Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 畿道華城的三星華城半導(dǎo)體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國(guó)華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線，該公司目前這些產(chǎn)線正在檢修中。 預(yù)計(jì)損失將小于三星平澤半導(dǎo)體工廠在2018年的損失。在平澤半導(dǎo)體工廠停電期間，三星
2020-01-02 10:45:156202 7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤(pán)。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫(xiě)速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
2013-08-29 10:46:512858 
包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 據(jù)Bloomberg消息，世界上最大的內(nèi)存芯片制造商三星電子公司將投資70億美元用于中國(guó)半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)智能手機(jī)和其他設(shè)備使用的NAND閃存的需求。
2017-08-29 09:39:441501 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來(lái)到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》（Mobile Unleashed），文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見(jiàn)：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
”，無(wú)疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國(guó)三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報(bào)導(dǎo)顯示，三星電子計(jì)劃明年將半導(dǎo)體事業(yè)的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說(shuō)到這里，筆者最近正在測(cè)試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗(yàn)了一把接藍(lán)光播放機(jī)的原生3D效果，可以說(shuō)非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機(jī)殼引起熱議，因?yàn)檫@款產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說(shuō)，這個(gè)手機(jī)殼就是超清晰3D顯示屏??！喜歡玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達(dá)人怎能放過(guò)？！終于搜到這個(gè)寶貝，原來(lái)
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星：看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
Insights資料顯示，2017年全球半導(dǎo)體頂尖大廠的研發(fā)投資，以英特爾的130.98億美元排名第一，成長(zhǎng)3%，但占營(yíng)收比重竟然高達(dá)21.2%；這個(gè)數(shù)字也是三星、東芝、高通、博通的總和。高通為
2018-12-25 14:31:36
綜合技術(shù)研究院(SAIT)。這兩個(gè)作為先驅(qū)的R&D組織，成功地幫助三星將其業(yè)務(wù)甚至進(jìn)一步擴(kuò)大到電子、半導(dǎo)體、高分子化學(xué)、基因工程、光纖通訊、航空，以及從納米技術(shù)到先進(jìn)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)等廣闊的領(lǐng)域。 在
2019-04-24 17:17:53
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一，旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當(dāng)然是核心話題“3D”啦，本次展會(huì)最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺(tái)顯示器在整個(gè)展會(huì)，其中3D顯示器體驗(yàn)區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來(lái)看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
為我國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬(wàn)片晶圓，而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資，計(jì)劃投資1600億元，打造國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度，更在接下來(lái)的半個(gè)實(shí)際中，猶如一只無(wú)形大手般推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
小幅上漲 有手機(jī)從業(yè)者曾告訴記者，存儲(chǔ)已經(jīng)超過(guò)屏幕、CPU，成為手機(jī)最大的成本，存儲(chǔ)在手機(jī)中的成本達(dá)到25%-35%，可見(jiàn)其重要性。而三星、SK海力士均在存儲(chǔ)器領(lǐng)域占據(jù)壟斷地位。 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:45:14
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開(kāi)始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類(lèi)似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 三星啟動(dòng)量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開(kāi)火
在三星宣布正式開(kāi)始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開(kāi)始，全球3D電視的市場(chǎng)熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 東芝近日公布聚焦能源、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)上的投資。為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區(qū)域建造新廠房以及引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會(huì)批準(zhǔn)。
2016-04-06 13:42:22563 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726 三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光和英特爾在將生產(chǎn)線從2D-NAND轉(zhuǎn)至3D-NAND之后，產(chǎn)能和價(jià)格上漲問(wèn)題將獲得部分緩解。三星位于韓國(guó)京畿道平澤市的新半導(dǎo)體工廠近日已基本完成，預(yù)計(jì)將在今年7月份開(kāi)始正式運(yùn)營(yíng)。
2017-04-13 15:21:544243 
市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。
2017-05-06 01:03:11860 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開(kāi)足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價(jià)。
2017-07-05 08:47:54795 此前，SSD漲價(jià)的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產(chǎn)設(shè)備，現(xiàn)在老大三星和老幺SK海力士均行動(dòng)，相信會(huì)穩(wěn)定住市場(chǎng)格局，并在不遠(yuǎn)的將來(lái)看到市場(chǎng)供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706 三星NAND閃存規(guī)格書(shū) K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 的33%。同時(shí)，三星半導(dǎo)體四季度銷(xiāo)售額有望占到全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額的16%左右。
IC Insights估計(jì)，今年三星260億美元的半導(dǎo)體支出將分成如下幾部分： 3D NAND閃存：140億美元
2017-11-17 11:24:251522 
三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:001169 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計(jì)劃除了部分車(chē)用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進(jìn)入3D NAND時(shí)代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營(yíng)收和利潤(rùn)的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫(xiě)入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 三星在位居全球第一的半導(dǎo)體和顯示事業(yè)領(lǐng)域投資了天文學(xué)數(shù)字般的金額?？傆?jì)新增投資180萬(wàn)億韓元（約1.1萬(wàn)億人民幣）中130萬(wàn)億韓元（約8,000億人民幣）將投資在韓國(guó)。整個(gè)投資方案分三年進(jìn)行，
2018-08-11 09:39:256576 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759 8月28日，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求?！笨墒?，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎？
2018-10-01 16:12:003303 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評(píng)測(cè)
2018-10-08 15:52:39780 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開(kāi)出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預(yù)估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 今年三星電子可謂動(dòng)作不斷，14日剛剛爆出三星將收購(gòu)以色列多相機(jī)制造商Corephotonics，16日又有消息稱(chēng)三星將于亞馬遜共同投資一家以色列半導(dǎo)體公司W(wǎng)iliot，以尋找未來(lái)業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)點(diǎn)。
2019-01-18 11:09:035154 三星電子近日申請(qǐng)了Depth Vision Lens商標(biāo)，據(jù)推測(cè)這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519 
三星電子計(jì)劃將其NAND閃存價(jià)格提高10％，原因是日本政府對(duì)半導(dǎo)體材料出口限制導(dǎo)致生產(chǎn)中斷的擔(dān)憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過(guò)韓國(guó)本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來(lái)大力投資中國(guó)西安，一期及正在建設(shè)中的二期投資已經(jīng)將西安工廠變成了全球最大的閃存基地。
2019-12-11 15:25:071436 12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目和封裝測(cè)試項(xiàng)目；二期項(xiàng)目總投資 150 億美元，主要制造閃存芯片。
2019-12-12 11:37:56743 根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國(guó)西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱(chēng)三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類(lèi)型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn)，三星等公司也沒(méi)閑著，三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而，三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資，以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn)，或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn)，再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173960 三星計(jì)劃明年開(kāi)始與臺(tái)積電在封裝先進(jìn)芯片方面展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跨級(jí)追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲(chǔ)公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 據(jù)Korea IT News報(bào)道，三星電子已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行巨額半導(dǎo)體投資，總價(jià)值達(dá)317億美元。該公司最近開(kāi)始對(duì)其在中國(guó)的NAND閃存工廠和在韓國(guó)的DRAM工廠進(jìn)行投資。 據(jù)報(bào)道，除NAND閃存
2021-01-29 09:05:242367 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開(kāi)始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開(kāi)始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷(xiāo)量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:001975 三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112284 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商，近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Device Solutions America (DSA)，負(fù)責(zé)三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 三星將在IEEE國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶(hù)就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 三星在德州的半導(dǎo)體投資計(jì)劃確實(shí)有了顯著的增長(zhǎng)。據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃將其在美國(guó)德克薩斯州泰勒市的半導(dǎo)體投資增加至約440億美元。
2024-04-09 10:35:371138 據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息，三星最早將于本月開(kāi)始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時(shí)也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
2024-06-19 14:35:501643 在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開(kāi)工率已提升至100%，同時(shí)上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術(shù)路線圖計(jì)劃。
2024-06-29 09:29:371369 近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，業(yè)界傳出消息稱(chēng)，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計(jì)劃在這一生產(chǎn)過(guò)程中，將光刻膠
2024-11-27 11:00:24957 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867
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