電子發(fā)燒友報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:00
4872 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競(jìng)局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052677 三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:162080 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機(jī)種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計(jì)劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 臺(tái)積電高層公開表示，10奈米制程一開始的市占率會(huì)相當(dāng)高、公司會(huì)努力保持下去。三星稱10奈米制程晶片預(yù)定2016年底量產(chǎn)，臺(tái)積電計(jì)畫則在2016年第3季量產(chǎn)，但市場(chǎng)認(rèn)為，三星有機(jī)會(huì)趕上臺(tái)積電。
2016-02-25 08:35:21867 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 國產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 6月16日，三星電子宣布，6月開始量產(chǎn)其最新的智能手機(jī)內(nèi)存解決方案，即基于LPDDR5和UFS的多芯片封裝uMCP。三星的uMCP集成了最快的LPDDR5?DRAM 和最新的UFS3.1?NAND
2021-06-17 07:08:004657 三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
三星電子近日宣布成功開發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器（CIS）芯片和照相機(jī)模組。該照相機(jī)模組有1/3英寸SXGA（130萬像素）、1/5.8英寸VGA（33萬像素）兩種規(guī)格，都包含了CIS和ISP
2021-04-22 07:35:50
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價(jià)格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放
2006-03-13 13:05:36609 東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤
2010-01-08 17:15:131266 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511566 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41777 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 根據(jù)三星的官方描述這個(gè)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動(dòng)生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢(shì)在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動(dòng)芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日?qǐng)?bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級(jí)制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002031 據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 根據(jù)雙方的協(xié)議，IBM 將使用三星內(nèi)含EUV 技術(shù)的7 nm制程來為IBM 代工Power 系列處理器，及及其他HPC 產(chǎn)品。而三星的該制程才在2018 年的10 月份宣布量產(chǎn)，當(dāng)時(shí)三星表示，7
2018-12-22 10:50:294036 天字一號(hào)閃存企業(yè)三星電子今天（1月30日）宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品，主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:414435 
三星宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司的5G芯片，涵蓋調(diào)制解調(diào)器芯片Exynos Modem 5100、無線射頻收發(fā)芯片Exynos RF 5500，以及電源控制芯片Exynos SM 5800，這3款芯片皆同
2019-04-09 17:19:035189 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同，目前兩大晶圓代工廠臺(tái)積電及三星都改變了打法，一項(xiàng)重大工藝制程進(jìn)行部分優(yōu)化升級(jí)之后，就會(huì)以更小的數(shù)字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進(jìn)
2019-08-26 12:29:003379 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 報(bào)道稱，與三星電子的5nm工藝相比，3nm制程能將芯片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372 在晶圓代工龍頭臺(tái)積電幾乎通吃市場(chǎng)7納米制程產(chǎn)品的情況下，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星在7納米制程上幾乎無特別的訂單斬獲。為了再進(jìn)一步與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，三星則開始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，而且也在2019年12月開始進(jìn)行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn)，進(jìn)一步縮小與臺(tái)積電之間的差距。
2020-01-07 15:16:103111 今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262694 現(xiàn)在，UFS 3.0芯片已經(jīng)成為旗艦機(jī)的標(biāo)配，不過未來我們?cè)谄炫灆C(jī)上或許還能看到速度更快的芯片。今天，三星電子正式宣布已開始量產(chǎn)業(yè)界首款用于旗艦機(jī)的512GB eUFS 3.1芯片，與此前的三星eUFS 3.0芯片相比，eUFS 3.1芯片的寫入速度是以前的三倍。
2020-03-17 14:46:253396 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計(jì)劃啟動(dòng)了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 “ 三星的芯片業(yè)務(wù)并不僅僅只是Exynos SoC、內(nèi)存和閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，它還生產(chǎn)很多芯片，其中就包括更小的電源管理集成芯片（PMIC）。在最新發(fā)布的公告中，三星宣布已經(jīng)啟動(dòng)了PMIC的量產(chǎn)，該
2020-06-11 14:42:171026 據(jù)國外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 繼三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對(duì)手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上，放眼全球，僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前，臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道，三星將直接跳過4nm先進(jìn)制程，轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn)，此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:142317 據(jù)韓媒報(bào)道，業(yè)界人士透露，三星預(yù)計(jì)將從 2020 年底開始，投入 5nm 制程應(yīng)用處理器 (AP)、通訊調(diào)制解調(diào)器芯片 (Modem)的大量生產(chǎn)。
2020-09-04 11:17:033346 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:528552 在2020年5月，臺(tái)積電就曾宣布，將在美國亞利桑納州斥資120億美元興建5nm制程晶圓廠，并預(yù)計(jì)2023年正式量產(chǎn)。消息刺激競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手南韓三星，三星日前也宣布計(jì)劃斥資100億美元在美國德州奧斯汀興建
2021-02-02 14:03:531767 
在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058 1月3日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-04 09:04:582737 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場(chǎng)上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425 三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠，近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開始落后于臺(tái)積電，差距也被逐漸拉大，不過三星沒有放棄，還是宣稱要超越臺(tái)積電。 據(jù)媒體報(bào)道稱，三星的3nm工藝已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)了，而臺(tái)積電
2022-05-22 16:30:312674 了4nm制程工藝，并且今年下半年將會(huì)完成3nm制程工藝的量產(chǎn)，2025年會(huì)完成2nm制程工藝的量產(chǎn)，已經(jīng)是遙遙領(lǐng)先其他廠商了，全球先進(jìn)制程基本上都需要依靠臺(tái)積電和三星來完成，而相較于三星，臺(tái)積電在各個(gè)方面又更占據(jù)優(yōu)勢(shì)，因此臺(tái)積
2022-06-23 09:47:221724 今日，據(jù)媒體報(bào)道，三星的3nm制程芯片將在明天開始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺(tái)積電壓一頭，超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531839 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布， 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。
2022-06-30 10:15:592813 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3D
2022-06-30 20:21:522069 隨著臺(tái)積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年，跟臺(tái)積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺(tái)積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085173 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041906 芯片制程一直是大家所關(guān)注的一個(gè)點(diǎn)，眾所周知芯片制程越先進(jìn)也就代表著芯片性能越強(qiáng)大，芯片其它各項(xiàng)參數(shù)也會(huì)更加優(yōu)秀。 2nm芯片是真的嗎 2022年6月30日，三星宣布正式實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的量產(chǎn)，領(lǐng)先臺(tái)
2022-07-07 10:17:585370 ，比5nm芯片功耗低45%，性能高23%，同時(shí)三星也開始了第二代3nm芯片的計(jì)劃。 不止是第二代3nm芯片，三星也已經(jīng)確定了將在2025年量產(chǎn)2nm芯片，同臺(tái)積電之前宣布的時(shí)間一樣。三星的2nm芯片將繼續(xù)沿用GAA晶體管技術(shù)，并且將進(jìn)一步優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，性能和功耗等方面會(huì)得
2022-07-08 14:42:101757 在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域，三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭，不過在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片，在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周，三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示，這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256 公司，不過并未透露具體是哪家公司。 不過據(jù)日經(jīng)亞洲透露，三星3nm芯片的買家之中有一家來自中國的企業(yè)，上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司。 三星的3nm芯片在6月30日正式量產(chǎn)，采用了先進(jìn)的GAA晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電還沒有傳出有關(guān)3nm芯片量產(chǎn)
2022-07-25 16:25:143213 7月25日上午，三星在韓國首爾南部的華城舉辦典禮，宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923 30日宣布全球首發(fā)量產(chǎn)3nm工藝，并在7月底出貨，他們的3nm首家客戶是一家中國礦機(jī)芯片廠商PanSemi（上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司）。 礦機(jī)芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因此很適合新工藝拿來練手，不過礦機(jī)芯片的需求并不高，因此三星并不能指望礦機(jī)公司帶動(dòng)3nm工藝產(chǎn)能
2022-08-11 08:53:311958 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192173 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:003104 
一篇拆解報(bào)告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:001975 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:112283 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點(diǎn)在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:453357 
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22994 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201499 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250 三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)即將迎來一場(chǎng)革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論