其中2塊已
2025-04-22 11:06:001488 方式來(lái)改進(jìn)電容器表現(xiàn)，但穩(wěn)定性尚未達(dá)到預(yù)期水平，很可能會(huì)拖慢 1c nm 進(jìn)度。
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“從三星電子的角度來(lái)看，剩下的任務(wù)是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術(shù)?！?
2025-04-18 10:52:53
SamMobile報(bào)道稱(chēng)；三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)延長(zhǎng)工時(shí)的申請(qǐng)獲得勞動(dòng)部京畿道分支機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。韓國(guó)政府允許三星半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)的員工每周工作最長(zhǎng) 64 小時(shí)，具體來(lái)說(shuō)，在前三個(gè)月每周工作最長(zhǎng) 64 小時(shí)，隨后三個(gè)月每周最長(zhǎng) 60 小時(shí)， 三星成為首家獲準(zhǔn)延長(zhǎng)工時(shí)
2025-04-16 11:20:32799 本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291640 
以及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域擁有更廣泛的應(yīng)用前景。 量子點(diǎn)是一種超微細(xì)的半導(dǎo)體顆粒，其發(fā)光顏色會(huì)隨著顆粒大小變化而改變，進(jìn)而呈現(xiàn)出極其純凈和鮮艷的色彩。作為全球領(lǐng)先的電視制造商，三星電子將這一尖端材料應(yīng)用于顯示技術(shù)中，以
2025-04-14 14:43:44614 對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱(chēng)““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說(shuō)法屬誤傳，三星仍在正常開(kāi)展與這些公司的合作。 而且有媒體報(bào)道稱(chēng)瑞芯微公司等合作客戶(hù)也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。
2025-04-10 18:55:33770 半導(dǎo)體：硅與鍺的奠基時(shí)代 時(shí)間跨度： 20世紀(jì)50年代至70年代 核心材料： 硅（Si）、鍺（Ge） 硅（Si） 鍺（Ge） 優(yōu)勢(shì)： ①成本低廉：硅是地殼中含量第二的元素，原材料豐富且提純技術(shù)成熟。 ②工藝成熟：基于硅的集成電路制造技術(shù)高度
2025-04-10 15:58:562597 科在中國(guó)的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 （簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽科 ，共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023805 
在日前舉行的2025年博鰲亞洲論壇年會(huì)上，人工智能議題再度成為關(guān)注的熱點(diǎn)。在這場(chǎng)關(guān)乎未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力的探討中，三星憑借科技實(shí)力，在人工智能領(lǐng)域前瞻布局，通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，展現(xiàn)了其在推動(dòng)AI發(fā)展方面的堅(jiān)定
2025-03-28 15:43:46832 
前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的三個(gè)主要階段，它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">制造過(guò)程中扮演著不同的角色。
2025-03-28 09:47:506248 
在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿(mǎn)足了
2025-03-20 15:44:591928 
三星電容的MLCC(多層陶瓷電容器)技術(shù)具有顯著優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 一、介質(zhì)材料技術(shù)的突破 高介電常數(shù)陶瓷材料：三星采用具有高介電常數(shù)的陶瓷材料，如BaTiO?、Pb(Zr,Ti
2025-03-13 15:09:061044 發(fā)展戰(zhàn)略。我們將持續(xù)進(jìn)行研發(fā)投入，吸引更多優(yōu)秀人才加入我們的團(tuán)隊(duì)，不斷提升自身的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力。同時(shí)，我們也將加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作，共同構(gòu)建良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，攜手推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步。
2025-03-13 14:21:54
【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng)，同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過(guò)渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061187 是德科技(NYSE: KEYS )與三星和 NVIDIA 合作，訓(xùn)練用于三星 5G-Advanced 和 6G 技術(shù)的人工智能(AI)模型。這使得三星能夠在其虛擬無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng)絡(luò)(vRAN)軟件解決方案
2025-03-06 14:28:351069 北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
三星電容的耐壓與容量是滿(mǎn)足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的耐壓值識(shí)別與選擇 1、耐壓值的概念 ：電容長(zhǎng)期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57975 
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 三星半導(dǎo)體部門(mén)宣布已成功開(kāi)發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來(lái)的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282481 三星公司于2月18日正式宣布，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omida的最新數(shù)據(jù)，三星再次穩(wěn)居全球電視品牌銷(xiāo)量榜首，這一輝煌成就已經(jīng)連續(xù)保持了19年。 數(shù)據(jù)顯示，2024年三星在全球電視市場(chǎng)中的份額高達(dá)28.3
2025-02-19 11:43:561083 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子為增強(qiáng)在AI時(shí)代的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，計(jì)劃任命半導(dǎo)體專(zhuān)家進(jìn)入董事會(huì)。這一決策旨在優(yōu)化董事會(huì)構(gòu)成，解決此前被批評(píng)的官僚和金融專(zhuān)家過(guò)多、技術(shù)專(zhuān)家不足的問(wèn)題。 據(jù)悉，三星電子DS
2025-02-19 11:25:57876 【編者按】 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議 （IEDM） 是全球領(lǐng)先的微電子器件制造和材料技術(shù)論壇，展現(xiàn)最前沿的半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理材料領(lǐng)域的技術(shù)突破。IEDM會(huì)議議題涉及納米級(jí)CMOS
2025-02-14 09:18:502138 
2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門(mén)產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
領(lǐng)域的首選。我們一起來(lái)看看三星電容高可靠性的核心優(yōu)勢(shì)及其在工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的原因有哪些? 1. 卓越的技術(shù)與制造工藝 三星電容采用先進(jìn)的材料和制造工藝，確保產(chǎn)品在極端環(huán)境下仍能保持高性能。例如： 高純度材料 ：使用高純度陶瓷粉末和金屬電極材料，減少雜質(zhì)
2025-02-12 14:35:07689 
近日，三星宣布了一項(xiàng)大規(guī)模的汽車(chē)召回計(jì)劃，此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計(jì)180,196輛汽車(chē)。這些車(chē)輛因搭載了存在故障風(fēng)險(xiǎn)的三星高壓電池組，有可能導(dǎo)致火災(zāi)事故的發(fā)生，因此被
2025-02-10 09:32:131352 市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。 首先，三星在介質(zhì)材料技術(shù)方面取得了重大突破。MLCC的核心是采用具有高介電常數(shù)的陶瓷材料，如BaTiO?、Pb(Zr,Ti)O?(PZT)或改良的復(fù)合陶瓷系統(tǒng)。這些材料在電場(chǎng)作用下能儲(chǔ)存大量電荷，從而實(shí)現(xiàn)高電容密度。三星通過(guò)先進(jìn)的粉末制備
2025-02-08 15:52:321005 近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即進(jìn)軍半導(dǎo)體玻璃基板市場(chǎng)。據(jù)悉，三星電子正在積極與多家材料、零部件、設(shè)備（特別是中小型設(shè)備）公司尋求合作，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體玻璃基板的商業(yè)化生產(chǎn)。
2025-02-08 14:32:03927 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營(yíng)收達(dá)到6260億美元，同比增長(zhǎng)18.1%。分廠商來(lái)看的話(huà)，三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星；得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
2025-02-05 16:49:551828 
在半導(dǎo)體設(shè)備防震基座制造中，品管部對(duì)原材料檢驗(yàn)流程質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)的控制至關(guān)重要，可從檢驗(yàn)前規(guī)劃、檢驗(yàn)過(guò)程把控、檢驗(yàn)后處理等環(huán)節(jié)采取措施：一：檢驗(yàn)前的規(guī)劃與準(zhǔn)備1，明確質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：與研發(fā)、生產(chǎn)等部門(mén)共同制定
2025-02-05 16:47:15717 
——7.05萬(wàn)億韓元，顯示出三星電子在經(jīng)營(yíng)和盈利能力上的穩(wěn)健。 在資本支出方面，三星電子在2024年的總支出為53.6萬(wàn)億韓元，其中芯片資本支出占據(jù)了大部分，達(dá)到了46.3萬(wàn)億韓元。這一大手筆的投資不僅彰顯了三星電子對(duì)于芯片業(yè)務(wù)的重視，也反映出其在半導(dǎo)體
2025-02-05 14:56:10811 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿(mǎn)足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類(lèi)型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 有序的芯片單元，每個(gè)小方塊都預(yù)示著一個(gè)未來(lái)可能大放異彩的芯片。芯片的尺寸大小，直接關(guān)聯(lián)到單個(gè)晶圓能孕育出的芯片數(shù)量。 半導(dǎo)體制造流程概覽 半導(dǎo)體的制造之旅可以分為三大核心板塊：晶圓的生產(chǎn)、封裝以及測(cè)試。晶圓的生
2025-01-28 15:48:001181 
近日，三星電子在美國(guó)加州圣何塞成功舉辦了年度“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)，會(huì)上不僅推出了備受矚目的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌聯(lián)合開(kāi)發(fā)的Project Moohan頭顯設(shè)備。
2025-01-24 14:23:431394 在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上，每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中，原子層沉積（ALD）技術(shù)，作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星，正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對(duì)ALD技術(shù)情有獨(dú)鐘，并揭示其獨(dú)特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:211922 近日，三星電子在美國(guó)加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)。會(huì)上，三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌共同研發(fā)
2025-01-24 10:22:431240 在這個(gè)充滿(mǎn)挑戰(zhàn)與機(jī)遇的時(shí)代，我們自豪地宣布，憑借卓越的技術(shù)實(shí)力與不懈的創(chuàng)新追求，我們榮耀地摘得了法國(guó)電子分銷(xiāo)協(xié)會(huì)SPDEI頒發(fā)的“數(shù)字半導(dǎo)體年度制造商”殊榮！
2025-01-23 14:39:421025 近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策，將大幅削減其晶圓代工部門(mén)在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露，與上一年相比，此次削減幅度將超過(guò)一半。 具體來(lái)說(shuō)，三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬(wàn)億韓元
2025-01-23 14:36:19859 工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線(xiàn)轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2nm工藝，以進(jìn)一步提升其半導(dǎo)體制造技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領(lǐng)域的堅(jiān)定布局和持續(xù)
2025-01-23 11:32:151081 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱(chēng)，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408 半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對(duì)裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。 三星
2025-01-22 11:30:15962 進(jìn)制程工藝的良率，而這恰恰是三星在先進(jìn)制程方面的最大痛點(diǎn)。 據(jù)悉，三星System LSI部門(mén)已經(jīng)改變了此前晶圓代工獨(dú)自研發(fā)的發(fā)展路線(xiàn)，轉(zhuǎn)而尋求外部聯(lián)盟合作，不過(guò)縱觀全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家企業(yè)具有尖端制程工藝代工的能
2025-01-20 08:44:003449 
近日，諾基亞宣布了一項(xiàng)與三星達(dá)成的多年專(zhuān)利許可協(xié)議。該協(xié)議標(biāo)志著兩家科技巨頭在專(zhuān)利交叉授權(quán)領(lǐng)域的新一輪合作，特別是針對(duì)電視視頻技術(shù)的使用。 據(jù)諾基亞于1月15日發(fā)布的聲明顯示，三星將在其電視產(chǎn)品中
2025-01-17 09:50:18830 來(lái)源韓媒 Businesskorea 三星電機(jī)宣布與當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">材料公司 Soulbrain 建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，開(kāi)發(fā)玻璃基板材料，玻璃基板是下一代人工智能 (AI) 半導(dǎo)體的關(guān)鍵部件。此次合作的目標(biāo)是到
2025-01-16 11:29:51992 光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料，如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性，以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備 光耦的芯片制備包括發(fā)光二極管和光敏元件的制造
2025-01-14 16:55:081780 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子正在美國(guó)得克薩斯州泰勒市加速推進(jìn)一座先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片工廠建設(shè)。為了支持這一重大投資項(xiàng)目，三星電子聲稱(chēng)已經(jīng)獲得了美國(guó)政府提供的47.4億美元(折合當(dāng)前匯率約為348.34
2025-01-14 13:55:41930 如何提高半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的制造效率？-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司提高半導(dǎo)體設(shè)備防震基座的制造效率是一個(gè)綜合性的過(guò)程，需要從多個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)，以下是一些可行的方法：1，優(yōu)化生產(chǎn)流程（1)價(jià)值流
2025-01-08 15:06:57751 
隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592707
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