9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布,他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品,該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前,他們推出了96層第5代3D NAND,但低價促使他們削減了產(chǎn)量,而第4代72
2019-11-25 17:21:55
6385 7月24日國外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23
1558 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前,我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢,但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于,海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)兩大市場競爭對手能否也拿出同樣具備競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?
2016-09-12 13:40:25
2173 目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn),韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出,海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:35
1594 據(jù)外媒報道,東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存,采用64層堆疊,單晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相對于上一代48層256Gb,容量密度提升了65%,這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:40
1752 電子發(fā)燒友早八點訊:三星今天在韓國宣布,開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND閃存芯片,是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:00
2458 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:39
2048 
在三星、東芝存儲器(TMC)、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動下,不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及,2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:11
7106 是超一流的。 PE8010、PE8030都配備了SK海力士自產(chǎn)的96層堆疊4DTLCNAND閃存顆粒,搭配自研主控,最大容量8TB,兼容U.2、U.3接口,其中PE8010面向讀取密集型
2020-04-08 10:11:53
6532 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費級SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB兩種存儲容量,產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:42
3984 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧
2021-02-20 10:02:32
3312 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:00
5554 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8534 主營美光,三星,海力士,東芝,南亞,原裝存儲芯片。QQ:3005234331Tel: 0755 85241972
2020-02-28 17:04:25
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低,也意味著成本更低。此外,鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片,同樣是基于東芝BiCS 3D存儲技術(shù)打造,設(shè)計容量包括128GB、256
2020-03-19 14:04:57
! 帝歐 字庫收購,價格高才是硬道理!!】】回收字庫,回收手機字庫,回收三星字庫,回收現(xiàn)代字庫,回收海力士字庫,回收鎂光字庫,回收東芝字庫,回收電子,回收芯片,回收IC,回收電子料,回收MTK芯片全新
2021-04-27 16:10:09
原裝海力士三星存儲芯片,香港出貨,原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G
2020-02-13 14:35:59
1646B-HCK0、NT5CB256M8GN-CG、H5TQ4G63AFR-H9C、H5TQ4G63MFR-PBC、H5TQ2G83FFR-PBC、SD5D28B-8G、SD7DP24C-4G
2021-07-16 18:07:56
收購海力士內(nèi)存芯片長期回收海力士內(nèi)存,專業(yè)回收海力士內(nèi)存芯片,深圳帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-01-25 17:59:52
【【海力士ic 回收,實力高價回收!! 帝歐電子長年優(yōu)勢收購內(nèi)存芯片??!135-3012-2202(同步微信) QQ:8798-21252】大量收購回收海力士ic收購各個品牌電子芯片FLASH,收購
2021-08-23 18:13:52
高價回收海力士內(nèi)存深圳高價收購海力士內(nèi)存,回收8G內(nèi)存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2020-11-20 16:59:46
高價回收海力士內(nèi)存深圳高價收購海力士內(nèi)存,回收8G內(nèi)存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-03-13 17:46:31
高價回收海力士內(nèi)存深圳高價收購海力士內(nèi)存,回收8G內(nèi)存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-07-02 19:07:56
高價回收海力士內(nèi)存深圳高價收購海力士內(nèi)存,回收8G內(nèi)存芯片帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士 三星字庫
2021-04-13 18:51:47
,鎂光,南亞,爾必達,華邦,三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,飛索 Spansion芯片,展訊SPREADTRUM,愛特梅爾ATMEL,英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-08-02 17:44:42
高價回收海力士字庫深圳高價回收海力士內(nèi)存,回收8G內(nèi)存芯片,深圳帝歐電子聯(lián)系電話***,QQ:1816233102/764029970,郵箱dealic@163.com專業(yè)回收現(xiàn)代字庫,回收海力士
2021-01-29 17:52:55
SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報導(dǎo)指出,海力士計劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計,位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
1317 
蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:05
4377 據(jù)報道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個
2017-04-12 01:07:11
1359 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11
860 6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤,它是主流的SATA驅(qū)動器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05
1179 SK
海力士預(yù)計第四季度
D-RAM和NAND
閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級
D-RAM和
72層NAND
閃存,明年業(yè)績?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15
754 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年,主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00
918 首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇,SK海力士稱,CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)
2018-08-12 10:55:15
4453 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中,所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元,是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個NAND
2018-08-29 11:10:00
10509 
趙偉國認為,中國的集成電路已經(jīng)初步擺脫了抄人家、學(xué)人家的狀態(tài)。他透露,紫光會在今年底量產(chǎn)32層64G的存儲器,在明年會量產(chǎn)64層128G的存儲器,并同步研發(fā)128層256G的存儲器。
2018-08-26 10:38:15
3176 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:04
3820 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長,而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND Flash快閃存儲器的需求。
2018-10-12 16:17:00
5500 SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競爭力相對弱勢的NAND閃存市場站穩(wěn)腳跟并爭取NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán),倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場僅次于三星電子排名第二,但在NAND閃存市場卻以大約10
2018-11-09 15:49:51
5400 11月15日, 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:31
8411 推出64層/72層3D NAND,預(yù)計從下半年開始將陸續(xù)進入量產(chǎn)階段,屆時3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:57
1562 國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
2056 現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD硬盤,不過官方并沒有公布SSD硬盤的名稱,只知道是NVMe標準的,基于72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大4TB,U.2容量可達8TB。
2019-06-21 09:14:58
3869 SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功,并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:28
3819 SK海力士宣布,該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:20
6119 SK海力士近日正式宣布,已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前,該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:15
3551 近日,據(jù)報道,傳海力士正在跟Intel談判,海力士想收購整個Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 11:32:52
3449 7月11日,業(yè)內(nèi)傳出消息稱,SK海力士計劃收購Intel位于中國大連的Fab 68存儲工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對此傳聞,英特爾向芯智訊進行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:01
4740 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 今年一季度,紫光旗下的長江存儲(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:33
1140 2019年智能手機的閃存容量進一步提升,中高端手機基本上是128GB起步,高端會上512GB,個別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去,明年1TB容量的手機會更多,因為SK海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出貨1TB UFS 3.1閃存給手機廠商,堆棧層數(shù)達到了128層。
2019-11-21 08:53:08
776 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級SSD固態(tài)硬盤,不過并沒有公布新品SSD的名稱,有限的信息為支持NVMe協(xié)議,采用72層堆棧的3D TLC閃存,M.2版容量最大容量4 TB,U.2版最大容量可達8 TB。
2019-12-09 11:43:57
2304 在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:52
12167 在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計三星、西數(shù)、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:13
5597 根據(jù)消息報道,SK 海力士在CES 2020上發(fā)布了發(fā)布了兩款M.2 PCI NVMe固態(tài)硬盤,分別名為Gold P31和Platinum P31,都采用了128層4D NAND閃存模塊,主控也是SK 海力士自己的。
2020-01-08 15:04:22
3656 在最近舉辦的CES 2020展會上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:55
3583 2 月 13 日訊,SK 海力士宣布,已經(jīng)與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議,獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術(shù)的授權(quán)。
2020-02-15 16:39:07
1283 4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111,是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計的高容量存儲解決方案。SK海力士是一家全球存儲器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:19
4475 對3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:07
3912 長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:00
3612 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),TLC顆粒,容量達512Gb(64GB)。 ? 據(jù),SK海力士透露,該閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:32
1786 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:47
2793 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:55
3696 通過轉(zhuǎn)讓IM工廠股份給美光、將閃存業(yè)務(wù)打包出售給SK海力士等,Intel正重新梳理旗下業(yè)務(wù),至少就閃存、SSD來看,現(xiàn)在只剩下傲騰了。 不過,傲騰的3D Xpoint芯片仍要靠猶他州的IM工廠生產(chǎn)
2020-11-29 11:54:41
2026 繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb(64GB),TLC。 SK海力士透露,閃存單元架構(gòu)為CTF(電荷捕獲),同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:27
2200 繼美光后,SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā),容量512Gb(64GB),TLC。
2020-12-07 13:44:09
2509 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:23
3708 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 從96層NAND閃存芯片開始,海力士一直在推動4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片,已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說,其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:34
3836 雖然已經(jīng)將閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士,但是Intel還會繼續(xù)發(fā)展存儲芯片。日前的存儲峰會上,Intel推出了一系列SSD硬盤,包括670P、傲騰H20等,首發(fā)了144層TLC、QLC閃存,涵蓋消費級、企業(yè)級等多個市場。
2020-12-17 10:11:28
2736 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以600億元的價格賣給了SK海力士公司,但是傲騰硬盤業(yè)務(wù)沒賣,基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:27
2085 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。 各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧
2021-02-19 18:03:41
2917 在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營,推出了162層3D閃存。
2021-02-20 10:40:58
2714 新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù),三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:07
2770 去年10月份,Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批,日前通過了歐盟的審批,中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:57
2342 iphone13pro max有256G,還有另外128G、512G和1TB可供選擇。
2021-09-17 11:04:29
5971 蘋果13買256g實用一些。iPhone 13其實就是iPhone 12的微升級版,并沒有什么太大的升級與亮點,雖然iPhone 13內(nèi)存較低的價格比較便宜,但是選擇256G會更好。
2021-10-08 17:15:54
86673 近日,SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:53
4080 SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:49
15867 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?;蛟S更重要的是,芯片制造商私下表示,他們將利用行業(yè)學(xué)習為目前正在開發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20
888 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4222 sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開發(fā)了智能手機和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開始批量生產(chǎn)。該公司通過176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競爭力。
2023-06-08 10:31:53
2449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
1992 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53
888 去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59
980 來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:08
1225 SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開緊密合作,通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當前,增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:24
1034 )提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29
1745 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22
1473 韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:11
1743 在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為未來的移動設(shè)備性能提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-08-10 16:52:08
3027 今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1985 近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:20
1231 在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
1189
評論