SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層容量達512Gb的4D閃存
存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達512Gb（64GB）。
據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)，堆疊層數(shù)達到了176層，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術(shù)可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士將其稱之為“4D閃存”。
SK海力士預計相關(guān)產(chǎn)品明年年中上市，目前主控廠商已經(jīng)在測試樣品，預計會在手機閃存領(lǐng)域首發(fā)，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續(xù)還會應用到消費級SSD和企業(yè)產(chǎn)品上。
另外，SK海力士已經(jīng)表示，正在開發(fā)1Tb（128GB）容量的176層4D閃存。顯然，今后手機可以在更緊湊的空間內(nèi)做到大容量ROM空間了。
編輯：hfy
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