三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

　　三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

　　存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存超過 300 層；采用雙層堆棧架構(gòu)。

　　而SK海力士則計(jì)劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存。

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閃存(117113) 閃存(117113)
NAND閃存(23779) NAND閃存(23779)
SK海力士(41198) SK海力士(41198)
V-NAND(10260) V-NAND(10260)
三星(33892) 三星(33892)

評(píng)論

NAND閃存市場或今年冬天迎來“春風(fēng)”

三星電子和SK海力士已經(jīng)將閃存芯片的堆疊層數(shù)增加至100層以上，并以此作為提高半導(dǎo)體收益的重要武器。最近，主要的智能手機(jī)制造商正在擴(kuò)大高容量旗艦手機(jī)的產(chǎn)出，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商也將在2019年

2019-08-16 00:55:00

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三星明年將發(fā)布128層第六代V-NAND TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb

的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧

2019-11-25 09:52:31

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SK海力士開始采樣128層3D NAND SSD

SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L

2019-11-25 17:21:55

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48層堆疊V-NAND存儲(chǔ)器，將提升三星成本競爭契機(jī)

三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計(jì)劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。

2015-08-11 08:32:00

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三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC

2016-07-13 10:32:43

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SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存三星后第二家

目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。

2016-11-09 11:35:16

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SK海力士72層3D NAND內(nèi)存?zhèn)?017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

2016-12-27 09:06:35

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海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片

蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。

2017-04-11 07:49:04

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PK三星閃存紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存

國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。

2017-05-09 15:10:04

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三星量產(chǎn)全球最快3D NAND閃存 64層速率高達(dá)1Gbps

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。

2017-06-16 06:00:00

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海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD

SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。

2020-08-19 13:59:42

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3D NAND閃存來到290層，400層+不遠(yuǎn)了

V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層，已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+，甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期，到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9 代

2024-05-25 00:55:00

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SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1

2025-05-23 01:04:00

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三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時(shí)還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會(huì)達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出

2018-09-20 17:57:05

三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國

2014-05-14 15:27:09

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎，三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

步伐。據(jù)韓媒Kinews等報(bào)導(dǎo)，三星2018年下半原計(jì)劃對DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資，期望獲利維持一定水平。同時(shí)，另一家半導(dǎo)體大廠

2018-10-12 14:46:09

THGBMFT0C8LBAIG閃存芯片THGBMHT0C8LBAIG

海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品。而三星雖然還未宣布下一代產(chǎn)品具體層數(shù)，但是近期也在公開會(huì)議中表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧

2022-01-26 08:35:58

【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層，并即將進(jìn)入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)

2024-12-17 17:34:06

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場，但需求不足跌價(jià)成必然精選資料分享

的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40

2021-07-13 06:38:27

SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊

電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司

2009-12-02 08:59:23

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NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì) 閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的

2010-05-20 09:26:23

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為確保行業(yè)優(yōu)勢三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。

2016-08-02 14:53:26

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傳SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。

2016-12-27 14:15:11

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東芝計(jì)劃建第7座閃存工廠(Fab7),與三星、Intel一決高下

據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠（Fab 6）還沒有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競爭。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。

2017-12-27 14:06:09

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長江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

武漢建設(shè)NAND工廠，預(yù)計(jì)今年內(nèi)量產(chǎn)，據(jù)悉國產(chǎn)NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時(shí)2年、耗資10億美元研發(fā)的。

2018-05-16 10:06:00

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空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。

2018-02-03 11:07:27

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三星推出容量達(dá)1Tb的V-NAND單晶粒

在舊金山的閃存峰會(huì)上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

2018-05-16 23:41:00

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三星512GB嵌入式通用閃存量產(chǎn)，采用64層512Gb V-NAND電路設(shè)計(jì)和電源管理技術(shù)

三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動(dòng)設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。

2018-07-10 09:39:00

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三星其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片開始量產(chǎn)，存儲(chǔ)市場將迎來大容量需求爆發(fā)

三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。

2018-07-12 14:46:00

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三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報(bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

2018-07-13 14:22:05

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三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號(hào)響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。

2018-07-17 11:52:17

3338

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存，了解其性價(jià)比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。

2018-07-24 14:36:32

8259

三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5亮相，采用了新的64層V-NAND技術(shù)設(shè)計(jì)

三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì)，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。

2018-07-26 17:43:09

2951

三星五代V-NAND閃存芯片，使生產(chǎn)效率提高了30%以上

此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號(hào)時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。

2018-07-27 17:11:00

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SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導(dǎo)地位。

2018-09-07 16:59:04

3820

SK海力士公司宣布將主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來

SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10

2018-11-09 15:49:51

5400

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布

2018-12-10 10:00:57

1562

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同

2018-12-17 15:50:24

2506

你知道NAND閃存的種類和對比？

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同

2019-04-17 16:32:34

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SK海力士全球首個(gè)量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層

SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個(gè)月。

2019-06-27 15:23:28

3820

全球首創(chuàng)!128層 4D NAND芯片

SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。

2019-06-28 14:35:20

6119

SK海力士量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片同時(shí)繼續(xù)推出各種解決方案

SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。

2019-07-01 17:11:15

3551

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。

2019-08-31 09:43:42

6632

關(guān)于浮柵技術(shù)的介紹和分析以及應(yīng)用

的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

2019-09-04 09:17:13

7175

SK 海力士將推出新NAND Flash 產(chǎn)品

目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK

2019-08-15 09:05:12

3089

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

2019-09-03 10:38:04

981

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲(chǔ)器

2019-09-09 16:05:25

1778

2019年第三季度NAND閃存出貨量增長中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小但迎發(fā)展機(jī)遇

第三季度全球NAND閃存市場明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期在新一輪市場競爭中占據(jù)有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進(jìn)到了新的層級(jí)。

2019-12-04 15:46:20

3216

三星960 Evo硬盤來襲，擁有全新架構(gòu)和高端性能

固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強(qiáng)的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。

2019-12-22 11:19:01

1517

2020年NAND閃存發(fā)展趨勢如何

在CES展會(huì)上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質(zhì)還是3D閃存，4D只是商業(yè)名稱），已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的，預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。

2020-01-08 10:34:13

5597

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。

2020-04-09 14:09:19

4475

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級(jí)到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。

2020-04-20 09:06:01

776

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn)，NAND閃存市場要變天？

近日，三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面

2020-06-16 10:07:17

3960

三星為提高其閃存產(chǎn)量成立特別工作組，提高整個(gè)流程的生產(chǎn)率

繼三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。

2020-06-18 16:06:51

2328

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層容量達(dá)512Gb的4D閃存

存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)

2020-12-14 15:55:32

1786

SK海力士出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！

據(jù)國外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)

2020-10-23 11:05:15

2718

SK海力士收購NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。

2020-10-29 12:11:47

2793

SK海力士收購Intel的NAND閃存業(yè)務(wù)后銷售額大漲

前不久，Intel突然宣布以90億美元（約601億）的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士，業(yè)內(nèi)嘩然。

2020-11-05 09:37:32

1877

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)

2020-11-12 16:02:55

3696

SK海力士將收購英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Optane存儲(chǔ)部門。對于英特爾來說，剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。

2020-11-16 15:04:57

3105

SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC

繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK

2020-12-07 13:49:27

2200

SK海力士發(fā)布多堆棧176層4D閃存，采用TLC

繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。

2020-12-07 13:44:09

2510

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)

2020-12-07 16:16:23

3708

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計(jì)明年批量生產(chǎn)

12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲(chǔ)單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。

2020-12-08 11:01:41

2103

176層NAND閃存芯片的特點(diǎn)性能及原理

從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。

2020-12-15 17:55:34

3836

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。

2021-02-24 11:22:07

2770

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠，并繼續(xù)加強(qiáng)在中國的投資

近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)

2022-05-19 14:32:53

4080

長江正式打破三星壟斷，192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲(chǔ)一直是我國優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。

2022-06-17 10:56:21

8286

SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存

SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。

2022-08-04 15:53:49

15867

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

市場對更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

2022-11-07 10:33:55

1379

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)

2022-11-08 13:37:36

1624

三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。

2022-12-06 10:39:31

1027

SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。

2023-06-08 10:31:53

2449

SK海力士宣布量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。

2023-06-11 14:32:54

1442

三星：2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

　三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層

2023-07-04 17:03:29

3142

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。

2023-08-10 16:01:47

1993

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。

2023-08-16 10:23:58

1255

三星、SK海力士存儲(chǔ)器庫存破表牽動(dòng)南亞科、華邦、群聯(lián)等后市

據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。

2023-08-17 09:38:58

1100

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

　最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。

2023-08-18 11:09:05

2015

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級(jí)，正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規(guī)模擴(kuò)張。消息人士稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第

2023-10-18 08:35:55

911

三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層

據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過，三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。

2024-04-12 16:05:39

1410

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。

2024-04-17 15:06:59

1502

三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄

三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND）閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。

2024-04-18 09:49:20

1500

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。

2024-04-23 11:48:05

1287

三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)

作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)

2024-04-28 10:08:01

1536

三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片，位密度提升50%

在技術(shù)層面，第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù)，在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上，再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破，堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。

2024-04-28 16:02:24

1874

三星第九代V-NAND 1TB TLC量產(chǎn)，密度提升逾50%

第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。

2024-04-28 17:36:18

1369

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日，SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。

2024-05-09 11:00:30

1175

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案

在智能手機(jī)技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，成功推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化的閃存產(chǎn)品，無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗(yàn)。

2024-05-11 10:14:19

1068

三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)

據(jù)韓國媒體最新報(bào)道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。

2024-07-04 09:23:50

1262

SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND

近日，韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動(dòng)并大規(guī)模投入生產(chǎn)。

2024-08-01 15:26:42

1322

SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。

2024-08-02 16:56:11

1743

三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場即將迎來一場革命性的變革。

2024-09-12 16:27:31

1108

三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。

2024-09-23 14:53:52

1479

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

的廣泛關(guān)注。然而，三星電子并未對這一傳聞進(jìn)行正面回應(yīng)，反而強(qiáng)調(diào)市場傳言不實(shí)，并表示未來將持續(xù)生產(chǎn)MLC NAND閃存。盡管如此，多家供應(yīng)鏈業(yè)者仍指出，三星在年底進(jìn)行的人事大改組后，產(chǎn)線規(guī)劃很可能也會(huì)有所調(diào)整，這進(jìn)一步加劇了業(yè)界對MLC NAND閃存未來命運(yùn)的擔(dān)

2024-11-21 14:16:12

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三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。據(jù)報(bào)道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈的競爭環(huán)境，三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略

2025-01-14 14:21:24

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三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道，為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK海力士正積極

2025-02-12 10:38:13

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三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。報(bào)道指出，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級(jí)順利進(jìn)行。據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)

2025-02-14 13:43:27

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SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND

2025-07-10 11:37:59

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三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

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