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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>三星將進行DRAM擴產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

三星將進行DRAM擴產(chǎn)計劃,下半年DRAM漲勢恐止歇

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[轉帖][資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年

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【福利】2014年下半年國外電子展會信息大全

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海力士:DRAM下半年復蘇

全球DRAM二哥海力士(Hynix)認為,DRAM產(chǎn)業(yè)下半年起開始復蘇。
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2017上半年大尺寸面板市況淡季不淡,下半年變數(shù)增加

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2017-01-03 16:06:16912

三星沒放棄,傳GalaxyNote8將在2017年下半年發(fā)布

此前曾有傳聞稱,由于 Galaxy Note 7“爆炸門”對品牌形象造成的沖擊,三星有可能不再推出Galaxy Note 系列的智能手機,但據(jù)最新的消息顯示,三星按原有的產(chǎn)品升級計劃,在 2017 年下半年推出 Galaxy Note 8。
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三星Note 8或代號“貝加爾”:下半年發(fā)布

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三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

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下半年即將上市的華為mate10、三星Note8和iphone8,你更期待誰?

  到目前為止,2017智能手機性能和性價比逆天要數(shù)小米6和三星S8,但是下半年還是這兩款嗎?同是驍龍835,小米6和三星S8性能對比,這么逆天,下半年還有比這更逆天的!
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三星note8最新消息:重回巔峰!三星確認note8新機下半年發(fā)布

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三星note8什么時候上市?三星Note8最新渲染圖:美過iPhone8,下半年懟蘋果穩(wěn)了

快到8月份了,網(wǎng)友們期待已久的三星Note8也要來了,而且網(wǎng)上曝光的差不多了,現(xiàn)在外媒又曝光出一組渲染圖??梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">三星Note8邊框超窄設計,顏值相當高。三星Note8還會趕在iPhone8前面推出,下半年戰(zhàn)爭很激烈啊,還有華為下半年也有大動作。
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受惠晶片,三星電子Q3業(yè)績創(chuàng)新高,計劃明年繼續(xù)產(chǎn)DRAM

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DRAM產(chǎn)業(yè)屢創(chuàng)新高,產(chǎn)計劃指日可待

觀察各廠技術與產(chǎn)能布局,三星今年的目標除了專注于18nm制程的持續(xù)轉進外,近幾季DRAM同業(yè)的高獲利,亦刺激三星開始思索可能的DRAM產(chǎn)計劃,一方面應對供給吃緊狀況,另一方面則期望提高DRAM產(chǎn)出量,壓抑DRAM價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領先地位,維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術差距。
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DRAM漲價潮引發(fā)中國發(fā)改委關注 國產(chǎn)才是真出路

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DRAM未來漲勢將取決于這3個關鍵要素

有研究表明未來的DRAM漲勢還將不斷向上提升,據(jù)悉三星將于2018年第1季價格再上調3%至5%。服務器市場仍是DRAM漲勢最大的成長來源。
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三星是否壟斷內(nèi)存價格有待調查 內(nèi)存供需偏緊上半年漲勢

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DRAM 2018上半年還會漲嗎?具體看三星、 SK海力士增產(chǎn)實況!

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國內(nèi)存儲器廠商競爭激烈不斷產(chǎn),三星半導體寶座坐不久

全球市場調查公司顧能(Gartner)最新研究報告指出,三星2017年擠下英特爾,成為全球最大的半導體制造商,但隨著大陸存儲器廠大幅產(chǎn),存儲器價格下調,三星半導體龍頭寶座坐不久。
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DRAM價格居高不下,發(fā)改委約談三星

,因而引來政府關注,將可能使今年第一季的 DRAM 價格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲器芯片廠商,有近 48% 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00956

原訂本季發(fā)表的平價版MacBook Air延至下半年推出

外電傳出,蘋果已通知供應鏈,原訂本季發(fā)表的平價版MacBook Air延至下半年推出。業(yè)界示警,由于新筆電上市前,不少供應鏈廠商都會空出產(chǎn)能給蘋果,若延遲拉貨,影響廣達、可成、新日興等MacBook Air協(xié)力廠上半年營運動能。
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三星宣布下半年推出智能音箱 采用Bixby語音助手

三星電子發(fā)言人稱,該公司“無法證實與我們智能音箱相關的任何消息”。但是,她補充說,“我們公司計劃在今年下半年推出智能音箱。這一點我們公司的移動業(yè)務負責人高東真(Koh Dong-jin)以前已提到過。”在今年2月于西班牙巴塞羅那舉行的全球移動展會上,高東真曾表示三星準備在今年晚些時候推出智能音箱。
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三星電子延后DRAM產(chǎn)計劃,分析師決定上調美光目標價

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三星推遲產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
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明年下半年DRAM價格有下修壓力,產(chǎn)值低于今年的67.8%

DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),通路商表示,因存儲器漲幅過大,下游應用端,尤其是筆電和部分智能手機等市場,不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢將止步,價格有下修壓力。
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三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
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三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術 未來有機會藉此生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術逐漸導入EUV技術之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導入EUV技術。而除了三星之外,韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026

南亞科表示近期服務器用DRAM需求已經(jīng)反彈 下半年仍有產(chǎn)業(yè)旺季效應可期

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,近期服務器用DRAM需求已經(jīng)反彈,此舉幫助第二季DRAM市況優(yōu)于首季,下半年轉好。
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三星電子開發(fā)首款基于第代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320

三星代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,服務于高端應用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
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南亞科表示下半年DRAM還是會比上半年好 并長期看好DRAM多元化應用

DRAM廠南亞科昨日舉行股東會,總經(jīng)理李培瑛會后受訪表示,第2季DRAM市況已看到會比第1季好,第3季又會比第2季稍好,合約價跌幅會比現(xiàn)貨價??;整體而言,隨著旺季到來,下半年DRAM還是會比上半年好。
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季度DRAM價格再下修 跌幅擴大至15%

受到貿(mào)易摩擦的影響,個別禁售事件可能對全球智能手機及服務器產(chǎn)品總體出貨量造成阻礙,并將沖擊下半年DRAM產(chǎn)品的旺季需求與價格落底時間。
2019-06-14 15:00:452711

三星宣布量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技術成功應用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功EUV技術應用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

DRAM價格預測在下半年下跌 SK海力士下調目標股價

據(jù)韓聯(lián)社報道,投資機構Eugene預測,由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標股價。
2020-04-14 16:12:362860

DRAM價格今年下半年下跌,SK海力士營業(yè)利潤預測下調至4.5萬億韓元

據(jù)韓聯(lián)社報道,投資機構Eugene預測,由于受到新冠肺炎的影響,DRAM價格將在今年下半年下跌,且下修了SK海力士的目標股價。
2020-04-14 16:05:002999

三星再次產(chǎn),專注5nm以上EUV工藝先進制程

,爭奪高通公司等客戶的訂單。該生產(chǎn)線位于韓國平澤市,將使用極紫外光刻(EUV)技術生產(chǎn)先進的5納米芯片,已在本月稍早時候動工,計劃從明年下半年開始生產(chǎn)。 據(jù)悉,新的產(chǎn)線已經(jīng)與本月初開始建設,預計將于2021年下半年全面投入生產(chǎn)。
2020-05-21 11:52:244878

三星鎧俠率先產(chǎn),NAND閃存市場要變天?

近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的產(chǎn)計劃,除擴建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外,還將擴大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960

三星研發(fā)一款HD 720*1600 分辨率產(chǎn)品

這種缺貨現(xiàn)象自去年開始至今不見任何改善,年初就傳出索尼產(chǎn)能不足,首度高端 CIS 晶片下單臺積電,全球 CIS 元件二哥三星亦傳出挪出部分 DRAM 生產(chǎn)線,計劃產(chǎn) 20%,另外,豪威也陸續(xù)
2020-08-26 14:52:324755

三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預測后期不排除出現(xiàn)短缺

及資料中心對伺服器記憶體需求升溫,DRAM市場可望在上半年復甦。 三星并指出,目前晶圓代工廠急于滿足汽車制造商需求,很多代工廠都呈現(xiàn)產(chǎn)能滿載情況,影響代工廠對DRAM及NAND生產(chǎn)進度,反而衝擊智慧手機及平板的出貨速度。 SK海力士并預期,隨著資料中心伺服器及5G智慧手機增加使
2021-02-01 12:43:001296

蘋果 iPhone 12在2020年下半年超過華為和三星

知名調研機構Strategy Analytics最新發(fā)布的研究報告指出,按收益來說,三星Galaxy S20 + 5G是2020年上半年全球最暢銷的5G智能手機型號,而蘋果iPhone 12有望在2020年下半年獲得桂冠。
2020-10-29 14:42:462179

三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足

三星正利用這一時期擴大領先優(yōu)勢,三星計劃明年DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

DRAM明年上半年可能會供不應求

12月1日消息,英文媒體此前曾多次報道,存儲芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀,行業(yè)內(nèi)供過于求,三星電子和其他主要制造商DRAM和NAND閃存的平均庫存,已接近4個月。
2020-12-01 17:03:262049

力積電董事長:DRAM 芯片明年上半年供不應求

12 月 1 日消息,英文媒體此前曾多次報道,存儲芯片制造商今年下半年的處境并不樂觀,行業(yè)內(nèi)供過于求,三星電子和其他主要制造商 DRAM 和 NAND 閃存的平均庫存,已接近 4 個月。 但從英文
2020-12-01 17:39:582292

三星將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)的計劃再次延后

根據(jù)相關報道消息稱,根據(jù)三星顯示(SDC)向牙山產(chǎn)業(yè)園LCD產(chǎn)線職員透露消息,三星停產(chǎn)液晶面板的計劃進一步延期,可能最長延遲到明年底,而有意思的是,這也是三星LCD產(chǎn)線停產(chǎn)計劃的再次延后。
2020-12-28 15:49:032454

三星中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,三星同樣跨過了28nm,直接開始研發(fā)25nm工藝,最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據(jù)行業(yè)領先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244

IC Insights:預計今年下半年全球DRAM營收較上半年驟減40%

電子產(chǎn)品需求,連帶影響DRAM需求下滑,預期今年下半年DRAM營收滑落至293億美元,較上半年的490億美元大幅減少40%。 此外,TrendForce的研究數(shù)據(jù)也佐證了DRAM的趨勢,全球2022年第
2022-11-22 10:53:111494

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

三星獲利在市場共識下,應 2023 年第一季財報發(fā)表(4 月)就結束跌勢。因看到 DRAM 供需動態(tài)改善,整體 DRAM 走跌周期因庫存下降與價格下跌放緩等,第二季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04644

三星DRAM月產(chǎn)量降至兩年來新低 行業(yè)頻現(xiàn)庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內(nèi)部計劃減產(chǎn)持續(xù)至明年,在半導體市場重回供需平衡之前,公司避免產(chǎn)存儲芯片。Omdia預計,明年下半年三星DRAM月產(chǎn)量保持在60萬片,較目前水平進一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

三星電子堅持下調DRAM和NAND產(chǎn)能,即便市場需求上升

? ? ? 近日有消息稱,三星電子在當?shù)貢r間周四發(fā)布的二季度財報中預計,存儲芯片的需求在下半年逐漸恢復,但是即便如此,三星電子并沒有計劃增加產(chǎn)量,并且打算繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量
2023-07-31 10:31:16816

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價格上漲

三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預期,三星的目標是在今年年底之前庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星計劃p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

單芯片超過 100Gb,三星表示挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級dram,目前正在開發(fā)的11納米級dram提供業(yè)界最高密度?!绷硗?,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為一個芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后開發(fā)的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

DRAM價格飆升,三星和美光計劃Q1漲幅高達20%

根據(jù)最新的存儲器模組行業(yè)消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價格一路攀升,三星電子和美光等主要存儲器制造商計劃在Q1上調DRAM價格,漲幅預計達到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年劇增

DRAM稼動率緩步改善,業(yè)界認為,整體DRAM投片量從2024年第1季逐季提升,較2023年第4季小幅提升約5%左右,下半年投片量回升速度明顯加快。
2024-01-23 10:53:041039

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新?

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新?
2024-05-09 18:46:35924

三星AI推理芯片Mach-1下半年量產(chǎn),4nm工藝服務器級算力加持

三星已制定了Mach-1的生產(chǎn)計劃:預計今年下半年實現(xiàn)量產(chǎn),年底完成芯片交付,明年第一季度推出基于此芯片的推理服務器。此外,三星已獲得Naver高達1萬億韓元(約合52.8億元人民幣)的預訂訂單。
2024-05-10 10:45:071441

漲價20%!三星、 SK 海力士停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應DDR3內(nèi)存,轉向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:211563

戴爾預測DRAM與固態(tài)硬盤下半年價格持續(xù)上漲

在全球科技產(chǎn)業(yè)中,戴爾一直以其精準的市場洞察和卓越的供應鏈管理能力而著稱。然而,在近期舉行的2025財年第一季度財報電話會議上,戴爾首席運營官杰弗里?克拉克(Jeffrey Clarke)卻發(fā)出了一個令人關注的警告:下半年DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價格持續(xù)上漲。
2024-06-05 10:17:491391

今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%;傳蘋果大砍一半產(chǎn)線員工

1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ,現(xiàn)已通報客戶 ? 6月26日,多家媒體報道稱,三星計劃于第季度把動態(tài)隨機存儲器(DRAM)、NAND的價格上調15%~20
2024-06-27 11:02:40755

DRAM價格下半年持續(xù)上漲

隨著全球科技行業(yè)的不斷發(fā)展,尤其是人工智能(AI)領域的迅猛崛起,存儲芯片市場正迎來新的機遇與挑戰(zhàn)。據(jù)行業(yè)分析師的最新預測,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)價格在接下來的半年持續(xù)上漲,這一趨勢源于多方面的因素共同推動。
2024-07-01 09:31:03959

三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

三星電子計劃2024年下半年推出CXL存儲

隨著人工智能(AI)領域數(shù)據(jù)處理需求的爆炸性增長,全球存儲廠商正競相研發(fā)下一代存儲解決方案,以應對這一挑戰(zhàn)。三星電子在這一賽道上尤為亮眼,其在Compute Express Link(CXL)高速互聯(lián)存儲技術上的領先地位尤為顯著,并計劃于2024年下半年正式推出相關產(chǎn)品,預示著市場的即將騰飛。
2024-08-19 15:36:141406

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發(fā)工作并進入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241109

三星否認重新設計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn),已決定在2024年底對現(xiàn)有的1b nm工藝進行改進,并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而,三星電子現(xiàn)在對此表示否認,強調其并未有重新設計1b DRAM計劃。 盡管三星電子否認了重新設計的傳聞,但不可否認的是,其12nm級DRAM產(chǎn)品確實面
2025-01-23 15:05:11923

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