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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星計劃明年資本支出預(yù)算提到1.5倍,欲想獨霸DRAM和閃存市場

三星計劃明年資本支出預(yù)算提到1.5倍,欲想獨霸DRAM和閃存市場

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2012-12-21 19:28:08

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臺積電明年資本支出有望達(dá)到百億美元

10月18日下午消息,業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,如果臺積電順利拿到蘋果A7處理器訂單,明年資本支出有機(jī)會達(dá)到百億美元,拉近與英特爾間的資本支出規(guī)模差距。
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DRAM內(nèi)存今年繼續(xù)缺貨、漲價:三星成主要推手

用戶,金士頓表態(tài)稱今年DRAM內(nèi)存還會面臨缺貨窘境,價格也會繼續(xù)上漲。據(jù)了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。
2017-01-16 10:40:24836

今年半導(dǎo)體資本支出同比再增加 三星居榜首

再增加6%,預(yù)期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數(shù),臺積電則減2%,使得臺積電今年資本支出預(yù)估100億美元,低于英特爾的120億美元、退居第位。
2017-03-06 17:38:11754

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點

三星不僅是智能手機(jī)市場的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕,這大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對手,手機(jī)OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:021878

三星閃存規(guī)格書

三星閃存規(guī)格書
2017-10-17 08:41:4734

受惠晶片,三星電子Q3業(yè)績創(chuàng)新高,計劃明年繼續(xù)擴(kuò)產(chǎn)DRAM

市場調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦科技發(fā)出預(yù)警,指出三星有可能擴(kuò)大明年DRAM產(chǎn)出,將其明年位元產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的18%成長上升至23%,此舉有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。
2017-10-31 15:49:39611

三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%

三星的開支計劃到底有多么兇猛?IC Insights預(yù)計,三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元,將占到整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%(整個行業(yè)第四季度支出預(yù)計達(dá)到262億美元)。同時,三星在第四季度的半導(dǎo)體銷售額占整個行業(yè)的16%左右。
2017-11-15 15:41:331306

三星2017年半導(dǎo)體行業(yè)巨額開支,打擊中國存儲器競技資格

。   根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報告指出,今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長35%,達(dá)到908億美元。   而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元,是去年支出的兩還多
2017-11-17 11:24:251522

DRAM、NAND閃存芯片供不應(yīng)求,三星Q4營利980億元

內(nèi)存/SSD齊漲價模式還沒有叫停,供求還在不斷地增加,三星計劃增產(chǎn)內(nèi)存來解決明年內(nèi)存市場短缺的問題。據(jù)報道,受內(nèi)存/SSD齊漲價影響,三星Q4利潤預(yù)計暴漲77%。
2017-12-08 13:28:341013

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場商機(jī)

三星DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145

標(biāo)普全球市場情報:三星年資本投資達(dá)440億美元

集微網(wǎng)消息,據(jù)標(biāo)普全球市場情報(S&P Global Market Intelligence)估計,三星年資本投資達(dá)440億美元,高過傳統(tǒng)重量級資本投資人荷蘭皇家殼牌石油和美國艾克森美孚的金額合計
2018-01-10 19:40:09682

三星戰(zhàn)華為 計劃明年量產(chǎn)5G芯片

在去年三星電信設(shè)備營收得到了很大的漲幅,更是刺激了三星持續(xù)投入電信設(shè)備業(yè)務(wù),三星一直將華為最為強(qiáng)勁的競爭對手,5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)剛好給三星提供機(jī)會,據(jù)悉,三星計劃將在2019年量產(chǎn)5G芯片。
2018-01-19 11:47:561048

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價格比一般DRAM貴5。
2018-02-07 14:47:531952

三星砸1750億元建新工廠DRAM內(nèi)存顆粒 計劃在2019年第二季度末完工

三星砸1750億元建新工廠DRAM內(nèi)存顆粒,新工廠也同時具備內(nèi)存、閃存生產(chǎn)能力,但是三星尚未決定具體先做哪一個,肯定是要看后續(xù)市場需求,比如原有工廠最初就打算生產(chǎn)內(nèi)存。新工廠計劃在2019年第二季度末完工.
2018-03-03 11:38:013154

三星與智原擴(kuò)大合作爭奪臺積電市場地位

全球第二大晶圓代工廠格芯(GF)決定無限期擱置7納米投資計劃后,7納米及更先進(jìn)制程晶圓代工市場將呈現(xiàn)臺積電及三星雙雄競逐局面。臺積電結(jié)合旗下創(chuàng)意分進(jìn)合擊,三星則與智原擴(kuò)大合作,明年可望在7納米及8納米市場搶下多款A(yù)SIC訂單。
2018-09-12 16:52:002745

英特爾宣布將下調(diào)今年資本支出,并證實10納米處理器明年底旺季才會上市

全球電腦中央處理器龍頭英特爾持續(xù)調(diào)高今年資本支出規(guī)模至150億美元,高于臺積電。但英特爾也證實,10納米處理器將持續(xù)延到明年底旺季才會上市,在先進(jìn)制程進(jìn)度上持續(xù)落后臺積電和三星。
2018-07-30 17:30:001907

三星推遲擴(kuò)產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星電子計劃明年下調(diào)內(nèi)存芯片產(chǎn)量的增速

“如果三星確實削減其DRAM容量增長,則表明該公司對目前的寡頭壟斷市場的結(jié)構(gòu)感到滿意,” 彭博行業(yè)研究駐香港的分析師Anthea Lai說,“三星傾向于保持供應(yīng)的緊張和高價,而不是占據(jù)市場份額并冒降價的風(fēng)險,因此DRAM價格保持強(qiáng)勁的可能性更高?!?/div>
2018-09-26 16:07:143129

鑒于預(yù)期需求放緩,三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預(yù)期需求放緩,三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅,以確保供應(yīng)緊縮。
2018-09-28 15:10:311120

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

日媒報道稱三星明年資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價位。
2018-10-09 10:46:394310

2019年三星DRAM的投資大砍20%,以維持市場價格的高水位

儲器投資仍將持續(xù)增加。至于DRAM部分則是則是大減20%資本支出,這顯示出三星在這兩個產(chǎn)品上的策略有所不同。
2018-10-10 15:38:114645

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星電子有意放緩內(nèi)存產(chǎn)能?降價等著吧

預(yù)計動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)容量增速在不到20%,Nand閃存增速在30%。三星今年早些時候曾表示,預(yù)計DRAM今年增速在20%,而Nand則在40%。 內(nèi)存容量增速是衡量市場需求的試金石。預(yù)測的下降可能導(dǎo)致芯片制造商削減設(shè)備和材料訂單等投
2018-10-13 20:12:01184

三星將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢止歇。
2018-10-25 15:59:261447

預(yù)計明年Q1季度DRAM內(nèi)存環(huán)比降幅高達(dá)10-15%

經(jīng)過兩年多的漲價之后,DRAM內(nèi)存在今年10月份也就是Q4季度終于降價了,靠著內(nèi)存漲價而賺了大把利潤的三星、SK Hynix及美光公司對此顯然是不滿意的,他們已經(jīng)削減了2019年的資本支出減少
2018-12-05 14:42:303948

三星計劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量

據(jù)相關(guān)新聞報道,三星計劃明年削減內(nèi)存芯片的產(chǎn)量,使內(nèi)存和閃存的增長率分別低于20%和30%。三星在11月份召開的第季度財報電話會議上說,內(nèi)存的年增長率預(yù)計為20%左右,閃存為40%左右。
2018-12-28 15:02:233972

今年一直在跌價的NAND閃存,預(yù)計三星本季度盈利會下滑7.6%

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了,三星、SK Hynix及美光大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對即將到來的降價周期,這家公司已經(jīng)確定會削減明年資本支出,不再大幅增加內(nèi)存產(chǎn)能以減緩內(nèi)存降價趨勢。
2018-12-28 15:04:283401

SK海力士財報表現(xiàn)低預(yù)期 決定縮減DRAM資本支出

由于需求疲弱,繼三星、美光和南亞科后,韓國存儲器大廠SK海力士決定將今年資本支出大砍四成。
2019-01-29 17:13:41710

南亞科通過今年資本支出預(yù)算案 92億新臺幣上限較去年增幅31.4%

DRAM廠南亞科昨(26)日召開董事會,通過今年資本支出預(yù)算案,以不超過92億元(新臺幣,下同)為上限,與去年資本支出相較之下,增幅達(dá)31.4%,其中包含10納米級制程研發(fā)、試產(chǎn)及20納米遞延等資本支出
2020-02-27 14:25:142505

三星啟動中國西安新閃存工廠 并將開始量產(chǎn)閃存晶圓

盡管新冠疫情仍存在影響,三星 (Samsung) 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠,開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552

3nm量產(chǎn)計劃推遲半年 臺積電調(diào)整今年支出預(yù)算

由于疫情在全球蔓延,許多行業(yè)在2020年都受到不小的波及,調(diào)整了自己原本的支出預(yù)算,近日,花旗環(huán)球證券分析師稱,臺積電可能將會把2020年資本支出削減20億美元。
2020-04-15 09:31:161290

臺積電資本支出不下調(diào) 3nm明年開始試產(chǎn)

4月17日消息,據(jù)臺灣媒體報道,盡管此前有分析師認(rèn)為,受疫情影響,臺積電可能將下調(diào)2020年資本支出,但臺積電昨日在財報說明會上表示,今年資本支出計劃不變。
2020-04-17 14:40:082079

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場要變天?

近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計劃,除擴(kuò)建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外,還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960

三星穩(wěn)坐DRAM市場頭名:利潤率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計算,其在全球 DRAM 市場中的份額在 7-9 月期間占 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 個
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這一時期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢,三星計劃明年DRAM閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星已調(diào)整明年家電產(chǎn)品導(dǎo)入UV LED的計劃

據(jù)韓媒報道,三星電子調(diào)整了明年家電新產(chǎn)品導(dǎo)入UV LED的計劃,削減了明年應(yīng)用UV LED技術(shù)的家電新產(chǎn)品數(shù)量。
2020-11-26 17:23:00989

三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)的計劃再次延后

根據(jù)相關(guān)報道消息稱,根據(jù)三星顯示(SDC)向牙山產(chǎn)業(yè)園LCD產(chǎn)線職員透露消息,三星將停產(chǎn)液晶面板的計劃進(jìn)一步延期,可能最長延遲到明年底,而有意思的是,這也是三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)計劃的再次延后。
2020-12-28 15:49:032454

淺析臺積電2021年資本支出計劃及先進(jìn)工藝研發(fā)情況

在臺積電昨日最新舉辦的法人說明會上,多位臺積電高管分享臺積電2021年資本支出計劃,透露臺積電N3、3D封裝等先進(jìn)工藝研發(fā)情況,并公布臺積電2020年第四季度營收情況。
2021-01-15 10:33:392814

臺積電宣布今年大規(guī)模資本支出計劃后,將面臨巨大的盈利壓力

邁赫迪?胡賽尼(Mehdi Hosseini)表示,臺積電今年的資本支出計劃將帶來擴(kuò)大長期市場的機(jī)會。 胡賽尼解釋說,臺積電資本支出計劃的決定一定程度上受到了來自三星芯片制造代工業(yè)務(wù)競爭威脅的影響。 新加坡的一位分析師透露,在臺積電宣布今年大規(guī)模資本支出計劃后,該公司將面臨巨大的
2021-01-20 09:47:381717

臺積電今年資本支出金額或創(chuàng)歷史新高

據(jù)臺積電官網(wǎng)信息顯示,公司董事會核準(zhǔn)資本預(yù)算約117億9480萬美元(約3,242億9,327萬元新臺幣),不到今年資本支出的一半。在1月14日發(fā)布的去年四季度財報中,臺積電管理層預(yù)計今年的資本支出在250億美元到280億美元之間。
2021-02-23 15:19:181905

三星在NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205

聯(lián)電產(chǎn)能供不應(yīng)求,今年資本支出大增五成至15億美元

為了滿足客戶強(qiáng)勁需求,聯(lián)電今年資本支出將達(dá)15億美元,較去年的10億美元增加50%,其中,85%的資本支出將投入12英寸廠,主要以28nm以下制程為主,15%的資本支出投資8英寸廠。
2021-04-09 14:24:131906

三星西安閃存工廠全面投產(chǎn) 三星穩(wěn)居市場第一

全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出,將達(dá)到299億美元,較去年的277億美元增加22億美元,同比增長8%。
2022-04-02 11:49:373626

三星電子計劃明年增加最大工廠P3工廠的芯片產(chǎn)量

12月26日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子計劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。?三星電子位于韓國平澤市的P3工廠是三星電子最大的芯片制造廠,三星電子計劃擴(kuò)大P3工廠產(chǎn)能。這座工廠將為DRAM
2022-12-27 17:07:441865

三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃將減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導(dǎo)體市場重回供需平衡之前,公司將避免擴(kuò)產(chǎn)存儲芯片。Omdia預(yù)計,明年下半年三星DRAM月產(chǎn)量將保持在60萬片,較目前水平進(jìn)一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

三星電子堅持下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能,即便市場需求上升

? ? ? 近日有消息稱,三星電子在當(dāng)?shù)貢r間周四發(fā)布的二季度財報中預(yù)計,存儲芯片的需求在下半年將逐漸恢復(fù),但是即便如此,三星電子并沒有計劃增加產(chǎn)量,并且打算繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量
2023-07-31 10:31:16816

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃
2023-08-16 10:23:581255

2024年資本支出大減20%?臺積電:明年1月評論

據(jù)統(tǒng)計,臺積電公司資本支出近年來不斷上升,2020年資本支出172.4億美元,2021年突破300億美元,年增長65.4%,2022年增至363億美元,全年增長21%。但到2023年,資本支出預(yù)計將降至320億至360億美元。
2023-09-26 10:53:30934

傳臺積電將下調(diào)資本支出至300億美元以下 為近年低點

在今年7月的法律中,臺積電財務(wù)長黃仁昭表示,大學(xué)每年的資本支出計劃都考慮到顧客今后數(shù)年間的需求及增長,指出了以下幾點。制定短期應(yīng)對不確定、對人適當(dāng)緊縮資本支出計劃,今年資本支出在320億至360億美元之間。
2023-10-17 11:42:081036

三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造,將目前正在生產(chǎn)的128段(v6) nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設(shè)備,并向業(yè)界通報了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:032419

三星電子將擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道:“三星電子將通過維持投資來進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力?!?b class="flag-6" style="color: red">三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場,穩(wěn)定NAND閃存價格,并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112284

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時,管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

傳臺積電2024年資本支出或降至280億~300億美元

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,如果臺積電明年資本支出比今年少,將會對閎康、家登、帆宣、漢唐等設(shè)備合作工廠的訂單產(chǎn)生影響。但是外界預(yù)測,即使臺積電明年資本支出不會急劇增加,研究開發(fā)投資依然會持續(xù)增加,將會快馬加鞭地提高先進(jìn)的制造技術(shù)。
2023-12-05 11:13:061260

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

京元電資本支出大增,專注AI芯片測試

晶圓測試大廠京元電近日宣布重大決策,董事會決定將今年資本支出大幅提升至138.28億元新臺幣,較原計劃53.14億元新臺幣激增1.6,這一數(shù)字也創(chuàng)下了中國臺灣廠區(qū)歷年資本支出的新高。此次大幅度增加資本支出,主要目的是為了滿足日益增長的人工智能(AI)和高性能計算(HPC)芯片測試需求。
2024-08-10 17:07:091852

三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存

近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星晶圓代工部門2025年資本支出減半

據(jù)外媒報道,三星計劃在2025年對其晶圓代工部門進(jìn)行大規(guī)模的投資削減。據(jù)悉,該部門的設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元,削減幅度高達(dá)50%。
2025-01-24 14:05:29961

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