11月4日，SK海力士公司宣布，“公司將主要應用于3D閃存的CTF結構與PUC技術結合起來，在上月領先全球率先研發(fā)出96層512Gbit的4D Nand閃存半導體，計劃在今年年內進行第一批量產”。96層Nand閃存是目前性能最強的Nand閃存半導體。

之所以稱之為4D Nand是因為它是將3D Nand使用的電荷擷取閃存(CTF，Charge Trap Flash)結構與外圍電路(PUC，Peri Under Cell)構造結合起來開發(fā)出的新技術。PUC技術將用來驅動晶胞的周邊電路堆疊在儲存數(shù)據(jù)的晶胞陣列下方，相當于將公寓樓(Nand閃存)所需要的停車場從公寓旁邊改建到了地下空間，從而提高了空間使用效率。

4D Nand半導體體積比目前的72層512Gbit 3D Nand閃存縮小了30%以上，可以搭載到智能手機移動零部件之中，每張面板可以生產的記憶容量(bit)提升1.5倍，可同時處理的數(shù)據(jù)量更是提升一倍至業(yè)界最高水平的64KB，一個新的芯片產品可以取代2個原來的256Gbit 3D Nand閃存。SK海力士強調，“新芯片的讀寫能力分別比現(xiàn)在的72層產品提高了30%和25%”。

SK海力士的4D NAND閃存首先會量產TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。

至于QLC類型的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。

4D NAND閃存主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。

SK海力士能否憑借新產品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導權，倍加受人關注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場卻以大約10%的份額之差排在三星電子、東芝、西部數(shù)據(jù)之后，排名第四。在去年SK海力士的銷售額中，NAND閃存所占比重保持在22%左右，而在今年上半年，這一比例下降到了18%。

此外，隨著半導體存儲器的供應增加和需求停滯，Nand閃存半導體的價格在今年下降了9%以上，進一步助推了“半導體危機論調”。SK海力士計劃通過擴大新產品的供應打破這樣的危機論調。

SK海力士首先計劃在年內推出搭載4D Nand閃存的1TB容量固態(tài)硬盤(SSD)。SK海力士公司常務金正泰表示，“搭載CTF技術的96層4D Nand閃存擁有業(yè)界最頂級的性能和成本優(yōu)勢，我們正利用這一技術研發(fā)新一代128層4D Nand閃存”。

SK海力士的4D NAND閃存將帶給市場怎樣的驚喜，非常值得期待。