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三星轉(zhuǎn)產(chǎn)三成 標準型DRAM價回溫

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2017-12-21 13:49:012033

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812

蘋果三星華為進入處理器自行設計領域占三成份額 高通聯(lián)發(fā)科倍感壓力

隨著許多智能手機廠商開始自行研發(fā)手機處理器規(guī)模擴大,第方專業(yè)制造商高通聯(lián)發(fā)科倍感壓力,據(jù)悉三星蘋果華為自產(chǎn)芯片占市場三成份額,成為第方專業(yè)制造商最大的競爭對手。
2018-01-10 16:21:15966

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

三星、海力士、美光大巨頭被質(zhì)疑操控內(nèi)存價格

事實上,早在三星之前,5月24日美光就被中國商務部反壟斷局約談,主因也是標準型DRAM已連續(xù)數(shù)季價格上揚,導致大陸廠商不堪成本負荷日漸提高,加上限制設備商供貨給晉華集成,儼然也是妨礙公平競爭行為。
2018-06-05 16:34:416775

三星將通過MicroLED TV搶被LG所占市場

三星電子將通過推出QLEDTV和MicroLEDTV搶被LG電子的高端產(chǎn)品OLED TV所攻占的市場。三星電子高端TV的先鋒兵是QLED TV。
2018-08-06 10:34:585017

三星或?qū)⒂肊UV設備進行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動采用極紫外光(EUV)微影設備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

三星推遲擴產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃,決定延至今年底,為DRAM價格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價位

日媒報道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對DRAM產(chǎn)品不會考慮拼占有率而降價,砍投資的目標是維持內(nèi)存高價位。
2018-10-09 10:46:394310

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

受行業(yè)不景氣影響,三星電機Q2業(yè)績低于預期

三星電機第二季度營業(yè)利潤同比減三成!
2019-07-26 10:21:443561

三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

DRAM價格上漲,三星和SK海力士營收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技術成功應用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報道,三星宣布,已成功將EUV技術應用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

三星首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術的存儲器供應商

韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動設備及企業(yè)服務器和資料中心應用等提供更先進EUV制程技術產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511320

三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足

三星正利用這一時期擴大領先優(yōu)勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國經(jīng)濟引述業(yè)界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

server DRAM合約全年漲幅有望超過四

TrendForce集邦咨詢旗下半導體研究處調(diào)查,自2020年第季至今,server DRAM產(chǎn)能比重已降至三成左右,其比重調(diào)降除為平衡產(chǎn)品線的供需失衡,亦為調(diào)整各產(chǎn)品線DRAM平均零售價(ASP)。
2021-02-25 14:49:251687

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI應用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報道,三星原計劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新?

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創(chuàng)新?
2024-05-09 18:46:35924

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五

近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的80%~90%,僅達到五左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否認重新設計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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